个人简介
个人简介
1972年生，陕西兴平人，微电子学院博士，教授，博士生导师。分别于1995年、2002年、2009年获西安电子科技大学半导体物理与器件专业学士学位、材料物理与化学专业硕士学位、微电子学与固体电子学专业博士学位，主要从事新型宽禁带半导体材料、新型微波功率器件设计与仿真、集成电路设计及制造技术方面的研究工作。
教学方面长期承担微电子学专业《固体物理学》等专业基础课程的教学任务，出版国家十二五规划教材《固体物理基础教程》一部，先后获得2014年度、2015年度优质教学质量一等奖和二等奖。
科研方面先后承担完成国家自然科学基金、国家科技攻关、预研、预研基金、863科技计划等重大科研项目17项，近几年主持国家自然科学基金面上项目1项、973计划子课题2项、预研项目1项。先后获省部级以上科技进步奖4项，出版专著《碳化硅半导体材料与器件》一部，申请国家发明专利20余项，已授权9项，发表论文50余篇，其中SCI、EI收录40余篇次。
科学研究
目前研究团队承担的科研项目：
1、国家自然科学基金面上项目：“面向高性能RFHPA的高能效新型半导体功率器件设计及实验研究”
2、973计划子课题：“具有电场调制效应新型微波器件设计及关键技术研究”
3、973计划子课题：“服役环境下可延展柔性无机集成器件性能退化机理研究”
4、预先研究项目：“功率MOS器件特性技术”
二、已授权国家发明专利：
[1]贾护军，范忱，毛周，李帅，双MOS结构的光电探测器，专利号：ZL201310039617.X，授权日期：2015.04.08
[2]贾护军，成涛，范忱，谐振腔式的双MOS光电探测器，专利号：ZL201310043845.4，授权日期：2015.05.27
[3]贾护军，李泳锦，李晓彦，邹姣，王志燕，成涛，垂直腔表面发射激光器的驱动器，专利号：ZL201310374491.1，授权日期：2016.04.13
[4]贾护军，裴晓延，孙哲霖，4H-SiC金属半导体场效应晶体管，专利号：ZL201410181931.6，授权日期：2016.11.23
[5]贾护军，张航，邢鼎，具有阶梯缓冲层结构的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，专利号：ZL201410587447.3，授权日期：2017.06.30
[6]贾护军，邢鼎，张航，具有坡形栅极的4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法，专利号：ZL201410587502.9，授权日期：2017.10.13
[7]贾护军，张航，邢鼎，杨银堂，一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其制备方法，专利号：ZL201510223665.3，授权日期：2017.11.07
[8]贾护军，张航，邢鼎，一种具有双凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，专利号：ZL201510001340.0，授权日期：2018.01.12
[9]贾护军，罗烨辉，马培苗，杨志辉，一种具有部分下沉沟道的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法，专利号：ZL201510532352.6，授权日期：2018.01.12
三、出版教材：
贾护军，《固体物理基础教程》，西安电子科技大学出版社，2012年11月，2014年11月入选国家十二五规划教材。
四、出版专著：
杨银堂，贾护军，段宝兴，《碳化硅半导体材料与器件》，电子工业出版社，2012年8月。
科研团队
本研究方向隶属于杨银堂教授科研团队
首席科学家：杨银堂教授
千人计划专家：周岐发教授
杰青：杨银堂教授（2007年）朱樟明教授（2016年）
优青：朱樟明教授（2013年）
教授：杨银堂周岐发朱樟明柴常春李跃进董刚段宝兴刘毅刘帘曦贾护军李亚妮
副教授：高海霞赖睿吴振宇张军琴娄利飞丁瑞雪刘莉吴晓鹏李迪刘马良刘术彬
关于研究生招生的信息：
微电子学与固体电子学专业学术型+集成电路工程专业学位型~5人/年
软件工程专业学位型~5人/年
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[1]HujunJia,YehuiLuo,HangZhang,DingXing,PeimiaoMa，Anovel4H-SiCMESFETwithserpentinechannelforhighpowerandhighfrequencyapplications，SuperlatticesandMicrostructures，2017，101：315-322，SCI：000393245900036，EI：20165003114647
[2]HujunJia,ZhihuiYang,YehuiLuo，Improveddouble-recessedP-buffer4H-SiCMESFETswithpartialheavydopedchannel，MaterialsScienceinSemiconductorProcessing，2016，56：213-216，SCI：000388085800030，EI：20163602775556
[3]HujunJia,PeimiaoMa,YehuiLuo,ZhihuiYang,ZhijiaoWang,QiuyuanWu,MeiHu，Anovel4H-SiCMESFETwithdoubleuppergateandrecessedp-buffer，SuperlatticesandMicrostructures，2016，97：346-352，SCI：000385319200039，EI：20162902604518
[4]HujunJia,HangZhang,YehuiLuo,ZhihuiYang，ImprovedMulti-recessed4H-SiCMESFETswithdouble-recessedp-bufferlayer，MaterialsScienceinSemiconductorProcessing，2015，40：650-654，SCI：000363344600091,EI:20153001060000
[5]HujunJia,DingXing,HangZhang,YingchunYuan,PeimiaoMa,YehuiLuo,RFcharacteristicsfor4H-SiCMESFETwithaclivalgate，MaterialsScienceinSemiconductorProcessing，2015，40：777–780，SCI：000363344600110,EI:20153101101486
