个人简介
个人简介
王冲：教授，博士生导师。
个人简介：王冲，2006年于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得博士学位。2007年至今任教于西安电子科技大学微电子学院。自2002年以来长期从事GaN基器件工艺、器件新结构设计和器件可靠性的研究。2003年参与研制国内首个SiC衬底的GaN基高电子迁移率晶体管，2007年国内首个报道了增强型GaN基高电子迁移率晶体管。2011年参与研制出了当时全世界效率最高的GaN微波功率器件。长期从事重点实验室的工艺、设备管理工作。在该研究领域以第一作者或通讯作者发表论文30余篇，获得授权专利5项，专利转让金额70余万元。参加国家纵向科研项目10余项，近5年可支配经费600余万元。研究成果获得国家发明二等奖1项，省科学技术一等奖3项。承担本科生半导体器件物理2和研究生微波器件与电路的授课任务。于2008年赴以色列理工大学做访问学者一年。
科学研究
目前本人承担的科研项目：
主持自然科学基金面上项目：基于FinFET结构的GaN基数字电路关键技术研究
项目批准号：61574110（65万）
主持重点研发计划项目：面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用
项目批准号：2016YFB0400300（200万）
近五年可支配经费600余万元。
荣誉获奖
获得国家发明二等奖1项，省科学技术一等奖3项。
科研团队
截止2017年共培养毕业硕士生4届共8人。
现指导硕士研究生6人。
指导的硕士生4次获得国家奖学金,截止2017年毕业生国奖率50%。
获得优秀硕士论文2次。
课程教学
目前本人承担的教学任务：承担本科场效应器件物理课程的授课；承担研究生微波器件与电路课程的授课；
课件下载：http://xt.xidian.edu.cn/G2S/ShowSystem/CourseDetail.aspx?fCourseID=10653&OrgID=90
招生要求
关于研究生招生的信息：
诚邀对半导体器件有兴趣的学生一起参与科学研究
研究领域
1．宽禁带半导体器件工艺
2.宽禁带半导体新结构器件
3．GaN基电子器件可靠性研究
4．GaN数字电路关键技术研究
5．高击穿电压GaN功率器件研究
近期论文
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[1]OptimizationofohmiccontactforAlGaNGaNHEMTbyintroducingpatternedetchinginohmicarea，Solid-StateElectronics，2017，2，Vol.129，
[2]EffectsofOhmicAreaEtchingonBufferBreakdownVoltageofAlGaN/GaNHEMT，TRANSACTIONSONELECTRICALANDELECTRONICMATERIALS，2017.Vol.18,No.3
[3]Investigationofenhancement-modeAlGaN/GaNnanowirechannelhigh-electronmobilitytransistorwithoxygen-containingplasmatreatment，AppliedPhysicsExpress10,056502(2017)
[4]Enhancement-ModeAlGaN/GaNNanowireChannelHighElectronMobilityTransistorWithFluorinePlasmaTreatmentbyICP，IEEEELECTRONDEVICELETTERS,VOL.38,NO.10,OCTOBER2017
[5]Trapstatesinenhancement-modedoubleheterostructuresAlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistorswithdifferentGaNchannellayerthicknesses，AppliedPhysicsLetters，2015，Vol.107,No.6
[6]PhotoresponseandtrapscharacteristicsoftransparentAZO-gatedAlGaNGaNHEMT,ChinesePhysicsB，2016，Vol.25,No.10
[7]Lowohmic-contactresistanceinAlGaN_GaNhighelectronmobilitytransistorswithholesetchinginohmicregion，ELECTRONICSLETTERS，2015.Vol.51,No.25,pp:2145
[8]EffectsofannealingonSchottkycharacteristicsinAlGaN/GaNHEMTwithtransparentgateelectrode，ChinesePhysicsLetters，2014，Vol.31,No.12,pp.128501,
[9]SimulationandExperimentationforLowDensityDrainAlGaN/GaNHEMT，ChinesePhysicsLetters，2014，Vol.31,No.3,pp:038501
[10]AlGaN/GaNhigh-electron-mobilitytransistorswithtransparentgatesbyAl-dopedZnO，ChinesePhysicsB，2013，Vol.22,No.6,pp:068503
[11]AlGaN_GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管，物理学报，2016.Vol.65,No.3,pp:038501
[12]AlGaN/GaNHEMTswith0.2umV-gaterecessesforX-bandapplication，半导体学报，2012，Vol.33,No.3,034003
[13]BreakdownvoltageandcurrentcollapseofF-plasmatreatedAlGaN/GaNHEMTs，半导体学报，2014，Vol.35,No.1,014008
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