赵静 - 北京理工大学

个人简介

教育背景 2010.09-2016.06 中国科学院物理研究所凝聚态物理学理学博士工作经历 2016.07-2018.12 中国科学院北京纳米能源与系统研究所助理研究员 2019.01至今北京理工大学机电学院副教授

研究领域

二维材料柔性电子学器件

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J. Zhao, Z. Wei, Q. Zhang, H. Yu, S. Wang, X. Yang, S. Qin, G. Zhang, Q. Sun and Z. L. Wang, Static and Dynamic Piezopotential Modulation in Piezo-Electret Gated MoS2 Field-E?ect Transistor. ACS Nano 2018, DOI:10.1021/acsnano.8b07477.（SCI，影响因子：13.7，top，一区） J. Zhao, N. Li, H. Yu, Z. Wei, M. Z. Liao, P. Chen, S. P. Wang, D. X. Shi, Q. J. Sun, G. Y. Zhang, Highly Sensitive MoS2 Humidity Sensors Array for Non-contact Sensation. Adv. Mater. 2017, 29, 1702076. （SCI，影响因子：25.8，top，一区） J. Zhao, W. Chen, J. L. Meng, H. Yu, M. Z. Liao, J. Q. Zhu, Z. Wei, R.Yang, D. X. Shi, G. Y. Zhang, Integrated Flexible and High-quality Thin Film Transistors Based on MoS2. Adv. Electr. Mater. 2015, 150039. （SCI，影响因子：5.49，一区） J. Zhao, H. Yu, W. Chen, R. Yang, J. Q. Zhu, J. L. Meng, D. X. Shi, G. Y. Zhang, Patterned Peeling 2D MoS2 off the Substrate. .ACS Appl. Mat. & Interfaces 2016, 8, 16546. （SCI，影响因子：8.46，top，一区） W. Chen*, J. Zhao*, J. Zhang*, L. Gu, Z. Z. Yang, H. Yu, X. T. Zhu, R. Yang, D. X. Shi, X. C. Lin, J. D. Guo, G. Y. Zhang, Oxygen-Assisted Chemical Vapor Deposition Growth of Large Single-Crystal and High-Quality Monolayer MoS2. J. Am. Chem. Soc. 2015, 137, 15632. *= equal contribution.（SCI，影响因子：14.36，top，一区） J. Zhao, G. L. Wang, R. Yang, X. B. Lu, M. Cheng, C. L. He, J. L. Meng, D. X. Shi, G. Y. Zhang, Tunable Piezoresistivity of nanographene films for strain sensoring. ACS Nano, 2015, 9, 1622.（SCI，影响因子：13.7，top，一区） J. Zhao, G. Y. Zhang, D. X. Shi, Review on graphene-based strain sensors. Chin. Phys. B., 2013, 22, 057701. (SCI) J. Zhao, C. L. He, R. Yang, Z. W. Shi, M. Cheng, W. Yang, G. B. Xie, D. M. Wang, D. X. Shi, G. Y. Zhang, Ultra-sensitive strain sensors based on piezoresistive nanographene films. Appl. Phys. Lett., 2012, 101, 063112. （SCI，影响因子：3.58，top，一区）