个人简介
陆磊 职称：助理教授
北京大学深圳研究生院，助理教授、博士生导师。国际电气与电子工程师学会IEEE会员，国际信息显示学会SID会员。苏州大学微电子系学士及硕士（导师：王明湘教授），香港科技大学电子及计算机工程系博士（导师：王文 教授）。2015年至2017年，任香港科大电子计算机工程系研究员、赛马会-香港科大高等研究院Postdoctoral Fellow（合作教授：郭海成 院士）。2017年至2019年，任香港科大研究助理教授，同时荣聘为高等研究院Junior Fellow（合作教授：邓青云 院士）。2019年6月起加入北京大学深圳研究生院，研究领域包括：半导体器件，如金属氧化物薄膜晶体管；先进显示技术，如超高像素密度的OLED蒸镀罩；柔性电子及传感器系统，如基于金属氧化物半导体的柔性传感器系统。已在知名国际期刊和会议上发表论文70余篇（SCI论文20篇），已申请中、美、国际专利21项（授权8项）。
讲授的课程：
超大规模集成电路工艺
Selected Patents
1. 陆磊，孙梽博，夏之荷，施闰霄，王文，郭海成，“液晶显示面板及其制作方法以及显示设备”，中国发明专利申请201910388622.9，2019年5月10日。
2. 陆磊，夏之荷，李佳鹏，王文，郭海成，“显示面板及其制作方法以及显示设备”，中国发明专利申请201910388640.7，2019年5月10日。
3. 陆磊，周玮，王文，郭海成，“Integration of Silicon Thin-Film Transistors and Metal-Oxide Thin-Film Transistors”，美国专利申请15/889,995，2017年2月20日。
4. 李佳鹏，陆磊，王文，郭海成， “一种薄膜晶体管和显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2017 2 1522557.7，授权，2017年11月15日。
5. 陆磊，王文，郭海成，“一种薄膜晶体管及制造方法和显示器面板”，中国发明专利201610964470.9，授权，2016年10月28日。
6. 陆磊，王文，郭海成，“一种电路结构及制作方法和显示器面板”，中国发明专利201610964428.7，授权，2016年10月28日。
7. 陆磊，王文，郭海成， “一种薄膜晶体管和显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2016 2 1191789.3，授权，2016年10月28日。
8. 陆磊，王文，郭海成，“一种薄膜晶体管和显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2016 2 1190870.0，授权，2016年10月28日。
9. 陆磊，王文，郭海成，“一种显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2016 2 1188654.2，授权，2016年10月28日。
10. 陆磊，王文，郭海成，“METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH SOURCE AND DRAIN REGIONS DOPED AT ROOM TEMPERATURE”，美国专利9,960,281，授权，2015年2月9日。
11. 陆磊，王文，郭海成，“METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH CHANNEL , SOURCE AND DRAIN REGIONS RESPECTIVELY CAPPED WITH COVERS OF DIFFERENT GAS PERMEABILITY”，美国专利10,032,924，授权，2014年3月31日。
对计划招收研究生的基本要求：
1、专业范围： 微电子学，物理，电子信息科学与技术；
2、外语能力：英文六级或托福80、雅思6.0以上；
3、具有独立思考和勤奋坚韧的品格，对探索知识的边界、解决工程的挑战感兴趣。
研究领域
1、薄膜晶体管；2、先进显示；3、柔性电子及传感器。
近期论文
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1. L. Lu, J. Li, H. Kwok, and M. Wong, “High-Performance and Reliable Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistor for High-Resolution Displays,” IEEE Int. Electron Device Meet. (IEDM), San Francisco, pp. 802–805, Dec. 2016. (国际最顶级微电子学会议)
2. L. Lu#*, Z. Feng#, S. Wang, J. Li, Z. Xia, H. Kwok, and M. Wong, “Fluorination-Enabled Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-Mode Indium-Gallium-Zinc Oxide TFT,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, pp. 692–695, 2018.
3. L. Lu*, Z. Xia, J. Li, Z. Feng, S. Wang, H. Kwok, and M. Wong, “A Comparative Study on Fluorination and Oxidation of Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 2, pp. 196–199, 2018.
4. L. Lu, J. Li, H. S. Kwok, and M. Wong*, “Elevated-Metal Metal-Oxide (EMMO) Thin-Film Transistor: Technology and Characteristics,” IEEE Electron Device Lett., vol. 37, no. 6, pp. 728–730, 2016.
5. L. Lu, J. Li, and M. Wong*, “Thermally Induced Variation of the Turn-ON Voltage of an Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 62, no. 11, pp. 3703–3708, 2015.
6. L. Lu* and M. Wong*, “A Bottom-Gate Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor With an Inherent Etch-Stop and Annealing-Induced Source and Drain Regions,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 62, no. 2, pp. 574–579, 2015.
7. L. Lu*, J. Li, and M. Wong, “A Comparative Study on the Effects of Annealing on the Characteristics of Zinc Oxide Thin-Film Transistors with Gate-Stacks of Different Gas-Permeability,” IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 8, pp. 841–843, 2014.
8. L. Lu* and M. Wong*, “The Resistivity of Zinc Oxide Under Different Annealing Configurations and Its Impact on the Leakage Characteristics of Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 4, pp. 1077–1084, 2014.
9. L. Lu, M. Wang*, and M. Wong, “A New Observation of the Elliot Curve Waveform in Charge Pumping of Poly-Si TFTs,” IEEE Electron Device Lett., vol. 32, no. 4, pp. 506–508, 2011.
10. L. Lu, M. Wang*, and M. Wong, “Geometric Effect Elimination and Reliable Trap State Density Extraction in Charge Pumping of Polysilicon Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 30, no. 5, pp. 517–519, 2009.
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