彭英姿 - 杭州电子科技大学

个人简介

彭英姿, 女，1966年9月出生，祖籍四川。1988年毕业于华中科技大学取得学士学位，并于3年后取得硕士学位。2002年在新加坡数据储存研究所（DSI， Data Storage Institute）做RS，并受其资助于新加坡国立大学(NUS, National University of Singapore)电子计算机系（Electrical and Computer Engineering Department）攻读博士学位。2005.09至今在杭州电子科技大学工作。主要从事光电子材料的研究工作，包括激光加工以及半导体薄膜材料的制备、光学、电学和磁学性能的相关研究工作。近年来，在国际主流学术期刊Appl. Surf.Sci., Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., Appl. Phys. A，J. Mag. Mag. Mater., 等上以第一作者或通讯作者发表SCI学术论文多篇，国家发明专利授权一个。近三年来主持浙江省自然科学基金1项，参加国家自然科学基金2项，获发明专利1项。作为研究生导师，指导的研究生在校期间参加或直接完成SCI论文多篇。2008年获浙江省高等学校科研成果奖2等奖。代表性科研项目 1、浙江省自然科学基金，LY16F04000，二维类石墨烯 MoS2的谷霍尔性能及谷霍尔传感器的研究, 主持, 2016.1-2018.12，9 。 2、国家自然科学基金青年基金，51401069、线性自旋轨道耦合和二维导体系统中由各种自旋轨道耦合效应引起的自旋矩的研究，参加, 2015/01-2017/12，25万。 3、国家自然科学基金青年基金，11204058、拓扑绝缘体表面态有限尺寸效应研究、参加, 2013/01 - 2015/12、25万。知识产权申请发明专利1余项，授权1项。主要荣誉浙江省高等学校科研成果奖 2等奖

研究领域

半导体材料与器件（二维材料制备，光电性能，谷霍尔元器件，稀磁半导体）

近期论文

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(1) QiyeZheng, YingziPeng*, Xiaohu Wu, Yuan Li, Yu Zhouand Ji Chen, Tuning the Electronic structures tuning of atomic layer MoS2 on different substrates using scanning tunneling microscopy/spectroscopy,Journal of Electronic Materials，48(6): 3777-3783, 2019. (2) YingziPeng*, Ji Chen, Yang Song, Yuan Li, Characterization of photo-induced anomalous Hall effect in the two-dimensional MoS2, Applied Surface Science, 366: 310-316，2016. (3)YingZiPeng*, DeXuanHuo, HaiPing He, Yuan Li, LingWei Li, HuaWen Wang, ZhengHongQian, Characterization of ZnO:Conano particles prepared by hydrothermal method for room temperature magnetism, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 324: 690 – 694,2012. (4)YingZiPeng*, Thomas Liew, Tow Chong Chong, ChengWu An and WenDong Song, Anomalous Hall effect and origin of magnetism in Zn1-xCoxO thin films at low Co content, Appl. Phys. Lett., 88: 192110/1-3, 2006.