邓尔雅 - 北京航空航天大学 - 集成电路科学与工程学院

个人简介

北京航空航天大学微电子学院博士后。2017年获得法国格勒诺布尔-阿尔卑斯大学博士学位。研究领域包括自旋电子学、超低功耗存储器及逻辑电路。迄今发表论文20余篇，其中3篇获得国际会议最佳论文，1篇获得2017年IEEE Transactions on Circuits and Systems Guillemin-Cauer最佳论文。参与撰写2本学术专著。教育经历 2013-2017 法国格勒诺布尔-阿尔卑斯大学 2011-2013 法国巴黎第十一大学 2007-2011 华中科技大学工作经历 2018-至今北京航空航天大学博士后 2017-2018 北京航空航天大学大数据科学与脑机智能高精尖创新中心研究员

研究领域

自旋电子学低功耗集成电路异步电路

近期论文

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E. Deng, G. Prenat, L. Anghel, W. Zhao, “Non-volatile magnetic decoder based on MTJs”, Electronics Letters, vol. 52, no. 21, pp. 1774-1776, Oct. 2016. E. Deng, G. Prenat, L. Anghel and W. Zhao, "Multi-context Non-volatile Content Addressable Memory Using Magnetic Tunnel Junctions," IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH’16), Beijing, July 2016, pp. 103-108. (NANOARCH 2016 年最佳论文) E. Deng et al., “High-frequency low-power magnetic full-adder based on magnetic tunnel junction with spin-Hall assistance,” IEEE Trans. Magn., vol. 51, no. 11, Nov. 2015. E. Deng et al., “Synchronous 8-bit Non-Volatile Full-Adder based on Spin Transfer Torque Magnetic Tunnel Junction,” IEEE Trans. Circuits Syst. I Regul. Pap., vol. 62, no. 7, pp. 1757-1765, July 2015. E. Deng et al., “Robust magnetic full-adder with voltage sensing 2T/2MTJ cell,” IEEE/ACM Int. Symp. Nanoscale Archit. (NANOARCH’15), Boston, MA, July 2015, pp. 27-32. E. Deng et al., “Design Optimization and Analysis of Multi-Context STT-MTJ/CMOS Logic Circuits,” IEEE Trans. Nanotechnol., vol. 14, no. 1, pp. 169–177, Jan. 2015. E. Deng et al., “Low power magnetic full-adder based on spin transfer torque MRAM,” IEEE Trans. Magn., vol. 49, no. 9, pp. 4982–4987, Sept. 2013.