个人简介
招生方向
宽禁带半导体光电材料与器件，表面等离激元
教育背景
2009-09--2012-07 中国科学院大学/中科院长春光机所 博士学位
2004-09--2007-07 大连理工大学 硕士研究生
2000-09--2004-07 大连理工大学 学士
工作简历
2019-09~现在, 中科院长春光机所, 研究员
2017-10~2017-12,日本三重大学（Mie University）, 交流访问
2015-08~2016-08,美国佐治亚州立大学（Georgia State University)）, 访问学者
2014-09~2018-06,中科院长春光机所, 副研究员
2009-09~2014-09,中科院长春光机所, 助理研究员
2009-09~2012-07,中国科学院大学/中科院长春光机所, 博士学位
2007-07~2009-09,中科院长春光机所, 研究实习员
2004-09~2007-07,大连理工大学, 硕士研究生
2000-09~2004-07,大连理工大学, 学士
奖励信息
（1） 吉林省自然科学学术成果奖一等奖, , 省级, 2013
专利成果
（ 1 ） 增强AlGaN基深 紫外探测器响应度的方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201310194778.6
（ 2 ） 采用纳米粒子 提高AlGaN基探测器性能的方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201110212296.X
（ 3 ） 宽探测波 段的InGaAs/GaAs红外探测器, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN201310310884.6
（ 4 ） 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 2010 1 0228796.8
（ 5 ） 一种自下而上生长A1G酬基紫外及深紫外探测器阵列的方泫, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710879804.7
（ 6 ） 一种集成热处理工艺的多腔室氮化物材料外延系统, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710879856.4
（ 7 ） 一种获得高质量AlN模板的方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710887680.7
（ 8 ） 一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710887677.5
（ 9 ） 一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710887679.4
（ 10 ） 一种原位生长Al等离激元提高AlGaN基PIN型探测器性能的方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201811653058.0
（ 11 ） 一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: ZL201710879804.7
（ 12 ） 一种实现低压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: ZL 201811151586.6
（ 13 ） 一种高迁移率高空穴浓度p型AlGaN材料生长方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: ZL 201811118793.1
（ 14 ） 一采用高反膜(DBR)提高GaN基的集成波导的光耦合效率的方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: ZL 201811634478.4
（ 15 ） 一种利用石墨烯透明电极辅助作用的双台面碳化硅辐射探测器, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201811072896.9
（ 16 ） 基于主动淬灭主动恢复电路的单光子探测系统, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201811269463.2
（ 17 ） 一种集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201811274849.2
（ 18 ） 一种原位生长Al等离激元纳米结构的方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910097665.1
（ 19 ） 一种新型GaN基垂直集成光电子芯片及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910097597.9
（ 20 ） 新型GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201911050585.7
（ 21 ） 具有梯度深度P型区域的GaN结势垒肖特基二极管及之制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910885329.3
（ 22 ） 基于喷墨打印技术的分波段柔性光探测器及打印方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910917822.9
（ 23 ） 一种具有浮动场环终端结构的结势垒肖特基二极管, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910664079.0
（ 24 ） 一种实现氮化物可控成核的二维材料复合衬底制备系统, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910619280.7
（ 25 ） 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910307014.0
（ 26 ） 一种新型结构的底部沟槽栅极GaN-MOSFET器件, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201911050371.X
（ 27 ） 单片双波段集成式传感器及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201911084993.4
（ 28 ） 一种基于氮化硼的紫外/红外双色探测器, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910922937.7
（ 29 ） 一种制备同质集成光通信芯片的方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910890974.4
（ 30 ） 应力调控氮化镓基红外-紫外双色光探测器及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201911084903.1
（ 31 ） 一种提高紫外同质集成光电子芯片转换效率的方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201911273385.8
（ 32 ） 基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201911335998.X
（ 33 ） 基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: 202010191521.5
（ 34 ） 一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: 202010038547.6
（ 35 ） 一种用于半导体材料外延生长设备中的托盘, 2020, 第 3 作者, 专利号: 202010267123.7
（ 36 ） 单层石墨烯的双面掺杂及多层石墨烯的双侧掺杂方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: 202010145405.X
（ 37 ） 一种具有石墨烯插入层的AlGaN基紫外探测器及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: 202010171621.1
（ 38 ） 一种360度超大广角紫外探测器, 2020, 第 3 作者, 专利号: 202010471887.8
（ 39 ） 一种图形化衬底及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: 202010532143.2
科研项目
（ 1 ） 高Al组分AlGaN中点缺陷的形成机理及调控研究, 主持, 国家级, 2016-01--2019-12
（ 2 ） 第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术, 主持, 国家级, 2016-07--2021-07
（ 3 ） 硅衬底AlGaN基紫外LED, 主持, 部委级, 2017-01--2018-12
（ 4 ） 中国科学院青年创新促进会人才项目, 主持, 部委级, 2015-01--2019-12
（ 5 ） 第三代半导体的衬底制备及同质外延, 主持, 国家级, 2017-07--2020-12
（ 6 ） 宽禁带半导体雪崩光电探测器物理与新结构器件, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06
（ 7 ） 基于AlN同质外延的高性能探测器研究, 主持, 省级, 2018-01--2020-12
（ 8 ） GaN基紫外光电子器件与材料, 参与, 国家级, 2018-01--2022-12
（ 9 ） 点缺陷可调控的AlGaN材料外延设备研制, 参与, 部委级, 2018-01--2019-12
（ 10 ） 基于飞秒激光加工技术的高效率紫外固态光源研究, 参与, 部委级, 2017-01--2019-12
