俞文杰 - 中国科学院大学 - 电子电气与通信工程学院

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向先进SOI材料，SOI高迁移率器件，SOI抗辐照器件教育背景 2009-09--2011-06 德国于利希研究中心(Forschungszentrum Juelich) 联合培养博士生 2005-09--2011-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究生/博士 2001-09--2005-06 复旦大学本科/学士工作简历 2011-06~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员、研究员 2011-06~2011-08,德国于利希研究中心(Forschungszentrum Juelich), 访问学者 2009-09~2011-06,德国于利希研究中心(Forschungszentrum Juelich), 联合培养博士生 2005-09~2011-06,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究生/博士 2001-09~2005-06,复旦大学, 本科/学士 ~现在, 专利成果（ 1 ）一种图形化绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL201110384236.6 （ 2 ）一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201110383790.2 （ 3 ）一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201110384180.4 （ 4 ）一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL201110383797.4 （ 5 ）一种绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL201110383801.7 （ 6 ）一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201310573864.8 （ 7 ）一种隧穿场效应晶体管及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL201310574824.5 （ 8 ）一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL201310573840.2 （ 9 ）一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201310574812.2 （ 10 ）一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310574815.6 （ 11 ）一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201511017224.4 （ 12 ）一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201511018026.X （ 13 ）一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201511019607.5 （ 14 ）基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610301899.X （ 15 ）用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610301877.3 （ 16 ）一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610300740.6 （ 17 ）基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610300774.5 （ 18 ）基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610301900.9 （ 19 ）场效应晶体管结构及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201711155137.4 （ 20 ）磁性隧穿结器件及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811495874.3 （ 21 ）基于二维自由磁层的磁性隧穿结器件及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811495831.5 （ 22 ）基于隧穿隔离层的磁性隧穿结器件及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811495192.2 （ 23 ）基于二维材料的磁性隧穿结器件及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811495195.6 （ 24 ）基于柔性衬底的磁性隧穿结器件及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811495201.8 （ 25 ）三维MRAM存储结构及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811495212.6 （ 26 ）基于二维CMOS的三维MRAM存储结构及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811495173.X （ 27 ）基于二维器件的三维MRAM存储结构及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811495172.5 （ 28 ）图形化结构的SOI衬底的制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910027050.1 （ 29 ）图形化结构的SOI衬底的制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910026972.0 （ 30 ）基于图形化SOI衬底的半导体纳米线结构及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910027054.X （ 31 ）环栅晶体管及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910027378.3 （ 32 ）环栅晶体管的制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910027051.6 （ 33 ）多通道环栅晶体管, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910027365.6 （ 34 ）图形化结构的SOI衬底及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910027528.0 （ 35 ）三维堆叠的半导体纳米线结构及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910026963.1 （ 36 ）三维堆叠的环栅晶体管及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910027040.8 （ 37 ）三维堆叠的环栅晶体管的制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910027361.8 （ 38 ）基于图形化SOI衬底的抗辐照晶体管及其制作方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 2019102391572 科研项目（ 1 ）无背栅 SOI MOS 器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究, 主持, 国家级, 2017-01--2020-12 （ 2 ）纳米级全耗尽高迁移率应变硅锗量子阱沟道器件研究, 主持, 省级, 2012-10--2015-09 （ 3 ）高迁移率Si/SiGe/SOI 量子阱MOS器件载流子散射机理研究, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12 （ 4 ）中国科学院“青年创新促进会”项目, 主持, 部委级, 2014-01--2017-12 （ 5 ） 16/14nm基础技术研究绝缘体上III-V族化合物衬底材料制备技术研究, 参与, 部委级, 2013-01--2014-12 （ 6 ）面向超灵敏探测的异质集成研究, 主持, 部委级, 2016-07--2021-06 参与会议（1）High Hole Mobility Si/SiGe/SOI Quantum-well Transistor 2015-10-24 （2）High Hole Mobility (s)Si/SiGe/(s)SOI Quantum Well p-MOSFETs 第八届中国功能材料及应用学术会议 2013-08-24 （3）Characteristics of higher-κ dielectric LaLuO3 with TiN as gate stack 2012-10-29 （4）Hole mobility enhancement of quantum-well p-MOSFETs on sSi/sSi0.5Ge0.5/sSOI heterostructure 2012-05-14 （5）High Mobility Si/Si0.5Ge0.5/strained SOI p-MOSFET with HfO2/TiN Gate Stack 2010-11-01

近期论文

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（1） Evidence for ferromagnetic order in the CoSb layer of LaCoSb2, Physical Review B, 2020, 第 9 作者（2） Monolithic integration of MoS2-based visible detectors and GaN-based UV detectors, Photonics Research, 2019, 第 7 作者（3） Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period through vacancy epitaxy, Nature Communications, 2019, 其他（合作组作者）（4） Strain enhancement for MoS2-on-GaN photodetector with Al2O3 stress liner grown by atomic layer deposition, Photonics Research, 2019, 第 5 作者（5） A T-Shaped SOI Tunneling Field-Effect Transistor With Novel Operation Modes, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2019, 通讯作者（6） 3D Local Manipulation of the Metal–Insulator Transition Behavior in VO2 Thin Film by Defect-Induced Lattice Engineering, Advanced Materials Interfaces, 2018, 第 9 作者（7） Monolayer WxMo1.xS2 Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition: Bandgap Engineering and Field Effect Transistors, Advanced Functional Materials, 2017, 第 1 作者（8） 86 mV/dec subthreshold swing of back-gated MoS2 FET on SiO2, Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2017, 通讯作者（9） Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky Barrier MOSFETs with Epitaxial NiSi2 Contacts and Dopant Segregation, Chinese Physics Letters, 2017, 通讯作者（10） Ion-sensitive field-effect transistor with sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well for high voltage sensitivity, Microelectronic Engineering, 2016, 通讯作者（11） Band alignment of HfO2/multilayer MoS2 interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy: Effect of CHF3 treatment, Applied Physics Letter, 2015, 通讯作者（12） Band alignment of atomic layer deposited high-k Al2O3/multilayer MoS2 interface determined byx-ray photoelectron spectroscopy, Journal of Alloy and Compound, 2015, 通讯作者（13） AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor with PolarizedP(VDF-TrFE) Ferroelectric Polymer Gating, Scientific Report, 2015, 通讯作者（14） High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-k/metal-gate last process, Superlattices and Microstructures, 2015, 通讯作者（15） Experimental Investigation on Alloy Scattering in sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI Quantum-Well p-MOSFET, IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 第 1 作者（16） Impact of Si cap, strain and temperature on the hole mobility of (s)Si/sSiGe/(s)SOI quantum-well p-MOSFETs, Microelectronics Engineering, 2014, 第 1 作者（17） High Voltage AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors with RegrownIn0.14Ga0.86N Contact Using a Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Gold-Free Process, Applied Physics Express, 2014, 通讯作者（18） Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-k LaLuO3 Gate Dielectric, CHIN. PHYS. LETT, 2014, 第 1 作者（19） Hole mobility of Si/Si0.5Ge0.5 quantum-well transistor on SOI and strained SOI, IEEE Electron Device Letters, 2012, 第 1 作者（20） High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-κ/Metal-Gate, Solid State Electronics, 2011, 第 1 作者