韩勤 - 中国科学院大学 - 电子电气与通信工程学院

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 080901-物理电子学招生方向半导体光电材料、器件及集成芯片，新型光电探测器光电集成芯片及光互联石墨烯光电器件基础研究教育背景 2003-07--2007-02 中科院半导体所博士 1988-09--1991-07 中科院半导体所硕士 1983-09--1988-07 中国科技大学理学学士奖励信息（1）新型GaInAs(NSb)低维半导体光电子材料与器件，二等奖，省级，2006 专利成果（1）一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器，发明，2013，第2作者，专利号：201310030236.5 （2）一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法，发明，2012，第2作者，专利号：201010263067.6 （3）一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法，发明，2012，第2作者，专利号：200810225784.2 （4）在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法，发明，2012，第2作者，专利号：200810223611.7 （5）一种平面型雪崩光电探测器，发明，2013，第2作者，专利号：201310136829.X （6）一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法”申请日：2013-4-18，发明，2013，第2作者，专利号：201310136042.3 （7）用于电子束光刻胶PMMA的显影液及其配制方法发明，发明，2010，第3作者，专利号：201010101998.6 （8）在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法” ZL 授权日：2011-10-12，发明，2011，第3作者，专利号：201010102016.5 （9）一种提高电子束曝光效率的方法，发明，2012，第3作者，专利号：201010201513.0 （10）一种雪崩光电探测器和提高雪崩光电探测器高频特性的方法，发明，2013，第2作者，专利号：201310049958.5 科研项目（1） 100Gb/s多波长并行高速光探测集成芯片，主持，国家级，2013-01--2015-12 （2）石墨烯在光调制器件中的前瞻性研究，参与，院级级，2012-05--2014-12 （3）光互连芯片中微腔原理、核心器件研究，参与，国家级，2012-01--2014-12 （4） 100Gbit/s 多波长并行高速波导探测器集成芯片研究，主持，国家级，2012-01--2015-12

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（1）基于石墨烯的半导体光电器件研究进展，物理学报，2012，通讯作者（2） Tunable Metamorphic Resonant Cavity Enhanced InGaAs Photodetectors Grown on GaAs Substrate ，CHIN.PHYS.LETT，2012，通讯作者（3） Ultra Low Dark Current, High Responsivity and Thin Multiplication Region in InGaAs/InP Avalanche Photodiodes”，CHIN. PHYS. LETT，2012，通讯作者（4） Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs，J. Vac. Sci. Technol. B ，2011，通讯作者（5） High performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate，Applied Physics Letter，2011，通讯作者（6） Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio，Applied Physics Letter，2010，第5作者（7） Metamorphic InGaAs p-i-nPhotodetectors with 1.75 um Cut-Off Wavelength Grown on GaAs，Chin.Phys.Lett.，2010，通讯作者（8） Metamorphic InGaAs p-i-nPhotodetectors with 1.75 um Cut-Off Wavelength Grown on GaAs，Chin.Phys.Lett.，2010，通讯作者（9） High performance of 1.55 μm Low-temperature-grown Resonant- cavity-enhanced photodetector ，Appl. Phys. Lett.，2006，通讯作者（10） Room temperature continuous wave operation of 1.33？m InAs/GaAs quantum dot laser with high output power ，Chinese Optics Letters，2006，通讯作者（11） 1.55μm GaInNAs resonant-cavity- enhanced photodetector grown on GaAs ，Appl. Phys. Lett.，2005，通讯作者（12） Material growth and device fabrication of GaAs based 1.3um GaInNAs quantum well laser diodes， Chin. J. Semiconductors，2005，第2作者