郝跃 - 西安电子科技大学

个人简介

个人简介中国科学院院士，西安电子科技大学副校长，博士生导师。1958年3月生于重庆市，1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位；2013年11月当选中国科学院院士。郝跃长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。教学与科研成果：主持的科研成果获得国家发明奖二等奖1项，国家科技进步二、三等奖各1项；省部级科技成果一、二等奖十余项；获得国家发明专利授权三十余项；出版了“氮化物宽禁带半导体材料与电子器件”、“碳化硅宽带隙半导体技术”、“集成电路制造动力学理论与方法”和“微纳米CMOS器件可靠性与失效机理”等多部著作，在国内外著名期刊上发表学术论文500余篇；2010年荣获“何梁何利”科学技术奖。人物特写：http://kxwest.com/html/tebiebaodao/3938.html 人物访谈：http://www.xde6.net/view-22888.html 新闻：http://www.xde6.net/view-26601.html 科学研究郝跃教授的科学研究： GaN异质材料与器件相关基础研究宽禁带半导体器件抗辐照特性研究宽禁带半导体器件可靠性研究宽禁带半导体专用设备研制宽禁带半导体应用与产业化微纳米半导体器件可靠性微纳米集成电路SoC设计 GaN基电子材料基础研究 MOS器件的热载流子效应薄栅氧化层的经时击穿 NBTI和CHC效应 MOS器件的NBTI效应非极性GaN材料研究 http://www.xidian.edu.cn/hyjsktz/index.htm 出版专著电子线路CAD技术与应用软件1992.12西安电子科技大学出版社.贾新章，郝跃著集成电路全书(技术.经济.管理)1993.09电子工业出版社.合编（编委）电子电路CAD技术1994.11西安电子科技大学出版社.贾新章，郝跃编微电子技术概论1995.01国防工业出版社.全国统编教材,贾新章，郝跃编集成电路制造动力学理论与方法1995.11北京教育出版社,河北教育出版社(高科技丛书).郝跃著超高速化合物半导体器件1998.07宇航出版社.合编（编委）碳化硅宽带隙半导体技术2000.05科学出版社.郝跃，彭军，杨银堂编著电可改写非挥发存储器2002.03国防工业出版社.于宗光，郝跃著微电子概论2003.12 高等教育出版社(普通高等教育“十五”国家级规划教材).郝跃，贾新章，吴玉广编著微纳米MOS器件可靠性与失效机理2008.03科学出版社.郝跃，刘红侠编著 ComputeationalIntelligenceandSecurityPartI,PartII 2005.12Springer-VerlagPrinterinGermanyYueHao 学术论文科研论文(杂志和国际会议)-2003年科研论文(杂志和国际会议)-2004年科研论文(杂志和国际会议)-2005年科研论文(杂志和国际会议)-2006年科研论文(杂志和国际会议)-2007年科研论文(杂志和国际会议)-2008年科研论文(杂志和国际会议)-2009年科研论文(杂志和国际会议)-2010年科研论文(杂志和国际会议)-2011年授权专利部分国家发明专利（1）部分国家发明专利（2）部分国家发明专利（3）荣誉获奖郝跃教授相关科研获奖： 2009年国家技术发明奖二等奖1998年国家科技进步三等奖 2008年国家科技进步二等奖1987年电子工业部科技进步一等奖 2005年陕西省科学技术一等奖2007年中国高等学校科学技术一等奖 2006年国防科学技术二等奖2001年国防科学技术二等奖 1999年信息产业部科技进步二等奖1989年机电部科技进步二等奖 2006年国防科学技术二等奖2006年国防科学技术二等奖 2007年陕西省科学技术二等奖2007年中国高等学校科学技术二等奖 2008年国防科学技术二等奖2009年国防科学技术奖一等奖详情见http://www.xidian.edu.cn/hyjsktz/kxyj/kycg/index.htm 团队成员：郝跃张玉明张进成张义门刘红侠李培咸马晓华张金风杨林安冯倩王冲张乃千王省莲吕红亮汤晓燕马佩军史江一蔡觉平王东郑雪峰张春福曹艳荣毛维张弘李康王悦湖杜鸣许晟瑞学生梯队：王琳焦继业王晓飞吕玲学生梯队：毕志伟张伟薛军帅李亮学生梯队：杨传凯杜林谢元斌学生梯队：全思蒲石张月学生梯队：杨小峰杨丽媛陈永和学生梯队：曹梦逸常永明邸志雄重点学科实验室有一支基础素质高、知识面宽，充满朝气、年轻有为的科研队伍。其中教授26人，副教授18人，讲师31人，助教20人；大于50岁的人员有12人，小于30岁的人员有37人；35人具有博士学位，44人具有硕士学位。详情见http://www.xidian.edu.cn/hyjsktz/kydw/zdbs/index.htm 来访交流与英国的曼彻斯特大学、谢菲尔德大学化合物半导体研发中心、日本的德岛大学、美国南卡罗来纳、加州大学圣芭芭拉分校、堪萨斯州立大学、乔治亚理工大学、香港科技大学以及以色列理工大学等进行了广泛的合作和交流。与德国英飞凌公司中国研发中心，以及美国应用材料公司也就科研和人才培养进行了紧密的合作。招生要求关于研究生招生的信息： 1、招收微电子学与固体电子学学科的博士研究生与硕士研究生 2、招收集成电路设计的博士研究生与硕士研究生 3、暂时不招收各类工程硕士研究生欢迎对半导体物理、器件、材料和设计有研究兴趣、爱好和热情的同学。

研究领域

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主要研究方向 1.宽禁带半导体材料与器件 2.微纳半导体新器件及其可靠性 3.SoC设计与设计方法学

学术兼职

国际IEEE学会高级会员，中国电子学会常务理事，陕西省科学技术协会副主席，陕西省半导体行业协会理事长。国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长，总装备部微电子技术专家组组长，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。第九、第十届全国政协委员和第十一届全国人大代表，