宋航 - 中国科学院大学

个人简介

教育背景 1998-09--2003-06 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所理学博士 1978-10--1983-07 中国科学技术大学理学学士学位 1983年于中国科学技术大学物理系获学士学位； 2003年于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所获博士学位。出国学习工作 1996年12月至1997年12月在韩国东国大学物理系作访问学者； 2003年10月至2004年2月在日本静冈大学电子工学研究所作高级访问学者。工作简历 2004-11--2005-02 日本静冈大学电子工学研究所高级访问学者 1999-07--今中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员/国家重点实验室常务副主任 1996-12--1997-12 韩国东国大学物理学访问学者 1983-08--1999-07 中国科学院长春物理研究所研究员/研究室副主任科研项目（1）表面等离子体激元增强AlGaN基深紫外LED研究，参与，部委级，2013-01--2016-12 （2）大尺寸氮化铝（AlN）晶体生长技术合作研究，主持，部委级，2012-07--2015-07 （3）高In组分异质探测材料能带调控与功能增强新结构，参与，部委级，2012-01--2016-08 （4） GaN/InN（QD）量子点复合结构载流子倍增太阳能电池材料与器件研究，主持，国家级，2011-01--2013-12 （5）第三代半导体衬底材料及工程化应用研究，主持，部委级，2011-01--2013-12 （6）显示器件光电特性与人对图像显示的视觉认知关联性及其器件应用的研究，参与，部委级，2010-01--2014-08 （7） AlGaN日盲紫外探测器研究，主持，研究所（学校）级，2008-05--2012-07 参与会议（1）光谱响应峰值可调MIS结构GaN紫外探测器，第十二届全国MOCVD学术会议，2012-04，宋航，尤坤，黎大兵，李志明，陈一仁，孙晓娟，蒋红，缪国庆

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（1） Realization of a High-performance GaN UV Detector by Nanoplasmonic Enhancement，Advanced Materials，2012，第3作者（2） Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors，Appl.Phys.Lett.，2012，第5作者（3） Short-wavelength light beam in situ monitoring growth of InGaN/GaN green LEDs by MOCVD，Nanoscale Research Letters，2012，第3作者（4） Influence of buffer layer thickness and epilayer’s growth temperature on crystalline quality InAs0.6P0.4/InP grown by LP-MOCVD，Solid State Communications，2011，第2作者（5） Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors，Appl.Phys.Lett，2011，第3作者（6） Effect of asymmetric Schottky barrier on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet detector，Appl.Phys.Lett.，2011，第3作者（7） GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling and its simulation，Journal of Semiconductors，2011，第2作者（8） Improved performace of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface，Appl.Phys.Lett，2011，通讯作者（9） Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As/InP grown on InP substrate by LP-MOCVD，Applied Surface Science，2011，通讯作者（10） Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method， Journal of Alloys and Compounds，2011，通讯作者（11） Improved field emission performance of carbon nanotube by introducing copper matallic particles，Nanoscale Research Letters，2011，通讯作者