个人简介
张杰，女，博士，讲师。现为常熟理工学院物理与电子工程学院教师。从2016年～至今，一直在高校从事基础教学工作，主要讲授电工学等课程。
主要科研方向是低维功能材料制备及器件加工，发表论文多篇，其中4篇被国际权威检索系统SCI收录。
主要承担的教学课程
电工学 主要科研项目
1. 参与科技部国际合作项目：相变存储芯片关键技术的合作研发S2011ZR0241
2. 参与苏州市应用基础研究计划：Ge-Sb-Te相变材料的制备及其性能研究SYG201312 发明专利
1. 程国胜，张杰，孔涛，黄荣，卫芬芬，纳米结构碲单晶的制备方法：中国，201310547345.4[P].
2. 程国胜，张杰，孔涛，黄荣，卫芬芬，相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元：中国，201410075734.6[P].
3. 孔涛，黄荣，张杰，卫芬芬，程国胜，一种相变存储单元及其制备方法：中国，201410057134.7[P].
授权实用新型专利
1. 孔涛，张杰，黄荣，卫芬芬，程国胜，一种相变存储器加热电极及相变存储器：中国，ZL201420162810.2[P].
2. 孔涛，黄荣，张杰，卫芬芬，程国胜，一种相变存储单元：中国，ZL201420072764.7[P].
3. 孔涛，黄荣，张杰，卫芬芬，程国胜，相变存储器存储单元结构：中国，ZL201420161782.2[P].
近期论文
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1. Zhang J, Liu HB, Huang R, Kong T, Cheng GS.Controllable growth of InN nanostructures[J]. Journal of Nanoengineering and Nanomanufacturing, 2012, 2(2): 112-122.
2. Zhang J, Huang R, Shi L, Wang L, Wei FF, Kong T, Cheng GS. Bi doping modulating structure and phase-change properties of GeTe nanowires[J]. Applied Physics Letters, 2013, 102(6): 63104.
3. Zhang J, Kong T, Huang R, Wei FF, Cheng GS. Bismuth doping strategies in GeTe nanowires to promote high-temperature phase transition from rhombohedral to face-centered cubic structure[J]. Applied Physics Letters, 2014, 102(20): 202103.
4. Huang R,Zhang J, Wei FF, Shi L, Kong T, Cheng GS. Ultrahigh Responsivity of Ternary Sb-Bi-Se Nanowire Photodetectors[J].Advanced Functional Materials, 2014，24: 3581-3586.
5. Huang R,Zhang J, Wei FF, Kong T, Cheng GS. Optimized responsivity of size-tailored SbBiSe3nanowire photodetectors[J].Advanced Materials Research, 2014, 893: 182-185.
6. Wei FF, Wang L, Kong T, Shi L, Huang R,Zhang J, Cheng GS. Amorphous thermal stability of Al-doped Sb2Te3films for phase-change memory application[J]. Applied Physics Letters, 2013, 103(18): 181908.
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