个人简介
高双，博士，“春蕾人才”副研究员，教育背景：
2011.09~2016.06：清华大学，材料学院，材料科学与工程专业，博士
2007.09~2011.06：北京科技大学，材料科学与工程学院，材料物理专业，学士
工作经历：
2018.12~至今：中科院宁波材料所，磁性材料与机电装备事业部，副研究员
2016.07~2018.12：中科院宁波材料所，磁性材料与机电装备事业部，博士后/助理研究员硕士生导师
科研项目：
1. 国家自然科学基金面上项目，阻变存储器中磁性原子点接触的可控构建及输运特性研究，59万元，2020.01~2023.12，在研，主持；
2. 国家自然科学基金青年项目，阻变效应的光场调控规律及机理研究，28万元，2018.01~2020.12，在研，主持；
3. 宁波市自然科学基金项目，应用于类脑计算芯片的神经突触仿生光电忆阻器研究，5万元，2018.03~2020.03，在研，主持；
4. 中国科学院宁波工业技术研究院（筹）“优秀博士后”项目，阻变效应的光场调控及其逻辑应用研究，40万元，2017.06~2019.05，已结题，主持；
5. 中国博士后科学基金面上一等资助项目，Bi2O3/BiFeO3纳米复合薄膜的自组装制备与阻变性能研究，8万元，2017.03~2018.06，已结题，主持；
6. 支持“率先行动”中国博士后科学基金会与中国科学院联合资助优秀博士后项目，氧化还原类阻变存储器的性能优化关键技术，20万元，2016.07~2018.06，已结题，主持.
学术专著：
1. Shuang Gao, Xiaohui Yi, Jie Shang, Bin Chen, Gang Liu*, Run-Wei Li*, Flexible Resistive Switching Memories: From Materials to Devices (Chapter 4), in “Advances in Materials Science Research”, Volume: 34, Editor: Maryann C. Wythers, Pages: 157-186, Nova Science Publishers, New York, 2018.
发明专利：
1. 李润伟，陈威林，叶俊雅，高双. 高稳定的黑磷纳米片及其制备方法，以及阻变存储器及其制备方法，申请号：201910916963.9，申请日：2019-09-26.
2. 李润伟，叶俊雅，高双，汪爱英，郭鹏. 一种突触晶体管及其制备方法. 中国发明专利，申请号：201910899940.1，申请日：2019-09-23.
3. 李润伟，谢卓琳，高双，叶晓羽，公国栋. 构建磁性原子点接触的方法与器件磁电阻的调控方法. 中国发明专利，申请号：201910824882.6，申请日：2019-09-02.
4. 李润伟，卢颖，伊晓辉，高双. 一种可拉伸的弹性阻变随机存储器及其制备方法. 中国发明专利，申请号：201910459428.5，申请日：2019-05-29.
5. 刘钢，卢颖，李润伟，高双，伊晓辉. 一种柔性可转移电子器件的制备方法. 中国发明专利，申请号：201811378481.4，申请日期：2018-11-19.
6. 高双，李润伟，刘钢. 一种光激励的神经突触仿生忆阻器及其制备方法. 中国发明专利，申请号：201811292353.8，申请日期：2018-11-01.
7. 高双，李润伟，刘钢. 一种高稳定的单极性阻变存储器. 中国发明专利，申请号：201710906459.1，申请日期：2017-09-29.
8. 高双，李润伟，刘钢. 基于阻变存储单元的逻辑运算器及利用其实现二元布尔逻辑运算的方法. 中国发明专利，申请号：201610858694.1，申请日期：2016-09-28.
9. 曾飞，高双，潘峰，宋成，崔彬，李起. 在单个磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法. 中国发明专利，专利号：ZL201511000779.8，授权日：2018-06-22.
10. 李起，曾飞，潘峰，高双. 在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法. 中国发明专利，专利号：ZL201410705974.X，授权日：2017-06-16.
科研奖励：
1. 2018年北京市自然科学二等奖，阻变存储材料与器件若干基础问题研究，第五获奖人.
2. 2016年度中国真空学会真空科学优秀博士论文.
