个人简介

齐鸣，博士、研究员、博士生导师。1982年毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业；1987年和1992年先后在西安交大电子工程系获得工学硕士和博士学位；其中1990-1991年作为联合培养博士生留学于日本东京工业大学。1982年起在西安交大电子工程系任教，1992年任副教授。1993-1995年为中科院上海冶金研究所（现上海微系统所）博士后、副研究员；1995年任研究员、所长助理；1997-2004年任信息功能材料国家重点实验室主任、博士生导师、所长助理；1999年任副所长；2010年任党委书记兼副所长。现任中科院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师、党委书记。在国内外学术刊物和会议上发表论文100多篇，获得授权发明专利20余项；先后获国家科技进步奖1项、省部级科技进步奖5项，享受政府特殊津贴；

研究领域

长期从事化合物半导体微结构材料的分子束外延生长及其器件应用研究

1. 化合物半导体异质结构材料生长 2. 超高速微电子器件设计与制作 3. 半导体薄膜材料与器件。

近期论文

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1. Likun Ai, Anhuai Xu, Teng Teng, Jiebin Niu, Hao Sun, and Ming Qi, Compound semiconductor nanotubes materials grown and fabricated，Nanoscale Research Letters，6(1)，627，（2011）. 2. Teng Teng, Likun Ai, Anhuai Xu, Hao Sun and Ming Qi, InP/InGaAs/InP DHBT structures with graded composition base grown by gas source molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth，323(1),525-528,(2011). 3. H.F.Lu, G.H.Yu, C.T.Lin, X.Z.Wang, B.Wang, X.P.Shi, M.Qi, A.Z.Li, High quality GaN film overgrown on GaN nanorods array template by HVPE, Materials Letters, 64, 1490-1492, (2010). 4. Chaotong Lin, Guanghui Yu, Xinzhong Wang, Mingxia Cao, Haifeng Lu, Hang Gong, Ming Qi, and Aizhen Li, Hydride vapor phase epitaxy growth of high-quality GaN film on in situ etched GaN template, Materials Letters, 63, 943-945, (2009). 5. Chaotong Lin, Guanghui Yu, Xinzhong Wang, Mingxia Cao, Hang Gong, Ming Qi, and Aizhen Li, Improved GaN film overgrown with a molybdenum nanoisland mask, Applied Physics Letters, 93, 031906, (2008).

学术兼职

并担任中国有色金属学会半导体材料学术委员会副主任委员、中国电子学会半导体与集成技术分会委员、《半导体学报》编委等。