王振华 - 哈尔滨理工大学

个人简介

王振华，男，1978年出生基本信息 1、教育经历（从本科学习阶段开始，按时间倒序排列） 2013.09-2019.03，哈尔滨理工大学，材料科学与工程学院，博士研究生 2007.09-2010.04，哈尔滨理工大学，应用科学学院，硕士研究生 1997.09-2001.07，黑龙江大学，物理系，本科生 2、工作经历（从参加工作开始，按时间倒序排列） 2012.09-至今，哈尔滨理工大学，理学院物理系，副教授 2007.09-2012.09，哈尔滨理工大学，应用物理教研室，讲师 2001.07-2007.09，哈尔滨理工大学，应用物理教研室，助教 3、荣誉称号（按时间倒序排列） 2018年，哈尔滨理工大学“优秀主讲教师” 2012年，哈尔滨理工大学“优秀主讲教师” 研究生培养方向掌握形状记忆合金薄膜材料的制备及表征方法，明确合金马氏体相变行为的物理机制，揭示晶化过程对合金晶化行为的影响机理。利用计算软件预测尺寸效应对材料性质影响的物理机制，探究材料近表面的电子输运特性，揭示低维材料结型器件的物理秉性。为新能源器件的研究奠定理论基础。科研项目 [1] 国家自然科学基金面上项目，51672062，太赫兹石墨烯超材料电磁特性的超快响应机理及功能器件，2017.01-2020.12，62万元，在研，参与 [2] 横向课题，碳纤维复合材料及其金属界面性能测试技术研究，2013.03-2014.12，30万元，结题，主持人

研究领域

形状记忆合金薄膜、磁驱动记忆材料、记忆合金智能复合材料材料多尺度计算机模拟、近表面电子输运过程

近期论文

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[1]. WANG Z H, GUO E J, TAN C L, TIAN X H, CAI W, ZHU J C. Low Temperature Annealing Effects on Martensitic Transformation and Exchange Bias Behavior of Ni–Mn–Sn Free-standing Alloy Thin Films [J]. RSC ADVANCES, 2017, 7(68): 42866–42874. [2]. WANG Z H, GUO E J, TAN C L, TIAN X H. Crystallization Kinetics of Ni51Mn36Sn13 Free-standing Alloy Thin Films [J]. VACUUM, 2016, 130: 124–129. [3]. WANG Z H, GUO E J, TAN C L, TIAN X H, ZHU J C, ZHAO W B. Kinetics Study on Non-isothermal Crystallization of Ni1.5MnSn0.5Co Alloy Thin Films [J]. Integrated Ferroelectrics, 2018, 189(1): 8–14. [4]. TAN C L, ZHU J C, WANG Z H, ZHANG K, TIAN X H, CAI W. The Crystallization Kinetics of Co Doping on Ni–Mn–Sn Magnetic Shape Memory Alloy Thin Film [J]. RSC ADVANCES, 2018, 8(45): 25819–25828. [5]. TIAN X H, WANG Z H, ZHU J C, TAN C L, ZHANG K, Yu Z, CAI W. The Eﬀect of Fe Doping on the Crystallization Kinetics of Ni–Mn–Sn Freestanding Alloy Thin Films [J]. J NON-CRYST SOLIDS, 2018, 495: 19–26.