（ 11 ） 基于二维材料复合柔性衬底上AlN的生长研究, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12
（ 12 ） GaN基紫外光电子材料与器件, 主持, 国家级, 2020-01--2022-12
（ 13 ） Si基AlGaN深紫外光电子器件, 主持, 部委级, 2020-01--2022-12
参与会议
（1）AlGaN材料中的缺陷研究 第十五届全国MOCVD 学术会议 2018-08-21
（2）高质量AlN/Sapphire模板生长研究 第18届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 2017-12-18
（3）AlGaN-Based Deep Ultraviolet Detectors 2017-10-19
（4）Direct Observation of Localized SP Field Enhancement of Ag nanoparticles on GaN by KPFM 2017-09-24
（5）AlGaN-based Deep Ultraviolet Detectors 2017-09-18
（6）高Al组分AlGaN材料生长及掺杂研究 第二届全国宽禁带半导体学术会议 2017-08-10
近期论文
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（1） Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM, Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 第 2 作者
（2） In situ fabrication of Al surface plasmon nanoparticles by metal–organic chemical vapor deposition for enhanced performance of AlGaN deep ultraviolet detectors, Nanoscale Advances, 2020, 通讯作者
（3） Suppressing the luminescence of Vcation-related point-defect in AlGaN grown by MOCVD on HVPE-AlN, Applied Surface Science, 2020, 通讯作者
（4） The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing, Applied Physics Letters, 2020, 第 4 作者
（5） Nearly lattice-matched molybdenum disulfide/ gallium nitride heterostructure enabling high-performance phototransistors, Photonics Research, 2019, 通讯作者
（6） Uncovering the Mechanism Behind the Improved Stability of 2D Organic–Inorganic Hybrid Perovskites, SMAll, 2019, 第 3 作者
（7） Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 第 5 作者
（8） Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanoscale Strain Field, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 通讯作者
（9） Monolithic integration of MoS2-based visible detectors and GaN-based UV detectors, PHOTONICS RESEARCH, 2019, 第 8 作者
（10） Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles, SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2019, 第 2 作者
（11） Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps, CRYSTENGCOMM, 2019, 通讯作者
（12） Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 第 3 作者
（13） Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2019, 第 4 作者
（14） Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy,, SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy,, 2019, 通讯作者
（15） A review of improved spectral response of ultraviolet photodetectors by surface plasmon, Chinese Physics B, 2018, 通讯作者
（16） Modulating the Surface State of SiC to Control Carrier Transport in Graphene/SiC, Small, 2018, 通讯作者
（17） AlGaN photonics: recent advances in materials and ultraviolet devices, Advances in optics and photonics, 2018, 第 3 作者
（18） The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal–organic chemical vapor deposition, CrystEngComm, 2018, 通讯作者
（19） Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 通讯作者
（20） PbCrO4 yellow-pigment nanorods: A efficient and stable visible-light-active photocatalyst for O2 evolution and photodegradation, SCIENCE CHINA Materials. ., 2018, 通讯作者
（21） Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN/sapphire substrates by thermal annealing, Crystengcomm, 2018, 通讯作者
（22） Direct Observation of Localized Surface Plasmon Field Enhancement by Kelvin Probe Force Microscopy, Light: Science & Applications, 2017, 通讯作者
（23） Plasma-induced, nitrogen-doped graphene-based aerogels for high-performance supercapacitors, Light: Science & Applications, 2016, 第 3 作者
（24） High spectral response of selfdriven GaN-based detectors by controlling the contact barrier height, Scientific Reports, 2015, 第 1 作者
（25） Tunable Dipole Surface Plasmon Resonances of Silver Nanoparticles by Cladding Dielectric Layers, Scientific Reports, 2015, 通讯作者
（26） Enhanced spectral response of an AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetector with Al nanoparticles, Optics Express, 2014, 通讯作者
（27） Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN, CrystEngComm, 2014, 通讯作者
（28） In situ observation of two-step growth of AlN on sapphire using high-temperature metal–organic chemical vapour deposition, CrystEngComm, 2013, 第 1 作者
（29） Realization of a High-Performance GaN UV Detector by Nanoplasmonic Enhancement, Adv. Mater., 2012, 第 2 作者
（30） Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface, Appl. Phys. Lett., 2011, 第 1 作者
（31） Effect of asymmetric Schottky barrier on GaN-based metalsemiconductor- metal ultraviolet detector, Appl. Phys. Lett., 2011, 第 2 作者
（32） Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductormetal ultraviolet photodetectors, Appl. Phys. Lett., 2011, 第 2 作者
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