刘新科 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 -

个人简介

教育背景 2008-07--2013-10 新加坡国立大学电气与计算机博士 2004-07--2008-06 新加坡国立大学材料科学本科工作简历 2008-07~2013-10,新加坡国立大学, 电气与计算机博士 2004-07~2008-06,新加坡国立大学, 材料科学本科

研究领域

氮化镓和2D等新型半导体材料和器件(微电子、光电子)

近期论文

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（1）近晶格匹配二硫化钼/氮化镓异质结构的高性能光电晶体管, Nearly lattice-matched molybdenum disulfide/gallium nitride heterostructure enabling high-performance phototransistors, Photonics Research, 2019, 第 1 作者（2）基于晶圆尺度化学气相沉积多晶单层MoS2的电子器件和电路, Electronic devices and circuits based on wafer-scale polycrystalline monolayer MoS2 by chemical vapor deposition, Advanced Electronic Materials, 2019, 第 11 作者（3）用高K Al2O3封顶层提高少量氮化硼的热性能, Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer, Journal of Alloys and Compounds, 2019, 第 11 作者（4）氮化处理对多层MoS2/Al2O3异质结带取向的影响, Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment, Journal of Alloys and Compounds, 2019, 第 1 作者（5）低密度陷阱态高质量Sinx/P-GaN金属绝缘体-半导体界面, High-quality SiNx/p-GaN metal-insulator-semiconductor interface with low-density trap states, Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 第 11 作者（6）采用分裂式靶心结构的大型透明二硫化钼等离子体光电探测器, Large scale transparent molybdenum disulfide plasmonic photodetector using split bull eye structure, Advanced Optical Materials, 2018, 第 11 作者（7）使用CMOS兼容接触材料的独立GaN晶片上的2.4 kV垂直GaN-PN二极管, 2.4 kV vertical GaN PN diodes on free standingGaN wafer using CMOS-compatible contact materials, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2018, 第 1 作者（8）原子层沉积Al2O3增强Algan/GaN离子敏感场效应晶体管的pH灵敏度, Enhanced pH sensitivity of AlGaN/GaN ion-sensitive field effect transistors wi th Al2O3 synthesized by atomic layer deposition, Applied Surface Science, 2018, 第 11 作者（9）垂直氮化镓晶圆上的氮化镓肖特基势垒二极管, GaN schottky Barrier Diodes on Free-Standing GaN Wafer, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 第 1 作者（10）大气压化学气相沉积法生长单层WxMo1-xs2：带隙工程和场效应晶体管, Monolayer WxMo1-xS2 Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition: Bandgap Engineering and Field Effect Transistors, Advanced Functional Materials, 2017, 第 1 作者（11）使用CMOS兼容接触材料在独立式氮化镓晶片上的1.2千伏GaN肖特基二极管, 1.2 kV GaN Schottky BarrierDiodes on Free-Standing GaN Wafer using a CMOS-Compatible Contact Materials, Japanese Journal of Applied Physics, 2017, 第 1 作者（12）x射线光电子能谱法测定原子层沉积二氧化钛/多层MoS2界面的能带取向, Band alignment of Atomic Layer Deposited TiO2/multilayer MoS2 interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy, Journal of Alloys and Compounds, 2017, 第 1 作者