黄风义 - 东南大学 - 信息科学与工程学院

个人简介

黄风义职称：教授办公室：四牌楼李文正楼北407室学习经历： 1982年-1986年北京大学物理系，学士学位 1986年-1988年复旦大学物理系，半导体物理专业，硕士学位 1991年-1994年美国依利诺斯大学香槟分校（简称UIUC），获工程博士学位工作经历: 1994年-1997年加州大学洛杉矶分校（UCLA），电子工程系，博士后 1997年-2001年任IBM 公司的高级工程师，在IBM 高等半导体工艺中心（纽约）的硅生产线上负责锗硅BiCMOS技术的工艺集成。作为SiGe项目组主要高级工程师之一，为IBM公司在锗硅技术开发方面做了重大贡献,获“IBM 微电子部总经理的杰出贡献奖”。拥有锗硅BiCMOS及SOI BiCMOS领域9项美国专利 2001.11-2002.10中国科学院半导体研究所，中国科学院“百人计划”特聘研究员，半导体研究所微电子中心兼职副主任 2003年–今教育部“**学者”特聘教授，博导，东南大学，信息科学与工程学院，移动通信国家重点实验室，射频和光电集成电路研究所，副所长教授课程：集成电路技术与发展综述-本科集成电路的器件工艺和模型-博士获奖情况： 2009年江苏省“科技进步三等奖”； 2007年江苏省“333高层次人才培养工程”中青年科学技术带头人； 2006年江苏省六大人才高峰行动计划资助人选 2005年教育部“**学者和创新团队发展计划”创新团队研究骨干 2003年教育部“**学者奖励计划”特聘教授 1999年IBM微电子部总经理杰出贡献奖 1989年英国“海外留学生研究奖” 1988年“李政道物理学奖” 科研项目：项目名称项目类别项目时间工作类别项目金额面向IMT-A等宽带无线通信系统的射频芯片、器件与模块研发国家科技重大专项 2009-2012 工程应用 852万元 TD-LTE-Advanced终端射频芯片工程样片研发国家科技重大专项 2012-2016 工程应用 249万元基于固态电子的太赫兹（THz）电脉冲辐射的研究与实现国家自然基金 2015-2018 应用基础研究 80万元基于特征函数法的纳米超高速晶体管毫米波建模研究国家自然基金 2018-2020 应用基础研究 63万元纳米CMOS工艺高速数模混合锁相环频率合成器非理想特性模型研究国家自然基金 2008-2010 应用基础研究 32万元宽带无线通信射频前端SOC芯片设计与实现科技部863计划 2009-2012 工程应用 417万元专利：专利号专利名称专利类型 201010022764.2 一种太赫兹成像系统的探测装置发明专利授权 201010022736.0 低电压静态分频器集成电路芯片发明专利授权 201010022735.6 新型全集成双频段低噪声放大器集成电路结构发明专利授权 201110000291.0 利用共面波导馈电的太赫兹螺旋天线发明专利授权 201410637767.5 器件等效电路模型参数提取方法及焊盘寄生参数提取方法发明专利授权 201410682700.3 一种TDD/FDD双模可重构的无线通信系统及通信方法发明专利授权 201410717802.4 一种基于固态电子的太赫兹电脉冲产生装置发明专利授权 201410768201.6 直流失调消除电路发明专利授权

研究领域

1、射频/微波集成电路设计 2、射频模型研究

近期论文

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[1]* F. Y. Huang, et al. , “An improved small-signal equivalent circuit for GaN high electron mobility transistors,” IEEE Electron Device Letters.2016, Volume: 37, Pages: 1399 - 1402. [2]*）F.Y. Huang, et al., and Yangyuan Wang, “Frequecy-independent asymmetric double-π equivalent circuit for silicon on-chip spiral inductors, physics-based modeling and parameter extraction,” IEEE Journel of Solid-State Circuit, vol. 41, No.10, pp.2272-2283, Oct. 2006. [3]*）F. Y. Huang, J.X. Lu, Y.F. Zhu, N. Jiang, X.C. Wang, and Y.S. Chi, “Effect of substrate parasitic effect on silicon-based transmission lines and on-chip inductors,” IEEE Electron Dev Lett, vol.28, No.11, pp.1025-1028 Nov.2007. [4] J.X. Lu, Fengyi Huang, and Y.S. Chi, “An Analytical Approach to Parameter Extraction for On-Chip Spiral Inductors With Double-pi Equivalent Circuit,” IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), San Francisco, USA, pp. 221-224, Jun. 2006. [5]F.Y. Huang, Jingxue Lu, and Nan Jiang, “Scalable Distributed-capacitance Model for Silicon on-chip Spiral Inductors”, Microwave and Optical Technology Letters, Vol. 48, NO.7, pp.1423-1427,July 2006. [6]F. Y. Huang, J.X. Lu, D.M. Jiang, and N. Jiang , “A Novel Analytical Approach to Parameter Extraction for on-chip Spiral Inductors Taking into account High-order Parasitic Effect,” Solid-State Electronics, 50, pp.1557-1562, 2006. [7]F. Y. Huang, N. Jiang, and E.L. Bian, “Characteristic-function approach to parameter extraction for asymmetric equivalent circuit of on-chip spiral inductors,” IEEE Trans. MTT, vol. 54, pp.115-119, Jan. 2006.