郭杭闻 - 复旦大学 - 微纳电子器件与量子计算机研究院

个人简介

郭杭闻，男，生于1985年，2007年本科毕业于复旦大学物理系，2013年在田纳西大学诺克斯维尔分校物理系获得理学博士学位，2013至2016年在路易斯安那州立大学任博士后，2016至2018年任该校研究助理教授，2018年加入复旦大学微纳电子器件与量子计算机研究院，任青年研究员。长期从事复杂氧化物薄膜和异质结的制备、多场量子调控和原型器件的研究，曾设计并发现界面诱导的磁性极化金属、多铁等新奇量子态；构筑低电流密度和功耗的多比特存算一体微纳器件等。在Nature Communications，PRL, PNAS等学术期刊上共发表论文30余篇，总引用540余次，2019年入选上海市海外高层次人才引进计划。

研究领域

郭杭闻博士主要研究方向为氧化物薄膜，界面量子效应及调控；研发新型多铁材料；存算一体和神经网络器件等等。迄今发表 SCI 论文 20余篇，包括多篇PRL, PNAS, Nano Letters和Nature Communications, 累计 SCI 引用超过 300余次。

近期论文

查看导师新发文章（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）

Hangwen Guoet al., Interface-induced multiferroism by design in complex oxide superlattices, Proceedings of National Academy of Sciences of the United States of America (PNAS), 114, E5062-E5069 (2017). Zhen Wang, Hangwen Guo*et al., “Designing antiphase boundaries by atomic control of heterointerfaces”, Proceedings of National Academy of Sciences of the United States of America (PNAS) 115, 9485-9490 (2018) Hangwen Guo et al. “Strain Doping: Reversible single-axis control of a complex oxide lattice via helium implantation”, Physical Review Letters 114, 256801(2015) Hangwen Guo & Jiandi Zhang, “Scanning probe microscopy of epitaxial oxide films”, Chapter 11, Epitaxial growth of complex metal oxides, Woodhead Publishing Limited, (2015) Hangwen Guo et al., “Electrophoretic-like gating used to control metal-insulator transitions in electronically phase separated manganite wires”, Nano Letters 13, 3749-3754 (2013)