杨诗洋 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学招生方向集成电路工程工作简历 2017-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员 2012-04~2017-04,中国科学院微电子研究所, 助理研究员 2009-07~2012-04,中国科学院微电子研究所, 研究实习员专利成果（ 1 ）存储器芯片及其数据处理电路和数据处理方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201911029701.7 （ 2 ）占空比校准装置及方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: 201910877648.X （ 3 ）一种数据写入控制电路和控制方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910155811.1 （ 4 ）一种多相时钟串行器及信号转换系统, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811607524.1 （ 5 ）一种占空比校准电路, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201811069756.6 （ 6 ）一种基准电压源, 2018, 第 3 作者, 专利号: 201810072131.9 （ 7 ）一种CMOS振荡器电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201711328023.5 （ 8 ）一种非易失三维存储器的控制电路, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201711281993.4 （ 9 ） 201821502409.3, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201821502409.3 （ 10 ）灵敏放大器及一种信号处理的方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201410719895.4 （ 11 ）存储芯片、存储单元及其驱动方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201510062419.4 （ 12 ）闪存式存储器电路及其布局方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201410082113.0 （ 13 ）非连续性电流控制的双环电荷泵控制电路, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201410404393.2 （ 14 ）一种RC振荡器, 2018, 第 4 作者, 专利号: 201410637023.3 （ 15 ）一种眼图参考电压的校准方法及装置, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110276674.4 科研项目（ 1 ） 64层3D NAND存储单元可靠性技术研究, 参与, 院级, 2016-01--2020-12 （ 2 ）三维存储器器件与可靠性技术研究, 参与, 市地级, 2017-01--2018-12 （ 3 ）面向IC的超快激光精密切割技术与装备, 参与, 市地级, 2019-01--2021-12

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（1） A High Efficiency All-PMOS Charge Pump for 3D NAND Flash Memory, A High Efficiency All-PMOS Charge Pump for 3D NAND Flash Memory. In Proceedings of the IEEE 11th International Conference on ASIC (ASICON), 2015, 第 4 作者