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个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 招生方向 光电材料与器件辐射效应 教育背景 2009-09--2013-07 中国科学院大学 博士 2004-09--2008-06 湖北大学材料物理系 本科 工作简历 2017-10~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员 2013-07~2017-09,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员 奖励信息 (1) 星用光电成像器件的辐射效应与抗辐射加固研究, 一等奖, 省级, 2018 专利成果 ( 1 ) 辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法, 发明, 2018, 第 5 作者, 专利号: 106840613A ( 2 ) 一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 107144755A ( 3 ) 基于递归算法的图像传感器单粒子效应瞬态亮斑识别方法, 发明, 2018, 第 4 作者, 专利号: 108537809A 科研项目 ( 1 ) HgCdTe红外探测器辐射感生缺陷的退火机制研究, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12 ( 2 ) 质子位移效应研究, 参与, 国家级, 2014-01--2019-12 ( 3 ) CMOS图像传感器单粒子效应, 参与, 国家级, 2017-01--2019-12 ( 4 ) 新型元器件位移损伤试验评估及验证, 参与, 国家级, 2016-01--2020-12 ( 5 ) 红外探测器质子辐照瞬时效应, 主持, 市地级, 2019-01--2020-12

研究领域

光电材料及成像器件辐射效应

近期论文

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(1) γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究, 红外与激光工程, 2019, 第 2 作者 (2) Electron beam irradiation induced crystallization of amorphous solid phase change materials, Japanese journal of applied physics, 2018, 第 1 作者 (3) Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array, Solid-State Electronics, 2018, 第 4 作者 (4) Analysis of proton and γ -ray radiation effects on CMOS active pixel sensors, Chinese Physics B, 2017, 第 5 作者 (5) CMOS 图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理, 光学精密工程, 2017, 第 4 作者

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