秦莉 - 中国科学院大学

个人简介

教育背景 1996-09--1999-12 吉林大学电子工程学院博士 1993-09--1996-06 吉林大学电子系硕士 1989-09--1993-06 吉林大学电子系学士学历 1989年－1993年，吉林大学，电子工程系，本科/学士 1993年－1996年，吉林大学，电子工程系，研究生/硕士 1996年－1999年，吉林大学，电子工程学院，研究生/博士工作简历 2008-09--今中科院长春光学精密机械与物理研究所研究员 2003-09--2008-09 中科院长春光学精密机械与物理研究所副研 2002-06--2003-09 中科院长春光学精密机械与物理研究所助研 2000-03--2002-05 中科院长春光学精密机械与物理研究所博士后奖励信息（1）吉林省第四批拔尖创新人才，省级，2014 （2）高密度集成、高光束质量激光合束高功率半导体激光关键技术及应用，二等奖，国家级，2011 （3）半导体激光合束技术及应用，一等奖，省级，2010 （4）第十届吉林省青年科技奖，省级，2009 （5）无铝量子阱大功率激光器关键技术，二等奖，国家级，2007 （6） 980nm大功率垂直腔面发射激，一等奖，省级，2006 （7）无铝量子阱大功率半导体激光器及，一等奖，省级，2004 专利成果（1）大功率线阵激光条光束共线调节方法及其装置，发明，2006，第3作者，专利号：ZL200510016968.4 （2）半导体激光器波长筛选装置，发明，2011，第4作者，专利号：ZL200910066763.5 （3）一种带凸凹反射镜的垂直外腔面发射半导体激光器，发明，2008，第2作者，专利号：ZL200510016967.X （4）半导体激光线阵及迭阵条双面烧结方法及装置，发明，2007，第2作者，专利号：ZL200510016551.8 （5）一种带望远镜谐振腔的垂直外腔面发射半导体激光器，发明，2006，第4作者，专利号：ZL200510016970.1 （6）垂直腔面发射激光器列阵的串接结构，发明，2010，第3作者，专利号：ZL200810051624.0 （7）半导体激光管芯烧结装置及其使用方法，发明，2010，第5作者，专利号：ZL200910066762.0 （8）通过出射光窗口电极结构控制偏振的垂直腔面发射激光器，发明，2011，第3作者，专利号：ZL200910066780.9 （9）具有外腔偏振控制的垂直腔面发射激光器，发明，2011，第3作者，专利号：ZL200910066782.8 （10）高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，发明，2012，第3作者，专利号：ZL201210079120.6 （11）电致激发分子掺杂薄膜层纳腔激光器，发明，2012，第2作者，专利号：ZL201110129801.4 （12）基于相干偏振合成技术的半导体激光光源，发明，2013，第3作者，专利号：CN201310066572.5 （13）一种带有防光反馈装置的半导体激光加工机，发明，2013，第3作者，专利号：CN201210487177.X （14）一种单管半导体激光器合束结构，发明，2012，第3作者，专利号：CN201210427452.9 （15） Bragg反射镜耦合表面等离子体激光光源，发明，2013，第3作者，专利号：CN201210487839.3 （16）基于垂直腔面发射半导体激光器的荧光防伪标识检验装置，发明，2014，第5作者，专利号：CN201310675819.3 （17）一种防止半导体激光加工机光反馈的方法，发明，2013，第3作者，专利号：CN201210487012.2 （18）一种自动聚焦垂直腔面发射激光器，发明，2013，第3作者，专利号：CN201310066180.9 （19）高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器，发明，2013，第5作者，专利号：CN201310313802.3 （20）一种电泵浦垂直扩展腔面发射半导体激光器，发明，2013，第3作者，专利号：CN201310037025.4 （21）一种实现半导体激光相干偏振合成的方法，发明，2013，第3作者，专利号：CN201310066584.8 （22）一种自动聚焦垂直腔面发射激光器，发明，2014，第3作者，专利号：ZL201310066180.9 （23）一种电泵浦垂直扩展腔面发射半导体激光器，发明，2015，第3作者，专利号：ZL201310037025.4 科研项目（1）万瓦级柔性输出半导体激光光源的研制，主持，省级，2015-01--2017-12 （2）基于表面分布反馈结构的高亮度半导体激光器研究，主持，省级，2014-01--2016-12 （3）相干大功率面发射半导体激光列阵的相关机理及应用技术，主持，国家级，2013-01--2017-12 （4）激光新型加工工艺技术与装备，参与，国家级，2012-01--2014-12 （5）千瓦级连续波全固态激光器及应用开发，主持，省级，2011-07--2013-12 （6）飞秒激光微纳加工在高性能微光学元件制作中的应用基础研究，主持，国家级，2010-01--2013-12 参与会议（1）高光束质量半导体激光器研究，第八届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会暨 2014’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会，2014-08，秦莉（2） High-power narrow far-field broad-stripe semiconductor lasers with second-order metal grating feedback，2012-11，Yong Yi Chen, Li Qin*, Peng Jia, Yong Qiang Ning, Yun Liu, Li Jun Wang, Jin Long Zhang （3） Theoretical Analysis of Emission Characteristics of Second-order Distributed Feedback semiconductor Lasers，2010-10，Li Qin, Shujuan Ye （4）微透镜集成垂直腔面发射激光器阵列设计，第七届全国光子学学术会议，2010-07，秦莉,胡永生，叶淑娟，王贞福，宁永强，王立军

