个人简介
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
铁电器件
教育背景
2008-09--2013-06 中国科学院大学 博士
2004-09--2008-06 西北工业大学 学士
工作简历
2020-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2016-01~2021-07,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2013-07~2016-01,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
科研项目
（ 1 ） 金属/界面层/n型锗结构中的固定电荷和界面偶极子对其接触电阻的调 制效果和机理的研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
（ 2 ） 中国科学院青年创新促进会, 主持, 部委级, 2014-01--2017-12
（ 3 ） 高k金属栅的阈值调控, 主持, 国家级, 2019-01--2020-12
（ 4 ） Ge基器件的远程库伦散射机制的研究, 参与, 国家级, 2017-01--2020-12
（ 5 ） 铁电存储器阵列, 参与, 省级, 2021-03--2022-12
（ 6 ） 基于铁电/介电界面电荷技术调控HfO2基铁电晶体管的退极化电场的方法研究, 主持, 研究所（学校）, 2020-07--2021-12
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（1） Impact of Charges at Ferroelectric/Interlayer Interface on Depolarization Field of Ferroelectric FET With Metal/Ferroelectric/Interlayer/Si Gate-Stack, IEEE Trans. Electron Devices, 2020, 第 1 作者
（2） On the applicability of Gibbs free energy landscape to the definition and understanding of transient negative capacitance in a ferroelectric capacitor, Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 通讯作者
（3） Electron mobility in silicon nanowires using nonlinear surface roughness scattering model, Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 通讯作者
（4） Identification of a suitable passivation route for high-k/SiGe interface based on ozone oxidation, Appl. Surf. Sci., 2019-07, 通讯作者
（5） Experimental Investigation of Remote Coulomb Scattering on Mobility Degradation of Ge pMOSFET by Various PDA Ambiences, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 通讯作者
（6） Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface, Appl. Phys. Lett., 2018, 通讯作者
（7） Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation, Semiconductor Science and Technology, 2018, 通讯作者
（8） Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/Al2O3 gate stacks of Ge MOS capacitor by postdeposition annealing, Jpn. J Appl. Phys., 2018, 通讯作者
（9） Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFETs, IEEE Trans. Electron Devices, 2017, 第 1 作者
（10） Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOx gate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOx grown by ozone oxidation, J. Phys. D: Appl. Phys., 2017, 通讯作者
（11） Experimental estimation of charge neutrality level of SiO2, Appl. Surf. Sci., 2017, 通讯作者
（12） Investigation of Thermal Atomic Layer Deposited TaAlC with Low Effective Work-Function on HfO2 Dielectric Using TaCl5 and TEA as Precursors, ECS J. Solid State Sci. Technol., 2017, 通讯作者
（13） Experimental investigation on oxidation kinetics of germanium by ozone, Appl. Surf. Sci., 2016, 第 1 作者
（14） Remote interfacial dipole scattering and electron mobility degradation in Ge field-effect transistors with GeOx/Al2O3 gate dielectrics, J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, 第 1 作者
（15） Investigation of spatial charge distribution and electrical dipole in atomic layer deposited Al2O3 on 4H-SiC, J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, 第 1 作者
（16） Dependence of electrostatic potential distribution of Al2O3/Ge structure on Al2O3 thickness, Surf. Sci., 2016, 第 1 作者
（17） Investigation on the dominant key to achieve superior Ge surface passivation by GeOx based on the ozone oxidation, Appl. Surf. Sci., 2015, 第 1 作者
（18） A possible origin of core-level shifts in SiO2/Si stacks, Appl. Phys. Lett., 2013, 第 1 作者
（19） Reexamination of band offset transitivity employing oxide heterojunctions, Appl. Phys. Lett., 2013, 第 1 作者
（20） Band alignment of HfO2 on SiO2/Si structure, Appl. Phys. Lett., 2012, 第 1 作者
（21） Band alignment of TiN/HfO2 interface of TiN/HfO2/SiO2/Si stack, Appl. Phys. Lett., 2012, 第 1 作者
（22） Electric Dipole at High-k/SiO2 Interface and Physical Origin by Dielectric Contact Induced Gap States, Jpn. J. Appl. Phys., 2011, 第 1 作者
（23） Physical origin of dipole formation at high-k/SiO2 interface in metal-oxide-semiconductor device with high-k/metal gate structure, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 1 作者
（24） Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 1 作者
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