个人简介
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
070207-光学
招生方向
半导体器件与物理
微纳结构光学
教育背景
2002-07--2007-06 北京邮电大学 博士学位
工作简历
2017-10~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 研究员
2012-12~2017-09,中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2012-04~2012-12,新加坡南洋理工大学, research fellow
2010-10~2012-04,中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2007-07~2010-09,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员
2002-07~2007-06,北京邮电大学, 博士学位
专利成果
（ 1 ） 一种激光选择聚焦器件及其设计方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: 201010177518.4
（ 2 ） InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 200910050316.0
（ 3 ） 一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: 200910050313.7
（ 4 ） 光伏型多量子阱红外探测器, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200710171387.7
（ 5 ） APD红外探测器及其制作方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: 2011101990999
（ 6 ） 一种基于圆偏振态编码的全天时量子通信方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: 201810330223.2
（ 7 ） 一种基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110100758.2
（ 8 ） 一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: ZL201811274488.1
科研项目
（ 1 ） 核心量子通信器件, 参与, 部委级, 2012-09--2017-08
（ 2 ） 表面等离激元光学微腔型InGaAs/InP单光子探测器的光学传输和光电耦合机理研究, 主持, 国家级, 2015-01--2017-12
（ 3 ） 光电联合调控的量子探测材料与器件研究, 参与, 省级, 2016-07--2019-06
（ 4 ） 低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证研究, 参与, 国家级, 2016-07--2020-12
（ 5 ） 半导体单光子探测器件, 主持, 省级, 2019-07--2021-11
参与会议
（1）High performance InP based single photon avalanche diodes integrated with Metal-Insulator-Metal plasmonic microcavities 2016-09-25
（2）Light enhancement by Metal-Insulator-Metal Plasmonic Focusing Cavity 2015-09-07
（3）Nμmerical Analysis of Multipli-cation Layer for InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diodes 2013-08-19
（4）InGaAs-InP Single Photon Avalanche Diodes with Low Tunneling Current 2013-06-25
（5）Numerical Analysis of Single Photon Avalanche Photodiodes With Improved Structure W. J. Wang, L. Lin, T. X. Li, N. Li, W. D. Hu, W. Lu, X. S. Chen 2010-09-07
（6） High differential gain single photon avalanche photodiode with improved structure W. J. Wang, L. Lin, T. X. Li, N. Li, W. D. Hu, W. Lu, X. S. Chen 2010-09-05
近期论文
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（1） High performance InGaAs/InP avalanche photodiode integrated with metal-insulator-metal microcavity, Optical and Quantum Electronics, 2021, 通讯作者
（2） InGaAsP / InP Single Photon Avalanche Diodes with ultra-high photon detection efficiency, Optical and Quantum Electronics, 2020, 通讯作者
（3） Tunable phase change polaritonic perfect absorber in the mid-infrared region, Optics Express, 2020, 第 5 作者
（4） Selectively thermal radiation control in long-wavelength infrared with broadband all-dielectric absorber, Optics Express, 2019, 第 6 作者
（5） Room-Temperature Single-Photon Based on Single Nanowire, Nano Lett., 2018, 第 8 作者
（6） Origin of large dark current increase in InGaAs/InP avalanche photodiode, Journal of Applied Physics, 2018, 通讯作者
（7） Plasmonic optical convergence microcavity based on the metal-insulator-metal microstructure, Appl. Phys. Lett., 2017, 通讯作者
（8） 低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证, 红外与毫米波学报, 2016, 第 1 作者
（9） Light enhancement by metal-insulator-metal plasmonic, Opt Quant Electron, 2016, 通讯作者
（10） Effect of surface charge on the dark current of InGaAs/InP avalanche photodiodes, J. Appl. Phys., 2014, 通讯作者
（11） Dependence of dark current on carrier lifetime for InGaAs/InP avalanche photodiodes, Opt Quant Electron, 2014, 通讯作者
（12） Numerical Analysis of Multiplicat- ion Layer on Dark Current for InGaAs/InP Single Photon Avalan-che Diodes, Opt Quant Electron, 2013, 通讯作者
（13） Laser selective focusing utilized for remarkably enhancing the responses of photodetectors, 红外与激光工程, 2013, 第 1 作者
（14） Tunable photodetector based on GaAs/InP wafer bonding, IEEE Electron Device Letters, 2006, 第 1 作者
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