个人简介
胡盛东，副教授，博士（后）。2002年7月毕业于四川大学，获工学学士学位，2005年7月于四川大学获工学硕士学位，2005年9月－2010年6月在电子科技大学微电子与固体电子学院学习，获工学博士学位，专业为微电子学与固体电子学。2010年7月至今在重庆大学通信工程学院从事教学和科研工作。2011年10月至2015年6月进入中国电子科技集团公司第二十四研究所从事博士后研究工作。主研参与多项国家级、省部级和横向科研项目的研究工作，在国内外重要学术期刊发表论文20余篇，其中第一作者SCI收录11篇，公开或获权国家专利多项。先后担任了本科生的《微电子器件》、《半导体物理》、《集成电路工艺原理》与《ASIC设计原理与应用》等课堂教学及实验环节的指导工作。
主要科研项目：
[1].2014年，国家自然科学基金青年基金，主持
[2].2013年，中国博士后科学基金特别资助项目，主持
[3].2012年，中央高校基本科研业务项目，主持
[4].2012年，中国博士后科学基金面上项目，主持；
[5].2011年，重庆市自然科学基金面上项目，主持；
已申请专利：
[1]胡盛东，陈银晖，金晶晶，朱志，武星河，雷剑梅，周喜川。一种具有界面栅的SOI功率器件结构，2013-12-03,201310572042.8，中国发明专利已申请.
[2] 胡盛东，周建林，甘平，周喜川，张玲 。具有界面横向变掺杂的SOI耐压结构 ，2011-05-16，201110125782.8，中国发明专利已申请。
[3] 胡盛东，张玲，甘平，周喜川，周建林，刘海涛。一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，2012-08-22，201210298122.4，中国发明专利已申请。
[4] 胡盛东，罗俊，谭开洲，徐学良，王健安，秦国林，唐昭焕，陈文锁。一种具有界面N+层的SOI LDMOS半导体器件，2014-12-10，ZL201210261200.3，中国发明专利已授权。
[5] 张波，胡盛东，李肇基。用于功率器件的具有界面电荷岛SOI耐压结构，2009-01-19，ZL 200910058189.9，中国发明专利已授权。
获奖
[1]通信多用户优化接入序列设计理论与方法研究，重庆市科学技术奖自然科学奖(三等奖)，曾凡鑫，曾孝平，刘敏，胡盛东，张振宇。2013年5月。
近期论文
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主要论著
[1]Hu Sheng-Dong, Wu Xing-He, Zhu Zhi, Jin Jing-Jing, and Chen Yin-Hui. Partial-SOI high voltage laterally double-diffused MOS with a partially buried n+-layer.Chinese Physics B, 2014, 23(6):000001-5(SCI: 000338668200076)
[2]Shengdong Hu, Zhi Zhu Wu Xinghe, Jingjing Jin, and Yinhui Chen. Thin silicon layer p-channel SOI/PSOI LDMOS
with interface n+-islands for high voltage application.Superlattices and Microstructures，2014,(67):1–7（SCI:000332352
700001）
[3]Shengdong Hu, Ling Zhang, Jun Luo, Kaizhou Tan, Wensuo Chen, Ping Gan, Xichuan Zhou and Zhi Zhu. SOI high voltage LD
MOS with a novel triple-layer top silicon based on a thin BOX.Electronics Letters, 2013,49(3):223-225（SCI：000318542500040）
[4]HU Sheng-Dong, ZHANG Ling , CHEN Wen-Suo, LUO Jun, TAN Kai-Zhou, GAN Ping, ZHU Zhi, and WU Xing-He. A 50–60V Class Ultralow Specific on-Resistance Trench Power MOSFET.Chinese Physics Letters, 2012, 29(12):128502-1-3 (SCI: 000312489200063)
[5]Hu Sheng-Dong, Wu Li-Juan, Zhou Jian-Lin, Gan Ping, Zhang Bo, and Li Zhao-Ji. Improvement on the breakdown voltage for silicon-on-insulator devices based on epitaxy-separation by implantation oxygen by a partial buried n+layer.Chinese Physics B, 2012, 21(2): 027101 (SCI: 000300636700063)
[6]Hu Shengdong，Luo Jun，Tan Kaizhou，Zhang Ling，Li Zhaoji，Zhang Bo，Zhou Jianlin，Gan Ping, Qin Guolin, Zhang Zhengyuan. Realizing high breakdown voltage for a novel interface charges islands structure based on partial-SOI substrate.Microelectronics Reliability, 2012, 52(4): 692-697(SCI:000301813800010；EI:20121014836297)
[7]HU Sheng-Dong, ZHANG Ling , LUO Xiao-Rong, ZHANG Bo, LI Zhao-Ji, and WU Li-Juan. Design of a 1200-V Thin-Silicon-Layer p-Channel SOI LDMOS Device.Chinese Physics Letters, 2011, 28(12):128503-1-3(SCI: 000298347300081)
[8]Shengdong Hu, Bo Zhang, and Zhaoji Li. A novel analytical model of the vertical breakdown voltage on impurity concentration in top silicon layer for SOI high voltage devices. International Journal of Electronics,2011,98（7）：973-980（SCI:000297839200011;EI: 20113014169439）
