个人简介
个人简介
刘琛，工学博士，微电子学院讲师，硕士导师。分别于2010年、2013年和2016年获得西安电子科技大学集成电路设计与集成系统工学学士学位、微电子学与固体电子学硕士学位和博士学位。2015年赴美国威斯康星大学-麦迪逊分校纳米工程器件研究中心访问交流一年半，合作导师是美国APS,IEEE,NAI以及AAAS院士Prof.Zhenqiang(Jack)Ma。主要从事柔性及可降解新型器件，基于异质材料的超高速III-VMOSFET器件研究。自2017年以来，先后主持了国家自然科学基金项目、国防预研项目以及陕西省博士后基金。近年来，以第一作者在Appl.Phys.Lett.,Appl.Surf.Sci.,J.Appl.Phys.等国内外重要期刊发表学术论文15篇，在IEEEIFETC国际柔性电子会议上发表论文2篇，其中一篇是oral，在Nature期刊主办的柔性电子峰会上发表论文1篇，申请国家发明专利4项。
2006.9-2010.7西安电子科技大学，集成电路设计与集成系统，学士；
2010.9-2013.3西安电子科技大学，微电子学与固体电子学，硕士，导师：张玉明；
2013.3-2016.6西安电子科技大学，微电子学与固体电子学，博士，导师：张玉明；
2014.9-2015.12在国家公派联合培养项目支持下赴美国威斯康星大学-麦迪逊分校访问交流，在IEEEFellowZhenqiang(Jack)Ma的指导下从事柔性InGaAs基MOSFET器件研究；
2016.7-2018.11西安电子科技大学，物理学博士后流动站，师资博士后（讲师）；
2018.11-至今西安电子科技大学微电子学院，微电子学与固体电子学，讲师，硕士导师。
科学研究
目前研究团队承担的科研项目：
国家自然科学基金青年基金1项
国防前沿科技创新项目1项
陕西省博士后基金1项
课程教学
目前本人承担的教学任务：
担任本科生课程《化合物半导体材料与器件》的主讲教师，32学时，授课班级：1614011,1614012，1614019班级。
研究领域
1．植入式器件功能及封装材料研究
2.可穿戴硅薄膜晶体管研究
3．超薄氧化物材料界面钝化研究
4．基于异质衬底的超高速III-VMOSFET器件研究
近期论文
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代表性期刊论文
1.CLiu*,ZWang,HLu,YZhang,DLiu,YMZhang,ZMa,JZhao,LGuo,Atomic-layer-depositedHfO2/Al2O3laminateddielectricsforbendableSinanomembranebasedMOScapacitors.AppliedPhysicsLetters114(14),142903,2019.
2.CLiu*,HLü*,TYang,YZhang,YZhang,DLiu,ZMa,WYu,LGuo,UltrathinZnOinterfacialpassivationlayerforatomiclayerdepositedZrO2dielectriconthep-In0.2Ga0.8Assubstrate.AppliedSurfaceScience444,474-479,2018.
3.CLiu*,SJuneCho,YHwanJung,THChang,JHSeo,SMikael,YZhang,et.al.BendableMOScapacitorsformedwithprintedIn0.2Ga0.8As/GaAs/In0.2Ga0.8Astrilayernanomembraneonplasticsubstrates.AppliedPhysicsLetters110(13),133505,2017.
4.CLiu*,ZWang,YZhang,HLu,JZhao,YZhang,LGuo，Capacitance-VoltageInvestigationofHfO2/Al2O3BilayeredHigh-kDielectricsonSiNanomembrane.2018InternationalFlexibleElectronicsTechnologyConference(IFETC),1-2.
5.CLiu,YMZhang,YMZhang,HLLv,EffectofatomiclayerdepositiongrowthtemperatureontheinterfacialcharacteristicsofHfO2/p-GaAsmetal-oxide-semiconductorcapacitors.JournalofAppliedPhysics116(22),222207,2014.
6.LChen,ZYuming,ZYimen,LHongliang,LBin,TemperaturedependentinterfacialandelectricalcharacteristicsduringatomiclayerdepositionandannealingofHfO2filmsinp-GaAsmetal–oxide–semiconductorcapacitors.JournalofSemiconductors36(12),124003,2015.
7.LChen*,ZYu-Ming,ZYi-Men,LHong-Liang,InterfacialcharacteristicsofAl/Al2O3/ZnO/n-GaAsMOScapacitor.ChinesePhysicsB22(7),076701,2013.(被引用超过20次)
8.LChen,YMZhang,HLLu,YMZhang，TheEffectofGateDielectricAl2O3/ZnOonInterfaceQualitywithN-GaAs，2012IEEE11thInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology（ICSICT)(获得最佳学生论文).
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