个人简介

主要学习、工作、出国经历 2018-05 – 现在: 合肥睿科微电子有限公司，合肥 2012 – 2018: Rambus Inc，美国Sunnyvale 2010 – 2012: Globalfoundries ，美国Sunnyvale 2010 – 2010: IMEC 欧洲微电子中心，比利时Leuven 2005 – 2010: University of Florida，美国Gainesville

研究领域

面向下一代存储，存内计算以及边缘计算，基于新型存储器的器件，电路以及系统的研究。

代 表 性 成 果 简 介 领导了16Mbit RRAM芯片从工艺集成，器件设计，电路设计，芯片架构到流片成功，实现了高良率和高可靠性的RRAM独立芯片。基于实现的RRAM芯片，创立了合肥睿科微电子有限公司。在先进CMOS逻辑和存储器件设计有丰富的经验，基于先进节点的FDSOI平台，打破了B Boltzeman极限，实现了最低的晶体管亚阈区斜率，同时集成了无电容DRAM存储器，完成了SoC芯片平台的集成。 应用、鉴定成果、专利（专利号）类型、等级本人排名公开时间Rram process integration scheme and cell structure with reduced masking operatioPCT1/22019-09Techniques for initializing resistive memory devicesPCT1/22019-12Methods for operating a semiconductor devicePCT1/42013-12

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