[6]HujunJia,HangZhang,DingXing,YehuiLuo,BaoxingDuan,Anovel4H-SiCMESFETwithultrahighuppergate，SuperlatticesandMicrostructures，2015，86：372-378，SCI：000362603100044,EI:20153301166535
[7]HujunJia,HangZhang,DingXing,PeimiaoMa,Improvedperformanceof4H–SiCMESFETswithG-gateandrecessedp-bufferlayer，SuperlatticesandMicrostructures，2015，85：551–556，SCI：000359873200060,EI:20152600970241
[8]HujunJia,DingXing,HangZhang,XiaoyanPei,ZhelinSun,YingchunYuan,Anovel4H-SiCMESFETwithclivalgate，SuperlatticesandMicrostructures，2015，83：29-34，SCI：000357141500004,EI:20151300697567
[9]HujunJia,XiaoyanPei,ZhelinSun,HangZhang,Improvedperformanceof4H-siliconcarbidemetalsemiconductorfieldeffecttransistorswithmulti-recessedsource/draindriftregions，MaterialsScienceinSemiconductorProcessing，2015，31：240-244，SCI：000350513500034,EI:20145200379705
[10]HujunJia,YintangYang,HuZhang，ImprovedL-gate4H-SiCMESFETswithpartialp-typespacer，MaterialsScienceinSemiconductorProcessing，2013，16：352-355，SCI：000316581400019，EI：20131316145057
[11]HujunJia,HuZhang，YintangYang,novel4H-SiCMESFETwithaL-gateandapartialp-typespacer，MaterialsScienceinSemiconductorProcessing，2011，1：2-5，SCI：000305111900002，EI：20122115046530
[12]HujunJia,YintangYang,LianjinZhang,BaoxingDuan，ImprovedPerformanceof4H-SiCMESFETWithSteped-Channel，AppliedMechanicsandMaterials，2013，271：21-25，EI：20130415941617
[13]HujunJia,GuodanZhou,YintangYang,BaoxingDuan，TheEffectofOxideFixedChargeontheBreakdownCharacterisitcsofSiClateralSuperJunctionDevices，AppliedMechanicsMaterials，2012，121-126：1585-1589，EI：20114714533476
[14]JiaHujun,SunZhelin,PeiXiaoyan，Animproved4H-SiCMESFETstructurewithsteppedsourcefieldplate，IndustrialEngineeringandManagementScience,HONGKONG,Aug.08-09,2014，pp.55-58，CPCI-S：000380497500011
[15]JiaHujun;ZhangHang;Xing,Ding;Ma,Peimiao，ImprovedPerformanceof4H-SiCMESFETswithTriple-recessedStructure，2015InternationalConferenceonInformationTechnologyandIndustrialAutomation(ICITIA2015)，Jul.04-05,2015,GuangzhouChina，pp.86-90，CPCI-S：000377607900013
[16]HujunJia,PeimiaoMa,YehuiLuo,DingXing,HangZhang,ZhijiaoWangandQiuyuanWu，ImprovedClivalGate4H-SiCMESFETwithRecessedDrainDriftRegionandRecessedp-bufferlayer，2015InternationalConferenceonElectrical,ElectronicsandMechatronics,Dec.20-21,2015,Thailand，pp.44-47，CPCI-S：000387957700011
[17]Hu-junJia,Zhi-huiYang,Pei-miaoMa,Qiu-yuanWu,Ye-huiLuo，Anovel4H–SiCMESFETwithlocalizedhigh-dopedP-bufferlayer，201613thIEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology(ICSICT)Proceedings，Oct.25-28,2016，Hangzhou,China，P1-038
[18]Hu-junJIA,Ye-huiLUOandPei-miaoMA，ImprovedUltrahighUpperGate4H-SiCMESFETwithSerpentineChannelStructure，2016InternationalConferenceonComputer,MechatronicsandElectronicEngineering，Nov.20-21,2016，BeijingChina，pp.C062
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