段宝兴 - 西安电子科技大学

个人简介

个人简介陕西大荔人，博士，教授，博士生导师。 2000年、2004年在哈尔滨理工大学材料物理与化学专业获学士和硕士学位；2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。 2007年至2009年在西安电子科技大学做博士后研究，主要与杨银堂教授合作从事宽带隙半导体SiC功率器件设计，期间在台湾国立大学进行学术交流八个月，主要负责应变硅应变量表征技术研究。于2010年1月至2011年1月在香港科技大学作访问研究，从事宽带隙半导体GaN功率器件设计、仿真和工艺研究。 2009年博士后出站以人才引进方式评为副教授，2012年7月破格评为教授，2012年12月聘为博士生导师。学术论文先后在《IEEEELECTRONDEVICELETTERS》、《IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES》、《Solid-StateElectronics》、《ScienceinChinaSeriesF:InformationSciences》、《ChinesePhysics》、《ChinesePhysicsLetters》、《中国科学》、《半导体学报》等国际国内重要期刊上发表论文40余篇，其中30篇次被SCI、EI检索。科研团队团队教师博士研究生硕士研究生邵鸣张迪宇课程教学目前本人承担的教学任务：半导体物理Ⅱ 课件下载示例

研究领域

主要从事：（1）硅基功率器件与集成；（2）宽带隙半导体功率器件；（3）45nm后CMOS关键技术研究。首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计；与合作者提出的SOI高压器件介质场增强ENDILF技术成功解决了高压器件纵向耐压受限问题；最近首次在国际上提出了完全3-DRESURF概念并已被国际同行认可。

近期论文

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(5)段宝兴,张波,李肇基.功率半导体器件发展概述.2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会. (6)黄勇光,段宝兴,罗萍.超薄硅层REBULFLDMOS的工艺仿真和设计.四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集.2006,10-13.

学术兼职

国际重要学术期刊《IEEEElectronDeviceLetters》、《Solid-StateElectronics》、《Micro&NanoLetters》、《IEEETransactionsonPowerElectronics》、《IETETechnicalReview》审稿人。国内期刊《半导体学报》、《微电子期刊》、《北京理工大学学报》审稿人。