个人简介
简介:
男，生于1980年2月，2001年和2004年分别于兰州大学获得学士和硕士学位，2007年于中国科学院物理研究所获得博士学位，2007年8月-2008年12月在瑞典和美国做博士后，2009年1月加入中国科学院物理研究所，2016年7月-2017年7月在美国埃姆斯实验室访问。国家优秀青年科学基金获得者，荣获卢嘉锡青年人才奖和中国硅酸盐学会青年科技奖等奖项。
过去的主要工作及获得的成果:
1.发现AxFe2Se2（A=K,Li,Na,Ca,Sr,Ba,Eu,Yb）超导家族，开辟了超导研究的新方向，被NatureMaterials纪念超导发现一百周年社论列为超导领域的主要进展之一。
2.与同事突破了大尺寸碳化硅单晶物理气相传输法生长、加工的多项关键技术，首次实现国产2-6英寸碳化硅单晶衬底产业化；首次获得了具有室温铁磁性的碳化硅晶体，揭示了缺陷产生磁性的物理机制，澄清了宽禁带半导体碳化硅本征磁性的起源，开辟了缺陷工程调控半导体磁性新途径；首次将碳化硅用作中红外非线性光学晶体，分别基于4H碳化硅晶体的差频和光参量放大获得了中红外激光输出，高的激光损伤阈值使碳化硅有望解决目前中红外非线性光学晶体面临的瓶颈问题（激光损伤阈值低），作为新非线性光学材料用于大功率中红外激光的输出。
3.首次研究了TaAs的光电效应，发现TaAs在光电响应波长范围（438.5nm-10.29μm）和工作温度（室温）上，比窄带隙半导体、石墨烯、MoS2和Cd3As2等都有优势；在ZrSiS单晶上观察到源于表面态的创纪录的二阶（4780±920pmV-1）和三阶（7.47×10-12m2V-2）非线性极化率，其表面二次谐波的转换效率比典型的表面二次谐波转换效率高10个数量级以上。
已在Phys.Rev.Lett.、J.Am.Chem.Soc.、Adv.Mater.等发表学术论文74篇，授权国际专利3项、发明专利10余项。
*Correspondingauthor
国际专利1
Nonlinearopticaldevicemanufacturedwith4Hsiliconcarbidecrystal
X.L.Chen,S.C.Wang,T.H.Peng,G.Wang,C.J.Liu,W.J.Wang,S.F.Jin
US9500931B2,JP5898341
国际专利2
Processforgrowingsiliconcarbidesinglecrystalbyphysicalvaportransportmethodandsiliconcarbidesinglecrystalannealinginsitu
X.L.Chen,B.Wang,L.Y.Li,T.H.Peng,C.J.Liu,W.J.Wang,G.Wang
US9340898B2,JP5450895
国际专利3
Semi-insulatingsiliconcarbidesinglecrystalandgrowthingmethodtherefor
X.L.Chen,C.J.Liu,T.H.Peng,L.Y.Li,B.Wang,G.Wang,W.J.Wang,S.F.Jin
US9893152B2,JP5657109
目前的研究课题及展望:
1.过渡金属基新层状电磁功能材料探索、晶体生长与物性（国家重点研发计划项目、国家自然科学基金面上项目）
2.三维高迁移率半导体材料探索、晶体生长与物性（国家自然科学基金重点项目）
3.拓扑半金属晶体生长与光、电效应
培养研究生情况:
目前在读研究生5名。曾协助培养博士生5名，其中2人次获得中科院优秀博士学位论文，1人次获得国际衍射数据中心（ICDD）LudoFrevel晶体学奖学金。
研究领域
主要研究方向:
无机电磁功能材料探索、晶体生长与物性
近期论文
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代表性论文及专利:
1.SurfacenonlinearopticsoncentrosymmetricDiracnodal-linesemimetalZrSiSS.M.Chi,F.Liang,H.X.Chen,W.D.Tian,H.Zhang,H.H.Yu,*G.Wang,*Z.S.Lin,*J.P.Hu,H.J.Zhang*Adv.Mater.32,1904498(2020).
