余学峰 - 中国科学院大学 - 电子电气与通信工程学院

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 080901-物理电子学招生方向微电子器件辐射物理微电子器件可靠性物理与技术辐射效应教育背景 1982-09--1986-07 兰州大学学士工作简历 2008-10~现在, 中科院新疆理化技术研究所, 研究员 1997-07~2008-09,中科院新疆理化技术研究所, 副研究员 1992-07~1997-07,中科院新疆物理研究所, 助理研究员 1986-07~1992-07,中科院新疆物理研究所, 研究实习员奖励信息（1）星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究,, 一等奖, 省级, 2016 （2） ,星用器件电子束辐照效应模拟试验平台及其应用, 一等奖, 省级, 2015 （3） MOS结构热载流子注入与总剂量辐照响应的相关性, 三等奖, 省级, 2007 （4） 12、不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性, 一等奖, 省级, 2005 （5）中华人民共和国国务院政府特殊津贴, , 国家级, 2000 （6）中国科学院优秀青年奖, , 院级, 1999 （7）抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究, 二等奖, 省级, 1998 （8）中国青年科技奖, , 国家级, 1998 （9）抗辐射加固技术-元器件新结构新工艺研究, 一等奖, 部委级, 1992 科研项目（ 1 ）新型宇航器件总剂量辐射试验方法和评估技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-12 （ 2 ）半导体器件不同剂量率辐照试验, 主持, 国家级, 2010-01--2016-12 （ 3 ）新型器件试验方法和评估技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-12 （ 4 ） SOI器件稳态试验方法研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12 （ 5 ）微纳器件在空间不同损伤效应联合作用下的可靠性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12 （ 6 ）空间辐射效应模拟试验与评估, 主持, 部委级, 2015-12--2022-12 （ 7 ）电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子效应影响机制, 参与, 国家级, 2015-09--2019-12 （ 8 ）面向器件研制过程的总剂量辐射效应评估技术, 参与, 部委级, 2016-08--2018-06 （ 9 ）电离总剂量对纳米SRAM 器件单粒子效应的影响机制, 参与, 国家级, 2016-01--2019-12

研究领域

半导体辐射物理电子器件辐射效应及损伤机理电子元器件辐射环境中的可靠性及保证技术

近期论文

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（1） A Study on Hot Carrier Reliability of Radiation Hardened H-gate PD SOI NMOSFET after Gamma Radiation, International Journal of Materials, Mechanics and Manufacturing, 2019, 通讯作者（2） Hot Carrier Reliability of Radiation Hardened Tgate PD SOI NMOSFET after TID Radiation, SPIE Proceedings Publications, 2019, 通讯作者（3）总剂量辐射对 65 nmNMOSFET 热载流子敏感参数的影响, 微电子学, 2018, 通讯作者（4） Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices, Microelectronics Reliability, 2018, 通讯作者（5） Y 射线辐照对 130 nm 部分耗尽 SOl MOS 器件栅氧经时击穿可靠性的影响, 红外与激光工程, 2018, 通讯作者（6） Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin, Chinese Physics B, 2017, 第 7 作者（7）辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真, 现代应用物理, 2017, 第 7 作者（8）纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法, 固体电子学研究与进展, 2017, 第 8 作者（9）质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响, 现代应用物理, 2017, 通讯作者（10） An Increase in TDDB Lifetime of Partially Depleted SOI Devices Induced by Proton Irradiation, Chinese Physics letters, 2017, 通讯作者（11）总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应, 物理学报 2016年09期, 2016, 通讯作者（12） Total dose responses and reliability issues of 65 nm NMOSFETs, Journal of semiconductors, 2016, 通讯作者（13）电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究, 物理学报 2015年08期, 2015, 通讯作者（14） Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradiation, Chinese Physics B 2015年10期, 2015, 通讯作者（15） 3. Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation, Chinese Physics B 2014年10期, 2014, 通讯作者（16） 4. Enhanced Total Ionizing Dose Hardness of Deep Sub-Micron Partially Depleted Silicon -on- Insulator n-Type Metal- Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors, CHIN.PHYS.LETT 2014年11期, 2014, 通讯作者（17） 7. Hot-carrier effects on irradiated deep submicron NMOSFET., Journal of Semiconductors 2014年07期, 2014, 通讯作者（18）静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法, 物理学报 2014年08期, 2014, 通讯作者（19）半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响, 发光学报 2014年04期, 2014, 通讯作者（20）总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究, 物理学报, 2013, 通讯作者（21）不同规模SRAM辐射损伤效应的研究, 微电子学, 2013, 通讯作者（22） Degradation of the front and back channels in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET under off-state stress, Journal of Semiconductors,, 2013, 通讯作者（23） 1. Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs, Journal of Semiconductors, 2012, 通讯作者（24） 2. 沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响, 物理学报, 2012, 通讯作者（25）静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究, 物理学报, 2011, 通讯作者（26） PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型研究, 物理学报, 2011, 通讯作者（27）星载DC- DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究, 原子能科学与技术, 2011, 通讯作者（28） Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET, Journal of Semiconductors, 2011, 通讯作者（29） Relationship between silicon-on-insulator kink and radiation effects, International Journal of Modern Physics E, 2011, 通讯作者（30） Research on the Total-dos e Irradiation Effects and Annealing Behavior for Domestic VDMOS Device, Journal of Semiconductors, 2010, 第 2 作者（31） Altera SRAM 型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应, 强激光与粒子束, 2010, 第 2 作者（32）国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应效应, 原子能科学技术, 2010, 第 2 作者（33）国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性, 原子能科学技术, 2010, 第 2 作者（34） Altera SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究, 原子能科学与技术, 2009, 第 2 作者