个人简介
个人简介
女，教授，博士生导师
2000年毕业于西安电子科技大学微电子技术专业，获学士学位。
2003年获工学硕士学位，2001年攻读微电子与固体电子学博士学位，2004年获得西安电子科技大学优秀博士学位论文基金资助。2003年转为在职博士任助教，2004年评为讲师，2005年破格晋升为副教授，2010年晋升为教授。2010年赴比利时学习数模混合集成电路设计方法学。
自2000年起，主要从事宽禁带半导体材料与器件、新型VLSI半导体器件模拟与仿真、射频集成电路设计等方面的研究。先后主持国家自然科学基金项目、陕西省自然科学基金项目、应用材料创新基金、宽禁带半导体实验室基金等多项课题，同时作为主要成员承担国防973项目、国防预研项目、军用型号项目等多项课题的研究工作。2001年后，在国内外著名期刊及国际会议上发表学术论文近四十篇，其中第一作者二十余篇，SCI、EI、ISTP检索二十余篇次，尤其是在IEEETrans.OnElectronDevice、AppliedPhysicsA、DiomandandRelatedMaterial、ChinesePhysics、电子学报、半导体学报等刊物发表的论文，已达到国际先进水平。
科学研究
目前研究团队承担的科研项目：
(1)新型碳化硅MESFET特性研究，国家自然科学基金项目，项目负责人
(2)大规模集成电路P/G网的设计验证，陕西省自然科学基金，项目负责人
(3)新型碳化硅整流器的研究，应用材料创新基金，项目负责人
(4)碳化硅功率器件关键技术的研究，教育部宽禁带国家重点实验室基金，项目负责人
(5)超高速、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究，973国家重点基础研究发展计划。
(6)另作为主要成员参与多项国防973和预研项目
学术论文
2001年后，在IEEETrans.OnElectronDevice、AppliedPhysicsA、DiomandandRelatedMaterial、ChinesePhysics及国际会议上发表学术论文近五十篇，其中第一作者三十余篇，SCI、EI、ISTP检索二十余篇次。出版专业著作和教材各一本。
科研团队
教研室学术气氛浓郁，师生之间亲密无间。非常荣幸能成为这样一支团队中的一员。
课程教学
部分教学课程：
《现代半导体器件物理》研究生学位课程
《双极型半导体器件物理》本科必修课程(双语教学)
《微电子专业英语》本科必修课程
《化合物半导体器件物理》本科选修课程
招生要求
关于研究生招生的信息：
招生专业：微电子与固体电子学，电力电子与电力传动
预计每年研究生8名以内（其中包括本校保送生4名以内，外校保送生名额不限）。要求报考的学生数学基础扎实，外语能力良好，踏实肯干。在国家级竞赛中获奖或在有意读博的学生优先考虑。
对做出成绩的学生，有良好奖励措施，对有高水平国际会议论文发表的学生，鼓励出国开会。课题组与欧洲微电子中心、比利时鲁汶大学、澳大利亚Grifith大学、香港城市大学、中国科学院等多家研究机构有密切合作，可对的优秀学生进行推荐。
最好能在报名前与老师取得联系，简单介绍自身情况，包括本科就读院校、专业、成绩，以及个人特长与读研动机等。
研究领域
1、超高速半导体集成电路;2、宽带隙半导体器件与电路;3、VLSI半导体器件模拟与仿真
近期论文
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论文代表作：
[1]HongliangLv,YimenZhang,YumingZhang,Lin-anYang,“AnalyticmodelofI-VCharacteristicsof4H-SiCMESFETsbasedonmultiparametermobilitymodel”,IEEETransactionsonElectronDevices,Vol.51,No.7,2004.pp.1065-1068（EINo.:04388356686，SCINo.:000222279200004）
[2]HongliangLv,YimenZhang,YumingZhang,“Physicalbasedmodelfortrappingandself-heatingeffectsin4H-SiCMESFETs”,AppliedPhysicsA:MaterialsScienceandProcessing,Vol.91,n2,May,2008,pp.287～290.(EI:081311173999,SCI:000254086700015)
[3]HongliangLv,YimenZhang,YumingZhang,“Acomprehensivemodeloffrequencydispersionin4H-SiCMESFET”,Solid-StateElectronics,2009,Vol.53,No.3,pp285-291,(SCI:00264731300007，EI:20091011945754)
[4]HongliangLv,YimenZhang,YumingZhang,“Electrothermalsimulationoftheself-heatingeffectsin4H-SiCMESFETs”,ChinesePhysics，2008,Vol.17,No.4,pp1410-1414.(SCI：000255096900043，EI：081811226789)
[5]HongliangLv,YimenZhang,YumingZhang,“Drainavalanchebreakdownandgateinstabilitiesin4H-SiCMESFET’s”,Diamondandrelatedmaterials,Vol.13,No.9,pp.1587-1591.2004年9月（EINumber:EIP04288262211,SCINo.:000222871000001）
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