霍永隽 - 北京理工大学

个人简介

2020年5月加入北京理工大学电子封装技术专业方向任教，现任预聘副教授，博士生导师，担任微纳材料异质集成校级实验平台负责人。教育经历 2008.09 – 2012.07 北京理工大学材料科学与工程学院，大学本科 2012.09 – 2014.03 加利福尼亚大学尔湾分校（UC Irvine），硕士研究生 2014.03 – 2017.06 加利福尼亚大学尔湾分校（UC Irvine），博士研究生工作经历 2017.06 – 2020.05 加利福尼亚大学尔湾分校（UC Irvine），博士后研究员 2020.05 – 至今北京理工大学材料科学与工程学院，预聘副教授/特别研究员霍博士长期致力于碳化硅新型功率电子器件、VECSEL高功率激光芯片工艺制造及封装技术研究工作，在低温无损异质集成技术领域具有较高学术造诣，所发明的超薄银铟瞬态液相技术是最新一代碳化硅新型功率电子器件与VECSEL高功率激光芯片制造封装关键性技术。曾研究并发现银基合金所存在的固溶软化与孪晶塑性变形机制，综合密度泛函理论（DFT）与Lewis强弱酸碱理论（HSAB）, 发现并解释了银铟合金所具备的优异抗硫化特性。近5年在高水平SCI期刊上发表学术论文10篇，其中以第一或通讯作者身份发表的论文包括Scripta Materialia, Optics Letter, Materials Science and Engineering: A等顶级期刊，授权PCT国际发明专利1项，担任Optics Express, Applied Optics, IEEE Transaction of CMPT等著名国际期刊审稿人。

研究领域

高功率光电子器件封装异质材料集成工艺低温瞬态液相微纳互连高分辨透射电镜材料表征

近期论文

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Roozbeh Sheikhi; Yongjun Huo*; Frank G. Shi; Chin C. Lee; Low Temperature VECSEL-to-Diamond Heterogeneous Integration with Ag-In Spinodal Nanostructured Layer, Scripta Materialia, 2020, 194(113628): 1-4. Yongjun Huo*; Chun Yu Cho; Kai Feng Huang; Yung Fu Chen; Chin C. Lee; Exploring the DBR superlattice effect on the thermal performance of a VECSEL with the finite element method, Optics Letter, 2019, 44(2): 327-330. Yongjun Huo*; Jiaqi Wu; Chin C. Lee; Solid solution softening and enhanced ductility in concentrated FCC silver solid solution alloys, Materials Science & Engineering A, 2018, 729: 208-218. Yongjun Huo*; Jiaqi Wu; Chin C. Lee; Study of Anti-Tarnishing Mechanism in Ag-In Binary System by Using Semi-Quantum-Mechanical Approach, Journal of The Electrochemical Society, 2017, 164(7): C418-C427. Yongjun Huo*; Chin C. Lee; The growth and stress vs. strain characterization of the silver solid solution phase with indium, Journal of Alloys and Compounds， 2015, 661: 372-379.