彭守仲 - 北京航空航天大学 - 集成电路科学与工程学院

个人简介

彭守仲，副教授，博导，北京航空航天大学集成电路科学与工程学院院长助理、北航合肥创新研究院微纳科学与技术研究中心副主任。2013年获北京航空航天大学电子信息工程专业学士学位，2015年在美国加州大学洛杉矶分校联合培养，2018年获北京航空航天大学微电子学与固体电子学专业博士学位，被评为北航优秀博士毕业生，同年入职北京航空航天大学微电子学院教师岗。长期从事自旋电子学、磁随机存储器、微电子器件、磁性材料、磁性物理等方面的理论和实验研究。已发表高水平论文30余篇，被引1000余次；其中作为第一作者或通讯作者在Nature Electronics、Advanced Electronic Materials、Applied Physics Letters、Physical B等高水平SCI期刊发表论文10余篇，被引400余次，单篇最高被引100余次；一篇论文入选Wiley半月精选论文，一篇论文入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics；申请发明专利10余项，获授权4项，专利转化2项；参与编写教材3部，其中2部获批工信部“十四五”规划教材，1部入选“十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目。在微电子器件顶级会议IEDM发表一作论文1篇，该会议具有60多年历史，被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”，这是北航历史上首次在该会议发表论文，也是中国大陆首次在该会议发表磁随机存储器（MRAM）研究论文。多次在国际磁学年会（INTERMAG）、国际磁学与磁性材料大会（MMM）等重要学术会议上做报告，担任2021年INTERMAG和2022年MMM等会议的分会场主席，受邀在国际前沿材料大会（ICFM）、自旋量子态调控科技论坛等学术会议做邀请报告，参加国际自旋存储与逻辑研讨会（SML）并获最佳海报奖。获中国电子学会推荐入选第七届中国科协“青年人才托举工程”，主持了国家自然科学基金、北航青年拔尖人才支持计划、北航合肥创新研究院科研项目子课题等项目6项，参与了核高基国家科技重大专项子课题、国家自然科学基金面上项目、科技部国家科技合作专项、华为海思公司技术合作项目等项目，获批科研经费800余万元。制定中国电子学会团体标准5项，2次获得中国电子学会成果鉴定，荣获中国电子学会科学技术奖自然科学一等奖、华为奥林帕斯先锋奖。在北航首次开设并主讲了本科核心专业课《微电子器件实验》（16理论课时+32实验课时）、研究生课《集成电路技术开放实验》（18实验学时）和《集成电路技术综合实验》（18实验学时），其中《微电子器件实验》入选校级课程思政示范课程立项；参与讲授了本科生核心通识课《自旋电子科技前沿》和研究生课《自旋电子学前沿进展》，其中《自旋电子科技前沿》入选北京高校优质本科课程。已指导博士生3人、硕士研究生12人、本科毕设6人，担任本科生班主任及学业导师，被评为北航学院“优秀导师”（2020年-2022年）和“优秀班主任”（2020年），获“北京市教育教学成果奖二等奖”、“北航优秀教学成果奖一等奖”、“第二届全国高校电子信息类专业课程实验案例设计竞赛全国一等奖”、“北航集成电路学院优秀共产党员”等奖励。

研究领域

微电子学自旋电子学磁随机存储器磁性材料及薄膜微纳器件制备及测试第一性原理与微磁学仿真

近期论文

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Peng S, Zhu D, Li W, et al.. Exchange bias switching in an antiferromagnet/ferromagnet bilayer driven by spin-orbit torque. Nature Electronics. 2020, 3(12): 757-764. https://www.nature.com/articles/s41928-020-00504-6 Lu J, Li W, Liu J, Liu Z, Wang Y, Jiang C, Du J, Lu S, Lei N, Peng S*, Zhao W, Voltage-gated spin-orbit torque switching in IrMn-based perpendicular magnetic tunnel junctions. Applied Physics Letters. 2023, 122(1): 012402. Chen R, Wang X, Cheng H, Lee KJ, Xiong D, Kim JY, Li S, Yang H, Zhang H, Cao K, Kl?ui M, Peng S*, Zhang X*, Zhao W*. Large Dzyaloshinskii-Moriya interaction and room-temperature nanoscale skyrmions in CoFeB/MgO heterostructures. Cell Reports Physical Science. 2021, 2:100618. Li W, Peng S*, Lu J, et al.. Experimental demonstration of voltage-gated spin-orbit torque switching in antiferromagnet/ferromagnet structure. Physical Review B. 2021, 103(9): 094436. Cheng H, Chen J, Peng S*, et al.. Giant perpendicular magnetic anisotropy in Mo-based double-interface free layer structure for advanced magnetic tunnel junctions. Advanced Electronic Materials. 2020, 6(8): 2000271. Xiong D, Peng S*, et al.. Modulation of thermal stability and spin-orbit torque in IrMn/CoFeB/MgO structures through atom thick W insertion. Applied Physics Letters. 2020, 117(21): 212401. Chen J, Peng S*, Xiong D, et al.. Correlation of interfacial perpendicular magnetic anisotropy and interlayer exchange coupling in CoFe/W/CoFe structures. Journal of Physics D: Applied Physics. 2020, 53(33): 334001.（编辑优选论文） Peng S, Lu J, Li W, et al.. Field-free switching of perpendicular magnetization through voltage-gated spin-orbit torque. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2019, 28.6.1-28.6.4. （北航历史上第一篇IEDM论文） Peng S, Zhu D, Zhou J, et al.. Modulation of heavy metal/ferromagnetic metal interface for high-performance spintronic devices. Advanced Electronic Materials. 2019, 5(8): 1900134.（Wiley半月精选论文，Wiley Advanced Science News专题报道） Peng S, Wang L, Li X, et al..Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy through Fe insertion at the CoFe/W interface. IEEE Transactions on Magnetics. 2018, 54 (11): 1300705. Peng S, Zhao W, Qiao J, et al..Giant interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/capping layer structures. Applied Physics Letters. 2017,110 (7):072403.（入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics） Peng S, Li S, Kang W, et al..Large voltage-controlled magnetic anisotropy in the SrTiO3/Fe/Cu structure. Applied Physics Letters. 2017,111(15): 152403. Peng S, Kang W, Wang M, et al..Interfacial perpendicular magnetic anisotropy in sub-20 nm tunnel junctions for large-capacity spin-transfer torque magnetic random-access memory. IEEE Magnetics Letters. 2017, 8: 3105805. Peng S, Wang M, Yang H, et al..Origin of interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/metallic capping layer structures. Scientific reports. 2015, 5: 18173.