曾玉刚 - 中国科学院大学

个人简介

招生方向光电材料与器件，半导体光电子学教育背景 2002-08--2008-06 中国科学院半导体研究所工学博士 1998-08--2002-07 清华大学学士工作简历 2010-09--今中国科学院长春光学精密机械与物理研究所副研究员 2008-06--2010-08 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所助理研究员奖励信息（1）半导体激光合束技术及其应用，一等奖，省级，2010 专利成果（1）利用准分子激光退火制作SiGe 或Ge 量子点的方法，发明，2010，第2作者，专利号： ZL 200710121073.6 科研项目（1） 795nm 微型铷原子钟用的高温垂直腔面发射激光器材料生长与器件研制，主持，国家级，2012-01--2014-12 （2）适配体系异质探测材料的低缺陷生长研究，主持，国家级，2012-01--2013-12 （3）高质量III-V纳米异质结构MOCVD外延生长，参与，部委级，2011-01--2011-12 （4）垂直腔面发射大功率激光器的材料生长与器件研究，主持，市地级，2010-07--2012-12 （5） GaAs光阴极材料生长，主持，其他级，2010-05--2011-12 （6）大功率半导体激光器材料生长，参与，研究所（学校）级，2009-07--2013-12 合作情况与中科院半导体研究所、南京理工大学、重庆大学、上海技术物理研究所和上海微系统研究所等有着密切的研究合作和项目合作。项目协作单位与中科院半导体研究所、南京理工大学、重庆大学、上海技术物理研究所和上海微系统研究所等有着密切的研究合作和项目合作。

研究领域

主要从事金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD：Metal-organic Chemical Vapor Deposition）生长低维材料及其分析表征的研究。

近期论文

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（1） 980-nm high-power low-divergence VCSELs achieved by optimization of current density distribution，IEEE Journal of Quantum Electronics，2012，第3作者（2） 980-nm high-power low-divergence VCSELs achieved by optimization of current density distribution，IEEE Journal of Quantum Electronics，2012，第3作者（3） 852 nm半导体激光器InGaAlAs, InGaAsP, InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性，发光学报，2012，第3作者（4） High power single-sided bragg reflection waveguide lasers with dual-lobed far field，Applied Physics B，2012，第3作者（5） High-Power Bottom-Emitting Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Under Continuous-Wave, Quasi-Continuous-Wave and Pulsed Operation，Applied Physics Express，2011，第3作者（6） High-Power-Density High-Efficiency Bottom-Emitting Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Array，Applied Physics Express，2011，第3作者（7） Design and comparison of GaAs, GaAsP and InGaAlAs quantum-well active regions for 808-nm VCSELs，Optics Express，2011，第5作者（8） 980nm高功率垂直腔面发射激光列阵的单元结构优化，光学精密工程，2011，第3作者（9） Si 衬底上Ge 材料的UHVCVD 生长，材料科学与工程学报，2009，第5作者（10） Evolution of Ge and SiGe Quantum Dots under Excimer Laser Annealing，Chinese Physics Letter，2008，第2作者（11） Small SiGe quantum dots obtained by excimer laser annealing，Journal of Semiconductors，2008，第1作者（12） Small SiGe quantum dots obtained by excimer laser annealing”, Journal of Crystal Growth，Joural of Crystal Growth，2008，第2作者（13） The growth of SiGe by DUHV/CVD at low termperature，Journal of Semiconductors，2008，第1作者（14）双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制，真空，2007，第1作者