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个人简介

王建峰博士,博士生导师,生于 1979 年 10 月,2001 年保送到武汉大学物理系攻读博士学位,2002 年到中科院半导体研究所联合培养,从事"Si基GaN材料生长及应力研究"。2006年毕业,获理学博士学位。在博士学位攻读期间,独立研制了原位应力测试系统,系统的研究了GaN材料在生长过程中的应力演变过程,在Appl. Phys. Lett.等杂志上发表论文数篇。2006年10月加入苏州纳米技术与纳米仿生研究所。

研究领域

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主要从事氮化镓晶片的研究及产业化开发工作。

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