郭丽伟 - 中国科学院物理研究所 -

个人简介

简介: 女，1962年3月生，分别于1984年和1987年在辽宁大学物理系获理学学士和理学硕士，于1996年在中国科学院物理研究所获理学博士。曾在香港科技大学和日本东北大学金属材料研究所进行访问研究。过去的主要工作及获得的成果: （1）采用分子束外延（MBE）技术制备SiGe基、GaAs基、InGaP基量子结构，并对其电、光等性能进行研究；（2）采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术外延GaN基光电器件结构材料，并研究其输运和光学特性；（3）采用物理气相输运（PVT）技术生长宽带隙半导体晶体材料（AlN和SiC），并研究其生长规律和机制；（4）利用热分解SiC方法在SiC上外延生长石墨烯，开发出满足不同应用需求的石墨烯/SiC异质结，并发明了基于石墨烯和SiC的自供电紫外探测器和光电晶体管。（5）在国内外重要学术刊物上发表研究论文百余篇，获授权发明专利15项。目前的研究课题及展望: 目前正在参与北京市科委先导与优势材料项目的研究任务（SiC单晶液相生长技术研究）和承担国家基金委面上项目（在SiC衬底上原位生长石墨烯的PN结及其特性研究）任务。目前的研究方向：（1）基于SiC上石墨烯探索新概念光电器件及其特性研究；(2）宽带隙半导体AlN和SiC晶体材料的生长和相关物性研究。培养研究生情况: 已指导博士毕业研究生12名。指导在读研究生5名。

研究领域

主要研究方向: 新一代光电功能材料的生长、结构和物性研究。

近期论文

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代表性论文及专利: 1.RectifiedphotocurrentinaplanarITO/graphene/ITOphotodetectoronSiCbylocalirradiationofultravioletlight，Yang,Junwei;Guo,Liwei;Huang,Jiao;etal,JOURNALOFPHYSICSD-APPLIEDPHYSICS,50,405102(2017) 2.AnEffectiveApproachfortheIdentificationofCarrierTypeandLocalInversionDopinginGraphenebyBiasedAtomicForceMicroscopy,Jia,Yuping;Guo,Liwei;Li,Zhilin;etal,ADVANCEDELECTRONICMATERIALS,2,1500255(2016) 3.BipolarCarrierTransferChannelsinEpitaxialGraphene/SiCCore-ShellHeterojunctionforEfficientPhotocatalyticHydrogenEvolution,Lu,Wei;Wang,Da;Guo,Liwei;etal,ADVANCEDMATERIALS,27,7986(2015) 4.IdentificationofdominantscatteringmechanisminepitaxialgrapheneonSiC,Lin,Jingjing;Guo,Liwei;Jia,Yuping;etal,APPLIEDPHYSICSLETTERS,104,183102(2014) 5.Towardsintrinsicmagnetismofgraphenesheetswithirregularzigzagedges,Chen,Lianlian;Guo,Liwei;Li,Zhilin;etal,SCIENTIFICREPORTS,3,2599(2013) 6.StructuralandElectronicPropertiesofTGraphene:ATwo-DimensionalCarbonAllotropewithTetrarings,Liu,Yu;Wang,Gang;Huang,Qingsong;etal,PHYSICALREVIEWLETTERS,108,225505(2012) 7.一种光伏装置和一种产生光伏效应的方法，授权专利号：2015101646557，郭丽伟，陈小龙 8．一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法，授权专利号：2015105986280，郭丽伟，陈小龙等

学术兼职

兼任半导体学报编委。