研究领域
物理学
半导体器件和集成电路总剂量辐射效应机理、模拟试验方法、空间辐射环境在轨测量技术等研究。
1. 新型半导体器件和集成电路总剂量辐射效应机理研究
研究光电器件、大规模集成电路等的总剂量辐射效应规律和辐射损伤物理机制,为新型器件和集成电路的空间辐射效应模拟试验和抗辐射加固技术提供理论依据和支撑。
2. 新型电子元器件总剂量辐射效应模拟试验方法
光电成像器件、大规模集成电路辐射效应测试技术研究、损伤失效模式、辐射损伤表征方法、模拟试验技术和评估方法研究。
3. 空间辐射环境在轨测量技术研究
利用半导体器件、材料和电离辐射效应研制开发适用于空间环境在轨测量的辐射剂量监测技术和设备。
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