薛忠营 - 中国科学院大学 - 电子电气与通信工程学院

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向 SOI材料及器件教育背景 2008-04--2011-06 中科院上海微系统与信息技术研究所博士研究生 1999-09--2002-06 山东大学硕士研究生 1995-09--1999-06 山东大学本科工作简历 2014-01~现在, 中科院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员 2011-07~2013-12,中科院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员 2008-04~2011-06,中科院上海微系统与信息技术研究所, 博士研究生 2002-07~2008-03,积成电子股份有限公司, 工程师 1999-09~2002-06,山东大学, 硕士研究生 1995-09~1999-06,山东大学, 本科专利成果（ 1 ）一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110418827.0 （ 2 ）一种嵌入超晶格制备应变Si的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110418819.6 （ 3 ）一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110419356.5 （ 4 ）场效应晶体管结构及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 2017111551374 （ 5 ）一种绝缘体上石墨烯的制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 2017111394706 科研项目（ 1 ）原子级平滑表面剥离技术、机理研究及GOI材料制备, 主持, 国家级, 2018-01--2021-12 （ 2 ）层转移超薄SOI材料技术开发, 参与, 国家级, 2016-01--2018-12 （ 3 ）绝缘体上单晶石墨烯晶圆（sGrOI）制造表征及应用研究, 参与, 省级, 2016-01--2018-12

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（1） Probing built-in stress effect on the defect density of stretched monolayer graphene membranes, Carbon, 2019, 第 1 作者（2） Fermi level depinning in Ti/n-type Ge Schottky junction by the insertion of fluorinated graphene, Journal of Alloys and Compounds, 2019, 通讯作者（3） Direct Growth of Unidirectional Graphene Nanoribbons on Vicinal Ge(001), Phys. Status Solidi RRL, 2019, 通讯作者（4） Biaxially strained germanium micro-dot array by hydrogen ion implantation, Surface & Coatings Technology, 2019, 通讯作者（5） Biaxially strained germanium micro-dot array by hydrogen ion implantation, Surface & Coatings Technology, 2018, 通讯作者（6） Enhanced cracking in Si/B-doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructures via hydrogen trapping effect, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2018, 第 2 作者（7） Double quantum criticality in superconducting tin arrays-graphene hybrid. Nature Communications, Nature Communications, 2018, 第 4 作者（8） Germanium-Assisted Direct Growth of Graphene on Arbitrary Dielectric Substrates for Heating Devices, Small, 2017, 第 1 作者（9） The reduction of critical H implantation dose for ion cut by incorporating B-doped SiGe/Si superlattice into Si substrate, applied surface sciences, 2016, 第 1 作者（10） Catalyst-free approach for growth of graphene sheets on high-density silica nanowires by CVD, materials letters, 2016, 通讯作者（11） High quality extremely thin SOI fabricated by facilitated ion-cut with H-trapping effect, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2016, 第 2 作者（12） Influence of hydrogen fluence on surface blistering of H and He co-implanted Ge, uclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 2016, 第 2 作者（13） Ge-on-insulator wafer with ultralow defect density fabricated by direct condensation of SiGe-on-insulator structure, applied surface sciences, 2015, 第 3 作者（14） Deterministic Assembly of Flexible Si/Ge Nanoribbons via Edge-Cutting Transfer and Printing for van der Waals Heterojunctions, small, 2015, 第 3 作者（15） Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach, applied physics letters, 2015, 第 3 作者（16） Strain analysis of free-standing strained silicon-on-insulator nanomembrane, Chinese Phys B, 2015, 第 3 作者（17） Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy, AIP Advances, 2015, 第 3 作者