张波 - 中国科学院大学 - 电子电气与通信工程学院

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向半导体材料与器件教育背景 2009-09--2011-08 德国Juelich研究中心合作研究 2007-09--2011-05 中科院上海微系统所攻读博士学位 2004-09--2007-03 华中科技大学攻读硕士学位工作简历 2013-12~现在, 中科院上海微系统所, 副研究员 2011-09~2013-12,中科院上海微系统所, 助理研究员 2009-09~2011-08,德国Juelich研究中心, 合作研究 2007-09~2011-05,中科院上海微系统所, 攻读博士学位 2004-09~2007-03,华中科技大学, 攻读硕士学位科研项目（ 1 ）铝调制外延生长单晶镍硅锗化物及形成机理的研究, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12 （ 2 ）高迁移率全耗尽绝缘体上SiGe材料研究, 主持, 部委级, 2014-01--2016-12 （ 3 ）情报分析可持续服务能力建设, 主持, 部委级, 2015-01--2016-12 （ 4 ）中科院上海微系统所双创示范基地“超越摩尔”支撑平台建设, 主持, 国家级, 2019-01--2020-12 （ 5 ）中科院上海微系统所技术转移服务机构示范, 主持, 省级, 2019-06--2020-06

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（ 1 ）一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN 102820253 出版信息发表论文（1） 700◦C退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理, 物理学报, 2016, 通讯作者（2） Impact of an ultra-thin Ti interlayer on the formation of NiSiGe/SiGe, Microelectronic Engineering, 2015, 第 1 作者（3） Effect of Sn implantation on thermal stability improvement of NiSiGe, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2015, 第 1 作者（4） Improvementof NiSiGe/SiGe Interface Morphology by Ti Incorporation, 2014 IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2014, 通讯作者（5） Effect of Ti interlayer on the formation of epitaxial NiSiGe on strained Si0.8Ge0.2, 14th International Workshop on Junction Technology, 2014, 通讯作者（6） Formation of High-oriented Epitaxial Ni(SiGe) on Strained SiGe/Si(100) via Adding a Thin Ti Interlayer, ECS Transactions, 2014, 通讯作者（7） Effects of C ion implantation on electrical properties of NiSiGe/SiGe contacts, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 2013, 第 1 作者