个人简介
2006年从中国科学技术大学（USTC）获得理学学士学位，2012年从美国UniversityofArizona获得博士学位。2012年至2014年在美国UniversityofTexasatAustin从事博士后研究工作。2014年8月加入上海科技大学物质科学与技术学院任助理教授
研究领域
主要研究手段：一、利用低温超高真空扫描探针显微镜技术来研究材料的晶体结构，电子学性质；二、利用低温强磁场输运技术来研究二维纳米材料中的电子相互作用；三、发展新型的接触式扫描隧道显微镜技术用来研究半导体器件和量子器件。
主要研究对象：新型扫描探针技术，新型二维材料，包括石墨烯、过渡族金属硫化物（TMD）、拓扑绝缘体等
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14、“Nb2SiTe4:AStableNarrow-GapTwo-DimensionalMaterialwithAmbipolarTransportandMid-InfraredResponse”
MingxingZhaoǂ,WeiXiaǂ,YangWang,ManLuo,ZhenTian,YanfengGuo*,WeidaHu*,JiaminXue*,ACSNano,https://doi.org/10.1021/acsnano.9b05080(2019)
13、“Isotropicchargescreeningofanisotropicblackphosphorusrevealedbypotassiumadatoms”
ZhenTianǂ,YuGanǂ,TaimingZhang,BinbinWang,HengxingJi,YexinFeng,andJiaminXue,Phys.Rev.B100,085440(2019)
12、“ANewEffectofOxygenPlasmaonTwo-DimensionalField-EffectTransistors:PlasmaInducedIonGatingandSynapticBehavior”
Cheng-LeiGuo,Bin-BinWang,WeiXia,Yan-FengGuo,JiaminXue,Chin.Phys.Lett.36,078501(2019)
11、“SystematicinvestigationofelectricalcontactbarriersbetweendifferentelectrodemetalsandlayeredGeSe”
RanranLi,WeiXia,YanfengGuo,andJiaminXue,Appl.Phys.Lett.114,013505(2019)
10、“LateralHeterostructuresFormedbyThermallyConvertingn-TypeSnSe2top-TypeSnSe”
ZhenTianǂ,MingxingZhaoǂ,XiongxiongXueǂ,WeiXia,ChengleiGuo,YanfengGuo,YexinFeng*andJiaminXue*,ACSAppl.Mater.Interfaces10,12831-12838(2018)
9、“PhotoemissionstudyoftheelectronicstructureofvalencebandconvergentSnSe”
C.W.Wang*,Y.Y.Y.Xia*,Z.Tian*,J.Jiang,B.H.Li,S.T.Cui,H.F.Yang,A.J.Liang,X.Y.Zhan,G.H.Hong,S.Liu,C.Chen,M.X.Wang,L.X.Yang,Z.Liu,Q.X.Mi,G.Li,J.M.Xue,Z.K.Liu,andY.L.Chen,PhysicalReviewB96,165118(2017)Editor’schoice.
8、“Two-DimensionalSnS:APhosphoreneAnaloguewithStrongIn-PlaneElectronicAnisotropy”
ZhenTian,ChengleiGuo,MingxingZhao,RanranLi,JiaminXue,ACSNano11(2),2219–2226(2017).
7、“Field-effecttransistorsofhigh-mobilityfew-layerSnSe2”
ChengleiGuo,ZhenTian,YanjunXiao,QixiMi,JiaminXue,Appl.Phys.Lett.109,203104(2016).
6、“GrapheneonHexagonalBoronNitride”
MattewYankowitz,JiaminXue,B.J.LeRoy,J.Phys.:Condens.Matter,TopicalReview26,303201(2014).
5、“ChemicalpotentialandquantumHallferromagnetisminbilayergraphenemappedusingdoublebilayerheterostructures”
KayoungLee,B.Fallahazad,JiaminXue,DavidC.Dillen,KyounghwanKim,T.Taniguchi,K.Watanabe,E.Tutuc,Science345,58-61(2014).
4、“BerryphaseandtheunconventionalquantumHalleffectingraphene”
JiaminXue,arXiv:1309.6714(2013).
3、“EmergenceofSuperlatticeDiracPointsinGrapheneonHexagonalBoronNitride”
MatthewYankowitz,JiaminXue,DanielCormode,JavierSanchez-Yamagishi,K.Watanabe,T.Taniguchi,PabloJarillo-Herrero,PhilippeJacquodandBrianJ.LeRoy,NaturePhysics8,382–386(2012).
2、“Longwavelengthlocaldensityofstatesoscillationsneargraphenestepedges”
JiaminXue,JavierSanchez-Yamagishi,K.Watanabe,T.Taniguchi,PabloJarillo-Herrero,andBrianJ.LeRoy,PhysicalReviewLetters108,016801(2012).
1、“Scanningtunnelingmicroscopyandspectroscopyofultra-flatgrapheneonhexagonalboronnitride”JiaminXue,JavierSanchez-Yamagishi,DannyBulmash,PhilippeJacquod,AparnaDeshpande,K.Watanabe,T.Taniguchi,PabloJarillo-Herrero&BrianJ.LeRoy,NatureMaterials10,282-285(2011).
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