项金娟 - 中国科学院大学

个人简介

招生专业 080903-微电子学与固体电子学 085400-电子信息招生方向 ALD工艺研究铪基铁电器件教育背景 2013-09--2016-07 中国科学院大学研究生/博士学位 2004-09--2007-04 哈尔滨理工大学研究生/硕士学位 2000-09--2004-07 哈尔滨理工大学本科/学士学位工作简历 2017-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员 2016-07~2017-03,中国科学院微电子研究所, 助理研究员 2013-09~2016-07,中国科学院大学, 研究生/博士学位 2009-08~2013-08,中国科学院微电子研究所, 助理研究员 2007-04~2009-06,中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司, 工艺工程师 2004-09~2007-04,哈尔滨理工大学, 研究生/硕士学位 2000-09~2004-07,哈尔滨理工大学, 本科/学士学位专利成果（ 1 ） TRANSISTOR HAVING A GATE WITH A VARIABLE WORK FUNCTION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, 2019, 第 1 作者, 专利号: 10,312,345B2 （ 2 ）一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910631672.5 （ 3 ）半导体器件与其制作方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: 201811564982.1 （ 4 ）半导体器件制造方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN201410353945.1 （ 5 ）后栅工艺中金属栅的制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN201010500383.0 科研项目（ 1 ）锗基MOS器件栅结构界面偶极子的研究, 主持, 国家级, 2020-01--2022-12 （ 2 ）中科院青年促进会项目, 主持, 部委级, 2017-01--2020-12

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（1） Influence of interlayer GeOx thickness on band alignment of Al2O3/GeOx/ Ge structure, MaterialsScienceinSemiconductorProcessing, 2020, 第 1 作者（2） Electron mobility in silicon nanowires using nonlinear surface roughness scattering mode, Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 通讯作者（3） Impact of Charges at Ferroelectric/Interlayer Interface on Depolarization Field of Ferroelectric FET With Metal/ Ferroelectric/Interlayer/Si Gate-Stack, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 通讯作者（4） On the applicability of Gibbs free energy landscape to the definition and understanding of transient negative capacitance in a ferroelectric capacitor, Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 通讯作者（5） Experimental study of the ultrathin oxides on SiGe alloy formed by low-temperature ozone oxidation, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 通讯作者（6） Atomic Layer Deposition (ALD) of Metal Gates for CMOS, Appl. Sci., 2019, 通讯作者（7） Evaluation of hole mobility degradation by remote Coulomb scattering in Ge pMOSFETs, Semicond. Sci. Technol., 2019, 通讯作者（8） Growthmechanismofatomic-layer-depositedTiAlCmetalgate basedonTiCl4 andTMAprecursors, Chin.Phys.B, 2016, 第 1 作者（9） Investigation of N Type Metal TiAlC by Thermal Atomic Layer Deposition Using TiCl4 and TEA as Precursors, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 1 作者（10） Investigation of Thermal Atomic Layer Deposited TaAlC with Low Effective Work-Function on HfO2 Dielectric Using TaCl5 and TEA as Precursors, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 1 作者（11） ECS Journal of Solid State Science and Technology, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 1 作者（12） Thermal Atomic Layer Deposition of TaAlC with TaCl5 and TMA as Precursors, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 1 作者（13） Understanding the Role of TiN Barrier Layer on Electrical Performance of MOS Device with ALD-TiN/ALD-TiAlC Metal Gate Stacks, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 1 作者（14） Investigation of TiAlC by Atomic Layer Deposition as N Type Work Function Metal for FinFET, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2015, 第 1 作者