张林 - 长安大学 - 电子与控制工程学院

个人简介

张林，男，安徽当涂人，1981.03出生，中共党员，博士，副教授，硕士生导师。2003、2006和2009年分别获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业学士、硕士和博士学位。2012.11~2015.11在长安大学交通运输工程博士后流动站从事博士后研究工作。2010年至今在长安大学电子与控制工程学院从事教学和科研工作，担任电子科与技术系副主任。

研究领域

1.新型半导体器件及应用； 2.高温高频电源及应用； 3.新型传感器及应用

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Zhang Lin, Cheng Hong-liang, Hu Xiao-chuanXu Xiao-bo, Model and Optimal Design of 147Pm SiC-based Betavoltaic Cell, Superlattices and Microstructures，In Press，https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.01.007。张林杨小艳高攀张赞胡笑钏，高恬溪. SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性研究，半导体技术，2017.02，VOL.42，No.2，37-40；张林乔泽宇李佳李演明谷文萍胡笑钏张赞，铜钼叠层基板的热学特性仿真研究，微电子学，2016.12，VOL.46，No.6，838-840；张林谷文萍徐小波李清华高云霞胡笑钏，高电流增益SiC BMFET功率特性的优化设计研究，微电子学，2016.08，Vol.46，No.4，558-561；张林谷文萍徐小波李清华高云霞胡笑钏，SiC BMFET开关特性的仿真研究，微电子学，2016.04，Vol.46，No.2，285-288；张林肖剑谷文萍邱彦章，SiC肖特基栅JFET功率特性的研究，微电子学，2012.08，Vol.42，No.4，556-559；张林杨霏肖剑邱彦章，SiC JFET功率特性的仿真与优化，微电子学， 2012.06，Vol.42，No.3，402-405；张林肖剑邱彦章程鸿亮，Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究，电子科技大学学报，2012.05，Vol.41，No.3，467-470；（EI:20122715214972）张林杨霏肖剑谷文萍邱彦章，双极模式SiC JFET功率特性的研究，物理学报，2011.10，Vol.60，No.10，107304；（SCI:WOS:000300718700092；IDS: 898EK）张林肖剑邱彦章程鸿亮，Ti/4H-SiC SBD抗辐射特性的研究，物理学报， 2011.05，Vol.60，No.5，056106；（SCI:WOS:000291239700082；IDS:772ND） Zhang Lin, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Han Chao. Neutron radiation effect on 4H-SiC MESFETs and SBDs. Journal of Semiconductors, 2010.12, Vol.31, No.11, 114006 （EI：20105113508651）； Zhang Lin, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Han Chao, and Ma Yong-Ji. High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes at room temperature. Chinese Physics B, 2009.06, Vol.18 No.5, 1931-1934；（SCI: UT ISI:000266457800034，Ei：20093012220934） Zhang Lin, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Han Chao, and Ma Yong-Ji. High energy electron radiation effect on Ni/4H-SiC SBD and Ohmic contact. Chinese Physics B；2009.05，Vol.18 No.8, 3490-3494；（SCI: UT ISI:000268802300059， Ei：20093512274539）张林张义门张玉明韩超马永吉，Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应研究，物理学报，2009.04，Vol.58，No.4，288-292；（SCI: UT ISI:000265324700096）张林张义门张玉明张书霞汤晓燕王悦湖，4H-SiC肖特基二极管Gamma射线探测器的模型与分析，强激光与粒子束，2008.05，Vol.20，No.5，854-858；（EI：082911385592）张林张义门张玉明汤晓燕，6H-SiC异质结源漏MOSFET的模拟仿真研究，电子器件，2006.12，Vol.29，No.4，1019-1022；（EI：070410389121）张林张义门张玉明汤晓燕，n＋多晶硅/N+SiC异质结接触形成欧姆接触的研究，半导体学报，2006.12，Vol.27，Supplement，378-380；张林张义门张玉明张书霞汤晓燕王悦湖，N型4H-SiC质子辐照效应的仿真研究，第十五届全国半导体集成电路和硅材料学术会议，重庆，2007，535-537；张林张义门张玉明，N型SiC材料带电粒子辐射效应的仿真研究，第十六届全国半导体物理学术会议，兰州，2007，112；