研究领域

高功率半导体激光器及其应用技术，主要包括半导体激光器结构设计及其模拟、器件制备，边发射及垂直腔面发射半导体激光器研究，新结构新波段半导体激光器研究；半导体激光器在成像、激光加工、光谱检测分析方面的应用。

近期论文

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（1）双波长高阶光栅DBR半导体激光器的研究，中国激光，2015，通讯作者（2）大功率VCSEL三角列阵空间相干性的研究，发光学报，2015，通讯作者（3） Research on the spatial coherent characteristics of high power VCSEL，中国激光，2014，通讯作者（4）用于光束整形的表面等离子体双光栅结构，光学精密工程，2014，通讯作者（5） Direct integration of aspherical microlens on vertical-cavitysurfaceemitting，Optics Communications，2013，通讯作者（6）三波长合束高亮度半导体激光光源，中国激光，2013，第4作者（7） LD抽运Nd:YAG/Nd:YVO4腔内和频500.9nm激光器，中国激光，2013，第4作者（8）金属-介质光栅结构表面等离子体耦合效率的模拟研究，物理学报，2013，通讯作者（9） 850nm垂直腔面发射激光器列阵，光学精密工程，2012，第2作者（10） Emission characteristics of surface second-order metal grating，Chinese Science Bulletin，2012，通讯作者（11） Power and spectra polarization of large-aperture rectangular-shaped vertical-cavity top-emitting lasers，Laser Physics，2012，第4作者（12） high power narrow far-field broad-strip semiconductor lasers with second-order metal grating feedback，Asia pacific conference on optics manufacture，2012，第1作者（13） Design of integrated microlens for collimation of the verti-，OPTOELECTRONICS LETTERS，2010，第4作者（14） Theoretical Analysis of Emission Characteristics of Second-order Distributed Feedback Semiconductor Lasers，SPIE 7844，2010，第1作者（15）大功率无铝量子阱半导体激光阵列特性，中国激光，2010，第3作者（16）高占空比大功率半导体激光线阵热特性分析，光学学报，2010，第3作者（17）宽面积垂直腔半导体光放大器，光谱学与光谱分析，2010，第3作者（18） 808 nm 边发射二极管激光器特征温度，光学学报，2010，第2作者（19） High-power vertical-cavity surface-emitting laser with an optimized p-contact diameter，APPLIED OPTICS，2010，第3作者（20）二阶光栅分布反馈半导体激光器出光特性研究，中国激光，2010，通讯作者（21） 980 nm vertical cavity surface emitting laser temperature-change output characteristics，中国激光，2010，第3作者（22） Packaging-induced strain measurement based on the degree of polarization in GaAsP-GaInP high power diode laser bar，IEEE Photonics Technology Letters，2009，第2作者（23）一种基于热补偿电流的大功率VCSEL模型，发光学报，2009，通讯作者（24） Thermal management in optically pumped semiconductor VECSEL，半导体光电，2008，通讯作者（25） High-Power Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser With an Extra Au Layer，IEEE Photon.Technol. Lett. ，2005，第3作者（26） High-power vertical cavity surface emitting laser with good performances，Electr. Lett. Vol.40: 872，2004，第3作者（27） A high power InGaAs/GaAsP vertical cavity surface-emitting laser and its temperature characteristics，Semicond. Sci. Technol.，2004，第3作者（28） compact temperature-compensating package for long-period fiber grating，Optical Materials，2000，第1作者（29） abnormal shift of center wavelength in annealing Long-period fiber grating，Chinese Physics Letter，2000，第1作者