任迪远 - 中国科学院新疆理化技术研究所 -

研究领域

管理工程类 1．数字电路、模拟电路及光电器件的总剂量辐射效应及损伤机理研究； 2．数字电路、模拟电路及光电器件的辐射损伤评估方法研究； 3．数字和模拟电路及器件的抗辐射加固技术研究；

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任迪远，陆妩，余学峰，郭旗，艾尔肯，“双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究”，固体电子学研究与进展，2006，26（4）：471。任迪远，陆妩，郭旗，余学锋等，“CMOS运算放大器的辐照和退火行为”半导体学报，2004，25（6）：731。任迪远，陆妩，余学锋，郭旗，张国强，“不同注F剂量与CMOS运放电路的辐照损伤的相关性”　半导体学报，2003，21（7）：780。任迪远，余学锋，艾尔肯，张国强，陆妩，郭旗，范隆，严荣良，“MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系”，固体电子学研究与进展，2001,21(1):103. 任迪远，陆妩，郭旗，余学锋，严荣良，“不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应”，半导体学报, 2000,21（9）：898。