个人简介
曾雄辉，研究员，博士生导师。2005年于中国科学院上海光学精密机械研究所获博士学位，同年获得“上海应用材料研究与发展”研究生奖学金。2005年至2007年在清华大学从事博士后研究，期间获得中国博士后科学基金资助。2007年6月起任职中科院苏州纳米所。曾先后主持国家重点研发计划（子课题任务），国家自然科学基金、中科院仪器设备功能开发、江苏省自然科学基金等多个项目。在Crystal Growth and Design, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics等国际刊物上发表SCI收录论文30余篇，申请专利10余项。2008年获得苏州市紧缺高层次人才资助，2010年获得苏州市2008-2009年度自然科学优秀论文一等奖。近年来培养了研究生10余名，毕业研究生去向包括中芯国际、西部数据等知名企业。
研究领域
1. 面向深紫外光电子器件的AlN单晶生长和物性研究。
2. 新型稀土掺杂氮化半导体材料的光电磁特性研究。
3. 氮化物半导体材料微结构的电子显微分析研究。
近期论文
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1.Xiaodan Wang , Yajuan Mo , Xionghui Zeng*, Jianfeng Wang, and Ke Xu*. Simultaneous emission of red, green, and blue in Pr, Er, and Tm co-implanted GaN thin films, Materials Chemistry and Physics, 2017, 199: 567-570.
2. X.D. Wang*, M.M. Yang, X.H. Zeng*,Y.J. Mo, J.C. Zhang, J.F. Wang, K. Xu*. Investigation of energy transfer mechanism in Er3+ and Tm3+ doped AlN crystalline films, Journal of Alloys and Compounds, 2017, 726: 209-213.
3. X J Su, M T Niu, X H Zeng, J Huang, J C Zhang, J P Zhang, J F Wang and K Xu, Identifying dislocations and stacking faults in GaN films by scanning transmission electron microscopy, Materials Research Express, 2016, 3: 086401.
4.Xiaodan Wang, Yajuan Mo, Xionghui Zeng*, Mingming Yang, Jianfeng Wang, Ke Xu. Cathodoluminescence properties of Pr, Tm co-implanted GaN thin films. Optical Materials Express, 2016, 6(5): 1692-1700.
5.Yajuan Mo, Xiaodan Wang*, Mingming Yang, Xionghui Zeng*, Jianfeng Wang, Ke Xu. Temperature-dependent Cathodoluminescence Investigation of Er-implanted GaN thin films. Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics, 2015, 253(3): 515-520.
6.Lin Gan, Fang-Fang Xu, Xiong-Hui Zeng, Zuo-Sheng Li, Zhi-Yong Mao, Ping Lu, Ying-Chun Zhu, Xue-Jian Liu, Lin-Lin Zhang. Multiple doping structures of the rare-earth atoms in β-SiAlON: Ce phosphors and their effects on luminescence properties. Nanoscale, 2015, 7(6): 11393—11400.
7.Lin Gan, Zhiyong Mao, Xionghui Zeng, Yuqiang Zhang, Yang Zhao, Fangfang Xu, Yingchun Zhu, Xuejian Liu. The origin of bimodal luminescence of beta-SiAlON: Eu2+ phosphors as revealed by fluorescence microscopy and cathodoluminescence analysis, Materials Research Bulletin, 2014, 51: 205-209.
8. Xionghui Zeng*, Baixiang Han, Xiaodan Wang, Jianping Shi, Yu Xu, Jicai Zhang, Jianfeng Wang, Jinping Zhang, Ke Xu. Comparison of morphology, structure, and optical properties of GaN powders prepared by Ga2O3 nitridation and gallium nitridation, Journal of Crystal Growth, 2013, 367, 48-52.
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