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个人简介

张林,男,安徽当涂人,1981.03出生,中共党员,博士,副教授,硕士生导师。2003、2006和2009年分别获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业学士、硕士和博士学位。2012.11~2015.11在长安大学交通运输工程博士后流动站从事博士后研究工作。2010年至今在长安大学电子与控制工程学院从事教学和科研工作,担任电子科与技术系副主任。

研究领域

1.新型半导体器件及应用; 2.高温高频电源及应用; 3.新型传感器及应用

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Zhang Lin, Cheng Hong-liang, Hu Xiao-chuanXu Xiao-bo, Model and Optimal Design of 147Pm SiC-based Betavoltaic Cell, Superlattices and Microstructures,In Press,https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.01.007。 张林 杨小艳 高攀 张赞 胡笑钏,高恬溪. SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性研究,半导体技术,2017.02,VOL.42,No.2,37-40; 张林 乔泽宇 李佳 李演明 谷文萍 胡笑钏 张赞,铜钼叠层基板的热学特性仿真研究,微电子学,2016.12,VOL.46,No.6,838-840; 张林 谷文萍 徐小波 李清华 高云霞 胡笑钏,高电流增益SiC BMFET功率特性的优化设计研究,微电子学,2016.08,Vol.46,No.4,558-561; 张林 谷文萍 徐小波 李清华 高云霞 胡笑钏,SiC BMFET开关特性的仿真研究,微电子学,2016.04,Vol.46,No.2,285-288; 张林 肖剑 谷文萍 邱彦章,SiC肖特基栅JFET功率特性的研究,微电子学,2012.08,Vol.42,No.4,556-559; 张林 杨霏 肖剑 邱彦章,SiC JFET功率特性的仿真与优化,微电子学, 2012.06,Vol.42,No.3,402-405; 张林 肖剑 邱彦章 程鸿亮,Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究,电子科技大学学报,2012.05,Vol.41,No.3,467-470;(EI:20122715214972) 张林 杨霏 肖剑 谷文萍 邱彦章,双极模式SiC JFET功率特性的研究,物理学报,2011.10,Vol.60,No.10,107304;(SCI:WOS:000300718700092;IDS: 898EK) 张林 肖剑 邱彦章 程鸿亮,Ti/4H-SiC SBD抗辐射特性的研究,物理学报, 2011.05,Vol.60,No.5,056106;(SCI:WOS:000291239700082;IDS:772ND) Zhang Lin, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Han Chao. Neutron radiation effect on 4H-SiC MESFETs and SBDs. Journal of Semiconductors, 2010.12, Vol.31, No.11, 114006 (EI:20105113508651); Zhang Lin, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Han Chao, and Ma Yong-Ji. High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes at room temperature. Chinese Physics B, 2009.06, Vol.18 No.5, 1931-1934;(SCI: UT ISI:000266457800034,Ei:20093012220934) Zhang Lin, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Han Chao, and Ma Yong-Ji. High energy electron radiation effect on Ni/4H-SiC SBD and Ohmic contact. Chinese Physics B;2009.05,Vol.18 No.8, 3490-3494;(SCI: UT ISI:000268802300059, Ei:20093512274539) 张林 张义门 张玉明 韩 超 马永吉,Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应研究,物理学报,2009.04,Vol.58,No.4,288-292;(SCI: UT ISI:000265324700096) 张林 张义门 张玉明 张书霞 汤晓燕 王悦湖,4H-SiC肖特基二极管Gamma射线探测器的模型与分析,强激光与粒子束,2008.05,Vol.20,No.5,854-858;(EI:082911385592) 张林 张义门 张玉明 汤晓燕,6H-SiC异质结源漏MOSFET的模拟仿真研究,电子器件,2006.12,Vol.29,No.4,1019-1022;(EI:070410389121) 张林 张义门 张玉明 汤晓燕,n+多晶硅/N+SiC异质结接触形成欧姆接触的研究,半导体学报,2006.12,Vol.27,Supplement,378-380; 张林 张义门 张玉明 张书霞 汤晓燕 王悦湖,N型4H-SiC质子辐照效应的仿真研究,第十五届全国半导体集成电路和硅材料学术会议,重庆,2007,535-537; 张林 张义门 张玉明,N型SiC材料带电粒子辐射效应的仿真研究,第十六届全国半导体物理学术会议,兰州,2007,112;

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