魏星 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向硅基半导体材料；SOI材料教育背景 2007-04--2010-03 中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士 2004-09--2007-03 长春理工大学硕士 2000-09--2004-07 长春理工大学学士工作简历 2019-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员 2013-01~2018-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员 2010-06~2012-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员 2007-04~2010-03,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士 2004-09~2007-03,长春理工大学, 硕士 2000-09~2004-07,长春理工大学, 学士专利成果（ 1 ） METHOD FOR PREPARING SUBSTRATE WITH INSULATED BURIED LAYER, 2019, 第 1 作者, 专利号: US15/905, 344 （ 2 ） ANNEALING METHOD FOR IMPROVING BONDING STRENGTH, 2020, 第 1 作者, 专利号: US15/906, 074 （ 3 ） METHOD FOR PREPARING SUBSTRATE WITH CARRIER TRAPPING CENTER, 2019, 第 1 作者, 专利号: US15/905, 492 （ 4 ） METHOD FOR CLEANING BONDING INTERFACE BEFORE BONDING, 2020, 第 1 作者, 专利号: US15/905, 339 科研项目（ 1 ）面向射频芯片应用的TR-SOI材料制备及层转移技术中的氢吸附机制研究, 主持, 国家级, 2017-01--2020-12 （ 2 ）基于层转移技术的FinFET SOI材料及工艺开发, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12

近期论文

查看导师新发文章（温馨提示：请注意重名现象，建议点开原文通过作者单位确认）

（1） Effects of boron doping on non-linear properties of SOI with embedded polycrystalline silicon layer for RF applications, Solid State Electronics, 2020, 第 1 作者（2） Fabrication of silicon-on-insulator with high uniform top Si for silicon photonics applications, Materials Science in Semiconductor Processing, 2020, 通讯作者（3） Comparative Investigation on Bias Dependent RF Performance of SOI Substrates, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2019, 通讯作者（4） Investigation on Evolution of Oxygen Precipitates in Bonded SOI Substrate, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2019, 通讯作者（5） Silicon on Insulator with Highly Uniform Top Si Fabricated by H/He Coimplantation, Chinese Physics Letters, 2019, 通讯作者（6） Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on Insulator Substrates, Chinese Physics Letters, 2018, 通讯作者（7） Effects of Low Boron Concentration on Electrical Properties of Commercial Trap-Rich High Resistivity SOI Substrate, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 通讯作者（8） Enhanced cracking in Si B-doped Si0.70Ge0.30 Si heterostructures via hydrogen trapping effect, Journal of Vacuum Science and Technology B, 2018, 第 1 作者（9） Fabrication and Characterization of Radiation Hardened SOI Wafers via Ion-Cut Technique, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 通讯作者（10） Investigation of radiation hardened SOI wafer fabricated by ion-cut technique, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research B, 2018, 通讯作者