叶振华 - 中国科学院大学 - 电子电气与通信工程学院

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 070205-凝聚态物理 070205-凝聚态物理招生方向红外光电器件半导体物理与器件红外器件可靠性教育背景 2003-07--2005-07 中国科学院上海技术物理研究所博士 2000-09--2003-06 中国科学院上海技术物理研究所硕士 1996-09--2000-06 山东大学学士工作简历 2019-01~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 二级研究员 2016-12~2021-01,中国科学院, 三级研究员 2013-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 博士生导师 2012-09~2013-08,中国科学院上海技术物理研究所, 四级研究员 2007-09~2012-08,中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员 2005-07~2007-08,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员 2003-07~2005-07,中国科学院上海技术物理研究所, 博士 2000-09~2003-06,中国科学院上海技术物理研究所, 硕士 1996-09~2000-06,山东大学, 学士奖励信息（1）红外探测关键技术研究集体, 特等奖, 部委级, 2018 （2）硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术, 一等奖, 省级, 2017 专利成果（ 1 ）红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200910198962.1 （ 2 ）子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200910198960.2 （ 3 ）碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200910198969.3 （ 4 ）红外焦平面探测器原位窗口的集成微型滤光片, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL200610117105.0 （ 5 ）用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩模层及制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL200510029961.6 （ 6 ）碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀设备及方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL200510029962.0 （ 7 ）红外焦平面探测器的回流提拉倒装焊接方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL200510030792.8 （ 8 ）红外焦平面探测器的可靠性筛选方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: ZL200510030794.7 （ 9 ）碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法, 2004, 第 1 作者, 专利号: ZL02136720.5 （ 10 ）一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL201010234867.5 （ 11 ）一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL201010182276.8 （ 12 ）一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL201010182280.4 （ 13 ）一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL201010182364.8 （ 14 ）碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200910198967.4 （ 15 ）碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200910198961.7 （ 16 ）背向集成微透镜红外焦平面探测器及微透镜的制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL200610117106.5 （ 17 ）带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL200610118053.9 （ 18 ）碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片, 2006, 第 1 作者, 专利号: ZL200410067487.1 （ 19 ）红外焦平面探测器的铟柱成球方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: ZL200410053174.0 （ 20 ）硅基碲镉汞长波光电二极管新型芯片, 2014, 第 1 作者, 专利号: 20140258854X （ 21 ）一种控制碲镉汞刻蚀刻蚀诱导电学反型层厚度的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201611059411.3 （ 22 ）一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201611061341.5 （ 23 ）一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN201611059411.3 （ 24 ）一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN201611061341.5 科研项目（ 1 ）重大专项, 主持, 国家级, 2015-01--2017-12 （ 2 ）硅基2048X2048红外焦平面探测器, 主持, 国家级, 2019-01--2021-12 （ 3 ）硅基碲镉汞2048X2048红外探测器, 主持, 国家级, 2019-01--2021-12 （ 4 ）重大航天工程红外探测器, 主持, 国家级, 2019-06--2025-12 （ 5 ）重大航天工程红外探测器, 主持, 国家级, 2010-01--2019-12 （ 6 ） XX一体化红外探测器技术, 主持, 国家级, 2019-06--2022-05 （ 7 ）超高分辨率红外探测器, 主持, 国家级, 2021-01--2025-12 参与会议（1）红外光电器件的发展趋势与技术挑战 2020-10-06

近期论文

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（1） A Calculation Method for Response Spectrum of Mercury Cadmium Telluride Infrared Focal Plane Arrays Detector, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 通讯作者（2） Analysis of dark current generated by long-wave infrared HgCdTe photodiodes with diﬀerent implantation shapes, Infrared Physics & Technology, 2019, 通讯作者（3） A review on plasma-etch-process induced damage of HgCdTe, Infrared Physics & Technology, 2018, 通讯作者（4） Inductively Coupled Plasma-Induced Electrical Damage on HgCdTe Etched Surface at Cryogenic Temperatures, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 通讯作者（5） Direct mapping and characterization of dry etch damage-induced PN junction for long-wavelength HgCdTe infrared detector arrays., Optics Letters, 2017, 第 3 作者（6） Theoretical investigation on input properties of DI and CTIA readout integrated circuit, Opt Quant Electron, 2016, 通讯作者（7） A barrier structure optimization for widening processing window in dual-band HgCdTe IRFPAs detectors, Opt Quant Electron, 2016, 第 2 作者（8） Dark Current Characterization of SW HgCdTe IRFPAs Detectors on Si Substrate with Long Time Integration, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 第 2 作者（9） Passivation Effect of Atomic Layer Deposition of Al2O3 Film on HgCdTe Infrared Detectors, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 第 2 作者（10） Dry etched SiO2 Mask for HgCdTe Etching Process, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 第 2 作者（11） Numerical Simulation of Refractive-Microlensed HgCdTeInfrared Focal Plane Arrays Operating in Optical Systems, J. Electron. Mater., 2014, 第 2 作者（12） Photon trapping photodiode design in HgCdTe mid-wavelength infrared focal plane array detectors, Optical and Quantum Electronics, 2014, 第 1 作者（13） 128×128 long-wavelength/mid-wavelength two-color HgCdTe infrared focal plane array detector with ultralow spectral cross talk, OPTICS LETTERS, 2014, 第 2 作者（14） Parameter determination from current–voltage characteristics of HgCdTe photodiodes in forward bias region, Optical and Quantum Electronics, 2013, 第 2 作者（15） Crosstalk suppressing design of GaAs microlenses integrated on HgCdTe infrared focal plane array, Optical and Quantum Electronics, 2013, 第 2 作者（16） Design of spectral crosstalk suppressing structure in two-color HgCdTe infrared focal plane arrays detector, Optical and Quantum Electronics, 2013, 第 1 作者（17） Investigations on a Multiple Mask Technique to Depress Processing-Induced Damage of ICP-Etched HgCdTe Trenches, J. Electron. Mater., 2013, 第 1 作者（18）同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器, 红外与毫米波, 2012, 第 1 作者（19）碲镉汞长波光电二极管列阵的等离子体修饰研究, 红外与毫米波, 2012, 第 1 作者（20） MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, 红外与毫米波, 2012, 第 1 作者（21） A hybrid surface passivation on HgCdTe long wave infrared detector with in-situ CdTe deposition and high-density hydrogen plasma modification, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 3 作者（22） Low-Roughness Plasma Etching of HgCdTe Masked with Patterned Silicon Dioxide, J. Electron. Mater., 2011, 第 1 作者（23）钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片, 红外与毫米波学报, 2011, 第 1 作者（24） 128×128短波/中波双色红外焦平面探测器, 红外与毫米波学报, 2010, 第 1 作者（25）碲镉汞红外双色探测器响应光谱研究, 红外与毫米波学报, 2009, 第 1 作者（26） HgCdTe探测列阵干法技术的刻蚀形貌研究, 红外与毫米波学报, 2006, 第 1 作者（27） LBIC在HgCdTe双色探测器的工艺检测中的应用, 红外与毫米波学报, 2005, 第 1 作者（28）集成式HgCdTe红外双色探测器列阵, 红外与毫米波学报, 2004, 第 1 作者（29）碲镉汞p+-on-n长波异质结探测器的研究, 红外与毫米波学报, 2004, 第 1 作者（30）不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流的研究, 红外与毫米波学报, 2004, 第 1 作者