[9]Shengdong Hu, Xiaorong Luo, Zhaoji Li, and Bo Zhang. Design of compound buried layer SOI high voltage device with double windows. Electronics Letters, 2010, 46(1):82-84 （SCI:000273889500052; EI:20100612697246）
[10]Hu Sheng-Dong,Zhang Bo, and Li Zhao-Ji. A new analytical model of high voltage silicon on insulator (SOI) thin film devices. Chinese Physics B, 2009, 18(1):315-319（SCI:000262494700051； EI：20091311986323）
[11]Shengdong Hu, Zhaoji Li, and Bo Zhang. Quantificational Dependence of Vertical Breakdown Voltage on Top Silicon and Dielectric Layer Thicknesses for SOI High Voltage Devices. IEEE International Conference on Communications, Circuits and Systems (ICCCAS’08), 2008, 2: 1274-1277(EI: 20090211852754; ISTP: 000263873800317)
[12]Shengdong Hu, Bo Zhang, and Zhaoji Li. High critical electric field of thin silicon film and its realization in SOI high voltage devices. IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, (EDSSC’08), 2008: 1-4(EI: 20091412014969;ISTP: 000271122100017)
[13]Hu Sheng-Dong, Zhang Bo, Li Zhao-Ji and Luo Xiao-Rong. A new structure and its analytical model for the vertical interface electric field of partial-SOI high voltage device. Chinese Physics B, 2010, 19(3): 037303-1-7 （SCI:000275660700087 EI：20101212801363）
[14]Bo Zhang, Zhaoji Li,Shengdong Hu, and Xiaorong Luo. Field enhancement for dielectric layer of high-vltage devices on silicon on insulator. IEEE Trans. On Electron Devices, 2009, 56(10): 2327-2334（SCI:000270036300021；EI：20094312397833）
[15]Lijuan WU,Shengdong Hu, Bo Zhang and Zhaoji Li. A Novel ESIMOX High Voltage Device Structure with the Charge Islands on the SOI. IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits,2009:99-102(EI: 20101212789755)
[16]Lijuan Wu,Shengdong Hu, Bo Zhang, and Zhaoji Li. High-Voltage PSOI with Complementary Interface Charge Islands Structure. IEEE International Conference on Communications, Circuits and Systems (ICCCAS’10), 2010:499-502（EI: 20104613394005）
[17]Lijuan Wu,Shengdong Hu, Bo Zhang, and Zhaoji Li. Novel High-Voltage Power Device Based on Self-adaptive Interface Charge. Chinese Physics B, 2011, 20(2)：0271011-6(SCI：000286970600063，EI：20111113744051)
[18]Lijuan Wu,Shengdong Hu, Bo Zhang, and Zhaoji Li.Partial-SOI high voltage P-channel LDMOS with interface accumulation holes.Chinese Physics B, 2011,20(10):107101-1-6（SCI: 000295969000058）
[19]Lijuan Wu,Shengdong Hu, Bo Zhang, and Zhaoji Li. A New SOI High Voltage Device Based on E-SIMOX Substrate. Journal of Semiconductors, 2010, 31(4)：0440081-6( EI：20101812905900)
[20]Lijuan Wu,Shengdong Hu, Bo Zhang, and Zhaoji Li. Complementary Charge Islands Structure for High Voltage Device of Partial-SOI. Journal of Semiconductors, 2011, 32(1)：0140031-5( EI：20110813672319)
[21]Lijuan Wu,Shengdong Hu, Bo Zhang, and Zhaoji Li. A Novel Complementary N+-Charge Islands SOI High Voltage Device. Journal of Semiconductors, 2010, 31(11)：1140101-05( EI：20105113508655)
[22]Lijuan Wu,Shengdong Hu,Bo Zhang, Xiaorong Luo, and Zhaoji Li. A-188V- 7.2Ω·mm2P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate, Chinese Physics B, 2011, 20(8):087101（SCI：000294810700049）
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