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个人简介

徐安怀,1994年7月于长春光学精密机械学院(现长春理工大学)光学物理系获理学学士学位;1994年8月于南京江南光电集团股份有限公司航测组参加工作,技术员;1996年1月—1998年8月长春理工大学计算机系辅导员;2001年3月于长春理工大学获硕士学位;2001年9月—2004年7月中科院上海微系统与信息技术研究所获博士学位;2006年1月为副研究员,2014年1月为正高级工程师,2009年7月任信息功能材料实验室行政副主任,2014年4月任综合保障处处长。先后主持和承担了多项国家973、自然基金、支撑项目、中科院知识创新等项目的研究工作,在高含铟组分接触层的生长工艺、超薄重掺杂基区材料生长技术以及消除在InPDHBT的集电结电流阻挡效应的能带结构设计上,做出了富有成效的工作。在国、内外学术刊物上发表论文四十余篇。

研究领域

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主要从事HBT和HEMT器件与电路用InP基及含磷化合物半导体微波毫米波外延材料的能带结构设计、电流传输特性和气态源分子束外延(GSMBE)生长的关键技术研究

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