个人简介
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
光电器件辐射效应
教育背景
2011-09--2015-07 中国科学院大学 工学博士
2005-09--2008-06 新疆大学 理学硕士
2001-09--2005-07 新疆大学 理学学士
工作简历
2014-10~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2008-07~2014-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员
教授课程
半导体器件辐射效应表征方法
奖励信息
（1） 新疆维吾尔自治区科学技术进步奖, 一等奖, 省级, 2016
（2） 新疆维吾尔自治区科学技术进步奖, 一等奖, 省级, 2015
专利成果
（ 1 ） 一种基于热像素的电荷耦合 器件电荷转移效率在轨测试方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710507516.9
（ 2 ） 用于焦平面成像器 件绝对光谱响应的通用快速测量方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710130429.6
（ 3 ） 一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710507786.X
（ 4 ） 快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201710200747.5
（ 5 ） 用于元器件电离辐照的X射线辐照方法, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: 201610516217.7
（ 6 ） 用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201610516216.2
（ 7 ） 一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201710507965.3
科研项目
（ 1 ） 质子辐照导致CCD热像素产生的机理及抑制方法研究, 主持, 部委级, 2016-01--2020-12
（ 2 ） 空间辐射环境高能粒子与卫星元器件相互作用机理研究, 主持, 部委级, 2016-01--2018-12
（ 3 ） CMOS图像传感器单粒子效应, 参与, 国家级, 2017-01--2018-12
（ 4 ） 新型元器件位移损伤试验评估及验证, 参与, 国家级, 2016-01--2020-12
（ 5 ） CCD与集成电路电离辐射效应研究, 主持, 研究所（学校）, 2017-01--2018-12
参与会议
（1）Proton induced Displacement damage effects and mechanism on CCD 2017-07-16
（2）Dark signal degradation mechanism of CCD exposed to 3MeV and 10MeV proton 2015 ICREED电子元器件辐射效应国际会议 2015-10-19
（3）质子辐射导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析 2014 NED核电子学与探测技术会议 2014-08-15
近期论文
查看导师新发文章
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（1） Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials, Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 第 3 作者
（2） γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制, 发光学报, 2018, 第 1 作者
（3） 基于热像素的CCD电荷转移效率在轨测试方法, 现代应用物理, 2017, 第 2 作者
（4） CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究, 现代应用物理, 2017, 第 2 作者
（5） 基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法, 现代应用物理, 2017, 第 1 作者
（6） Degradation mechanism of dark signal of CCD exposed to 3MeV and 10MeV proton, Young Scientists Forum 2017, 2017, 第 1 作者
（7） 电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究, 发光学报, 2016, 第 2 作者
（8） 质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析, Analysis of ionizing and department damage mechanism in scientific CCD injiected by proton, 物理学报, 2015, 第 1 作者
（9） 质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析, Effects of proton and neutron irradiation on dark signal of charge-coupled device, 物理学报, 2015, 通讯作者
（10） 质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响, 红外与激光工程, 2015, 第 2 作者
（11） 深亚微米N沟 道MOS晶体管的总剂量效应, 微电子学, 2015, 第 1 作者
（12） 电子辐照深 亚微米MOS晶体管的总剂量效应, 微电子学, 2015, 第 1 作者
京公网安备 11010802027423号