赖云锋 - 福州大学 - 物理与信息工程学院

个人简介

2007.2获上海交通大学微电子学与固体电子学博士学位，2007.3-2008.12在法国国家科学研究中心（CNRS）从事博士后研究。近五年，发表SCI收录的学术论文28篇（其中，以第一作者和通讯作者发表了JCR二区及以上学术论文5篇）。完成国家自然科学基金，福建省自然科学基金和教育部留学回国人员科研启动基金。与中国科学院微电子研究所、上海交通大学及中国科学院宁波材料所建立合作关系，部分优秀研究生已外送联合培养。在微电子学与固体电子学、电路与系统、物理电子学、集成电路工程等专业指导研究生。科研项目(Research project) 1 2015J01249 等离子体修是及其在三维透明阻变存储中的应用研究 4 福建省科技厅 2015-2018 1 2 LXKQ201104 阻变纳米线合成与性能研究 4 教育部 2012-2014 1 3 61006003 强磁场辅助阻变纳米线合成与性能研究 20 国家自然科学基金委 2011-2013 1 4 2010J05134 阻变纳米线合成与性能研究 3 福建省科技厅 2011-2013 1 授权专利(Authorized patent) 1 一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法发明专利 2018-03-12 福州大学 1 2 一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器及其制备方法发明专利 2015-09-09 福州大学 1

研究领域

近些年，主要研究薄膜和纳米材料、阻变存储技术、适用于人工智能芯片的电子突触技术、针对特定应用的电路与系统。

近期论文

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1 Thermal stability and data retention of resistive random access memory with HfOx/ZnO double layers Chinese Physics B, 2017 Chinese Physics Society SCI 1 2 Ultralow Switching Current in HfOx/ZnO Bilayer with Tunable Switching Power Enabled by Plasma Treatment Applied Physics Letters, 2016 American Institute of Physics SCI 1 3 Resistive Switching of Plasma-Treated Zinc Oxide nanowires for Resistive Random Access Memory Nanomaterials, 2016 MDPI AG SCI 1 4 Carbon nanotube intramolecular p-i-n junction diodes with symmetric and asymmetric contacts Scientific reports, 2016 Nature SCI 其它 5 Plasma Enhanced Multistate Storage Capability of Single ZnO Nanowire Based Memory Applied Physics Letters, 2015 American Institute of Physics SCI 1 6 Temperature-Dependent Photoliminescence and Raman Investigation of Cu-Incorporated ZnO Nanorods Journal of Luminescence, 2015 Elsevier, Netherlands SCI 2 7 Polarized Raman scattering of single ZnO nanorod Journal of Applied Physics, 2014 American Institute of Physics SCI 2 8 Defects and Resistive Switching of Zinc Oxide Nanorods with Copper Addition Grown by Hydrothermal Method. Journal of Electronic Meterials, 2014 Springer, NY 10013 USA SCI 1 9 Effects of sulfurization temperature on phases and opto-electrical properties of Cu2ZnSnS4 films prepared by sol-gel deposition Thin Solid Films, 2014 Elsevier, Netherlands SCI 3 10 Organic Grafting on Si for Interfacial SiO2 Growth Inhibition During Chemical Vapor Deposition of HfO2 Chemistry of Materials, 2012 American Chemistry Society SCI 其它