2.Lackofsuperconductivityinthephasediagramofsingle-crystallineEu(Fe1−xCox)2As2grownbytransitionmetalarsenidefluxG.Wang,*W.R.Meier,W.E.Straszheim,J.Slagle,S.L.Bud’ko,P.C.CanfieldPhys.Rev.Mater.2,104801(2018).
3.Awide-rangephotosensitiveWeylsemimetalsinglecrystal-TaAsS.M.Chi,Z.L.Li,Y.Xie,Y.G.Zhao,Z.Y.Wang,L.Li,H.H.Yu,*G.Wang,*H.M.Weng,*H.J.Zhang,*J.Y.WangAdv.Mater.30,1801372(2018).
4.Siliconcarbide:Awide-bandgapsemiconductorandbeyondinHumblebeginnings,brightfuture:InstituteofPhysics(CAS)at90G.Wang,W.J.Wang,T.H.Peng,L.W.Guo,X.L.Chen*Science360,51-54(2018).
5.Understandingdoping,vacancy,latticeStability,andsuperconductivityinKxFe2−ySe2Y.Liu,G.Wang,*T.P.Ying,X.F.Lai,S.F.Jin,N.Liu,J.P.Hu,X.L.Chen*Adv.Sci.3,1600098,(2016).
6.Formationandstabilityoflow-dimensionalstructuresforgroupVIIIBandIBtransitionmetals:Theroleofsd4hybridizationJ.H.Yang,Q.J.Zhang,L.Chen,*G.Wang,*X.L.Chen*Adv.Sci.3,1500314,(2016).
7.TunablecobaltvacanciesandrelatedpropertiesinLaCoxAs2S.J.Shen,G.Wang,*S.F.Jin,Q.Z.Huang,T.P.Ying,D.D.Li,X.F.Lai,T.T.Zhou,H.Zhang,Z.P.Lin,X.Z.Wu,X.L.Chen*Chem.Mater.26,6221-6225(2014).
8.Superconductingphasesinpotassium-intercalatedironselenidesT.P.Ying,X.L.Chen,*G.Wang,*S.F.Jin,X.F.Lai,T.T.Zhou,H.Zhang,S.J.Shen,W.Y.WangJ.Am.Chem.Soc.135,2951-2954(2013).
9.4H-SiC:AnewnonlinearmaterialformidinfraredlasersS.C.Wang,M.J.Zhan,G.Wang,*H.W.Xuan,W.Zhang,C.J.Liu,C.H.Xu,Y.Liu,Z.Y.Wei,X.L.Chen*LaserPhotonicsRev.7,831-838(2013).
10.StructuralandelectronicpropertiesofTgraphene:Atwo-dimensionalcarbonallotropewithtetraringsY.Liu,G.Wang,*Q.S.Huang,L.W.Guo,X.L.Chen*Phys.Rev.Lett.108,225505(2012).
11.Observationofsuperconductivityat30~46KinAxFe2Se2(A=Li,Na,Ba,Sr,Ca,Yb,andEu)T.P.Ying,X.L.Chen,*G.Wang,*S.F.Jin,T.T.Zhou,X.F.Lai,H.Zhang,W.Y.WangSci.Rep.2,426(2012).
12.Defect-inducedmagnetisminneutronirradiated6H-SiCsinglecrystalsY.Liu,G.Wang,*S.C.Wang,J.H.Yang,L.Chen,X.B.Qin,B.Song,B.Y.Wang,X.L.Chen*Phys.Rev.Lett.106,087205(2011).
13.SuperconductivityintheironselenideKxFe2Se2(0≤x≤1.0)J.G.Guo,S.F.Jin,G.Wang,S.C.Wang,K.X.Zhu,T.T.Zhou,M.He,X.L.ChenPhys.Rev.B82,180520(R)(2010).
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