个人简介

硕士生导师,杭州电子科技大学第六层次人才引进。2009年于江苏大学材料科学与工程学院毕业并获得学士学位，2015年于华南理工大学毕业并获得材料学博士，2014-2015年在加拿大麦吉尔大学从事一维氮化物纳米结构的制备及器件性能研究，2016-2017年于华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室从事博士后研究工作。2018年起在杭州电子科技大学工作。在一维氮化物、二维半导体材料的制备与光谱分析方面有将近十年的工作积累。目前主持浙江省自然科学基金项目（1项）。迄今为止在国内外学术期刊ACS Applied Interface Materials，Carbon, JMCC，JPCC等杂志上发表SCI论文30余篇，获授权发明专利1项。目前担任CrystEngComm, Journal of Alloys and Compounds等杂志的审稿人。 代表性科研项目 1. 主持浙江省自然科学基金面上项目，Y19E020040，超薄二维过渡金属硫化物异质结构的设计、合成及其发光性能研究， 2019.1-2021.12， 10万元，在研。 2. 主持杭州电子科技大学科研启动费，KYS205618040， 二维过渡金属硫化物异质结构的设计制备、性能调控及其应用研究， 2018/05-2020/5， 8万元，在研。 3. 主持佛山科学技术学院开放基金项目“多层二维过渡金属硫化物异质结构的可控合成与光探测器件研制”（2020-2021年，2万元）， 知识产权 1. 一种AlxGa1-xN纳米线阵列及其制备方法与应用, 201410810686.0,2016。

研究领域

材料科学与工程（化学气相沉积，低维半导体光电功能材料）

主要从事一维氮化物纳米材料和二维过渡金属硫化物等低维材料的制备、生长机理及其光、电学性能研究

近期论文

查看导师新发文章 （温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）

1.F. Chen, L. Wang, X.H. Ji, Q.Y. Zhang, Temperature-dependent two-dimensional transition metal dichalcogenide heterostructures: controlled synthesis and their properties, ACS Applied Materials & Interfaces, 2017; 9: 30821; 2.F. Chen, X.H. Ji, Q.Y. Zhang, Radial AlN nanotips on carbon fibers as flexible electron emitters, Carbon, 2015; 81: 124; 3. F. Chen, T. Wang, L. Wang, X.H. Ji, Q.Y. Zhang, Improved light emission of MoS2 monolayer by constructing AlN/MoS2 core-shell nanowires, Journal of Materials Chemistry C, 2017; 5: 10225; 4.F. Chen, L. Wang, X.H. Ji, The Evolution of Two-Dimensional Mo1-xWxS2 Alloy-based Vertical Heterostructures with Various Composition Ranges via Manipulating the Mo/W Precursors, Journal of Physical Chemistry C, 2018; 122: 28337; 5. F. Chen, Y.L. Wang, W.T. Su, S. Ding, L. Fu, Position-Selective Growth of 2D WS2‑Based Vertical Heterostructures via a One-Step CVD Approach, Journal of Physical Chemistry C, 2019; 123: 30519;

学术兼职

长期担任包括Journal of Alloys and Compounds, CrystEngComm, Materials Chemistry and Physics等杂志的审稿人