张晓东 - 东华大学

个人简介

个人简介中国科院上海技术物理研究所获 “ 微电子学与固体电子学 ” 理学博士学位，师从褚君浩院士。博士毕业后分别赴韩国、葡萄牙从事博士后研究工作。于2013年5月入职东华大学理学院。在APL、JAP等国际著名权威期刊上发表SCI收录国际学术刊物论文20篇。获得发明专利2项，在申请国家发明专利2项。讲授课程大学物理A，大学物理B，大学物理实验荣誉及获奖情况 2001年度小岛康誉一等奖学金。 2005年度“上海-应用材料研究与发展基金”奖学金 2005年度“中科院上海技术物理研究所”二等奖学金。 2005年度“中科院上海技术物理研究所”三好学生。 2005-2006年度中科院“三好学生本人参与的“128×128元铁电薄膜红外焦平面列阵研究”项目获得2006年上海市自然科学一等奖。（http://www.cas.cn/ky/kyjz/200708/t20070814_1027055.shtml）近几年担任的科研项目参与国家基金委，科技部多项项目（包括重大项目）。参与863,973多项项目。参与韩国科技部，及三星，LG, 海力士等大公司多项项目。参与葡萄牙科技部纳米科技多项项目。主持葡萄牙科技部项目FCT(SFRH/BPD/66959/2009)。东华大学“青年教师科研启动基金项目”。目前参与名为：“II/VI族半导体纳米线异质结构的生长机理、载流子分布与输运特性的研究”（F040506）的国家自然科学基金面上项目,201401-201712。研究成果在导师褚君浩院士的指导下，成功地在400摄氏度温度以下制备出具有优良铁电性能的PZT薄膜以及优良导电性能的镍酸镧导电氧化物薄膜，在国际上首次实现了PZT在硅基读出电路允许温度下的晶化生长。在“128×128元铁电薄膜红外焦平面列阵研究”等重大项目的研究工作，取得了重大成果。并获得了两项专利。http://www.cas.cn/ky/kyjz/200708/t20070814_1027055.shtml 揭示了Bi(Zn1/2Ti1/2)O3-(1-x)PT (BZT-PT)随温度在微结构上的变化特性，并指出了这种反常性是由于钙钛矿结构中A，B位阳离子的随机性造成的。对欧洲四家世界署名大学和研究机构联合发表在APL上有关BFO/CFO/STO纳米结构的外延薄膜中的应力状态发表了评论。在评论文章中指出了对方的错误观点和结论。同时提出了自己的观点和模型。在CFO/PZT/LNO多层膜的研究中，发现了外延薄膜中的“奇异”应力，提出了新的应力机制。同时，指出传统的应力机制只是新机制中的一种特例。发现在CFO/PZT/LNO多层膜中，极化疲劳特性得到大大的改善。所获专利 1 褚君浩 2 张晓东 3 孟祥建 4 孙璟兰 5林铁。低电阻率金属氧化物镍酸镧的制备方法。 No. 200510029084. 2 1 褚君浩 2 张晓东 3 孟祥建 4 孙璟兰 5林铁。可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法。 No.200510029985. 1 申请专利张晓东褚君浩邢怀中提高以导电氧化物为底电极的铁电薄膜抗疲劳特性的方法 CN103680940 A 张晓东褚君浩邢怀中一种对较厚铁电薄膜实施应力工程用于材料改性的方法 CN103469156A 国际交流与合作 2006 - 2010 分别在韩国釜山国立大学，庆北国立大学，西江大学从事博士后研究工作。 2010 - 2012 在葡萄牙阿威罗大学玻璃与陶瓷研发中心(CICECO)从事博士后研究工作。

研究领域

研究方向铁电薄膜的制备及性能优化；多铁性薄膜的制备及性能研究；薄膜的应力工程及应用；非致冷红外探测器单片集成的研制；铁电材料的光伏效应；铁电薄膜的界面及畴工程。

近期论文

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近年主要发表论文发表SCI论文20篇，其中第一作者为15篇。 X .D .Zhang , X.J. Meng , J.L. Sun , T. Lin, and J.H. Chu. Low-temperature preparation of highly (100)-oriented Pb(ZrxTi1–x)O3 thin film by high oxygen-pressure processing, Appl. Phys. Lett. 86, 252902 (2005). X. D. Zhang , D. Y. Kwon , and Bog. G. Kim Structural evolution of anomalous high Tc ferroelectric (x)Bi(Zn,Ti)O3-(1-x)PbTiO3 solid solutions, Appl. Phys. Lett. 92, 082906 (2008). X. D. Zhang , Sungmin Park , Gwangseo Park, Comment on “On the strain coupling across vertical interfaces of switchable BiFeO3–CoFe2O4 multiferroic nanostructures ” [APPL PHYS LETT 95, 062907 (2009)],Appl. Phys. Lett. 96,076101 (2010). X. D. Zhang , Joonghoe Dho, Sungmin Park, Gwangseo Park，D. Y. Kwon, Bog. G. Kim, D. Karpinsky, and A. L. Kholkin, Comparison of structural and electric properties of PbZr0.2Ti0.8O3 and CoFe2O4/PbZr0.2Ti0.8O3 films on (100)LaAlO3. J. Appl. Phys. 110, 064115 (2011). X. D. Zhang , X.J. Meng , J.L. Sun , T. Lin, and J.H. Chu,Investigation of room temperature electrical resistivities of LaNiO3-δ thin films by rf magnetron sputtering and high oxygen-pressure processing, J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 24, No. 4, 914 ( 2006 ). X. D. Zhang , X.J. Meng , J. L. Sun , T. Lin , J. H. Ma , J. H. Chu, Ning Wang, and Joonghoe Dho, The alternative route of Low-temperature preparation of highly oriented lead zirconate titanate thin films by high gas-pressure processing. J. Mater. Res. 23, 2846 (2008)..

学术兼职

社会任职 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, Materials Science and Engineering B等学术期刊审稿人。