研究领域
阻变存储器性能调控、柔性阻变存储材料与器件、忆阻神经形态材料与器件
近期论文
查看导师新发文章
（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）
代表性学术论文：
1. Wuhong Xue,# Yi Li,# Gang Liu*, Zhuorui Wang, Wen Xiao, Kemin Jiang, Zhicheng Zhong, Shuang Gao*, Jun Ding, Xiangshui Miao, Xiao-Hong Xu*, Run-Wei Li*, Controllable and Stable Quantized Conductance States in a Pt/HfOx/ITO Memristor. Adv. Electron. Mater. 2020, 6(2), 1901055.
2. Shuang Gao, Gang Liu*, Huali Yang, Chao Hu, Qilai Chen, Guodong Gong, Wuhong Xue, Xiaohui Yi, Jie Shang, Run-Wei Li*, An Oxide Schottky Junction Arti？cial Optoelectronic Synapse. ACS Nano 2019, 13(2), 2634-2642. (IF: 13.903)
3. Shuang Gao, Xiaohui Yi, Jie Shang, Gang Liu*, Run-Wei Li*, Organic and hybrid resistive switching materials and devices. Chemical Society Reviews 2019, 48(6), 1531-1565. (IF: 40.443)
4. Wuhong Xue#, Shuang Gao#, Jie Shang, Xiaohui Yi, Gang Liu, Run-Wei Li*, Recent Advances of Quantum Conductance in Memristors. Advanced Electronic Materials 2019, 1800854. (共同一作)
5. Shuang Gao, Gang Liu*, Qilai Chen, Wuhong Xue, Huali Yang, Jie Shang, Bin Chen, Fei Zeng, Cheng Song, Feng Pan*, Run-Wei Li*, Improving Unipolar Resistive Switching Uniformity with Cone-Shaped Conducting Filaments and Its Logic-In-Memory Application. ACS Applied Materials & Interfaces 2018, 10(7): 6453-6462.
6. Shuang Gao, Guang Yang, Bin Cui, Shouguo Wang, Fei Zeng, Cheng Song, Feng Pan*, Realisation of all 16 Boolean logic functions in a single magnetoresistance memory cell. Nanoscale 2016, 8(25): 12819-12825.
7. Shuang Gao, Fei Zeng*, Minjuan Wang, Guangyue Wang, Cheng Song, Feng Pan*, Implementation of Complete Boolean Logic Functions in Single Complementary Resistive Switch. Scientific Reports 2015, 5: 15467.
8. Shuang Gao, Fei Zeng*, Minjuan Wang, Guangyue Wang, Cheng Song, Feng Pan*, Tuning the switching behavior of binary oxide-based resistive memory devices by inserting an ultra-thin chemically active metal nanolayer: a case study on the Ta2O5–Ta system. Physical Chemistry Chemical Physics 2015, 17(19): 12849-12856.
9. Shuang Gao, Fei Zeng*, Fan Li, Minjuan Wang, Haijun Mao, Guangyue Wang, Cheng Song, Feng Pan*, Forming-free and self-rectifying resistive switching of the simple Pt/TaOx/n-Si structure for access device-free high-density memory application. Nanoscale 2015, 7(14): 6031-6038.
10. S. Gao, C. Chen, Z. Zhai, H. Y. Liu, Y. S. Lin, S. Z. Li, S. H. Lu, G. Y. Wang, C. Song, F. Zeng*, F. Pan*, Resistive switching and conductance quantization in Ag/SiO2/indium tin oxide resistive memories. Applied Physics Letters 2014, 105(6): 063504.
11. F. Pan*, S. Gao, C. Chen, C. Song, F. Zeng, Recent progress in resistive random access memories: materials, switching mechanisms, and performance, Materials Science and Engineering: R: Reports 2014, 83: 1-59. (博导一作、本人二作; IF: 22.25; Citations: 674)
12. Shuang Gao, Fei Zeng*, Chao Chen, Guangsheng Tang, Yisong Lin, Zifeng Zheng, Cheng Song, Feng Pan*, Conductance quantization in a Ag filament-based polymer resistive memory. Nanotechnology 2013, 24(33): 335201.
13. S. Gao, C. Song*, C. Chen, F. Zeng, F. Pan*, Formation process of conducting filament in planar organic resistive memory, Applied Physics Letters 2013, 102(14): 141606.
14. Shuang Gao, Cheng Song*, Chao Chen, Fei Zeng, Feng Pan*, Dynamic Processes of Resistive Switching in Metallic Filament-Based Organic Memory Devices, The Journal of Physical Chemistry C 2012, 116(33): 17955-17959. (Citations: 137)
京公网安备 11010802027423号